silicon carbide polymorphとは 意味・読み方・使い方

The feed material 11 for epitaxial growth of single crystal silicon carbide has a surface layer including polycrystalline silicon carbide whose crystal polymorph is 3C.例文帳に追加

単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材１１は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。 - 特許庁

Each of the feed material 11 and the seed material 12 has a surface layer including polycrystalline silicon carbide whose crystal polymorph is 3C.例文帳に追加

フィード材１１及びシード材１２のそれぞれは、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。 - 特許庁

This seed material 12 for liquid phase epitaxial growth of single crystal silicon carbide has a surface layer including polycrystalline silicon carbide having a crystal polymorph of 3C.例文帳に追加

単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。 - 特許庁

The feed material 11 is one in which a diffraction peak corresponding to a (111) crystal plane and a diffraction peak other than that corresponding to the (111) plane are observed as diffraction peaks corresponding to polycrystalline silicon carbide whose crystal polymorph is 3C, through X-ray diffractometry of the surface layer containing polycrystalline silicon carbide whose crystal polymorph is 3C.例文帳に追加

フィード材１１は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層のＸ線回折により、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に対応した回折ピークとして、（１１１）結晶面に対応した回折ピークと、（１１１）結晶面に対応した回折ピーク以外の回折ピークとが観察されるものである。 - 特許庁

The seed material 12 is one in which a primary diffraction peak corresponding to a (111) crystal plane is observed and no other primary diffraction peaks having diffraction intensity of 10% or more that corresponding to the (111) crystal plane are not observed as diffraction peaks corresponding to polycrystalline silicon carbide whose crystal polymorph is 3C, through X-ray diffractometry of the surface layer containing polycrystalline silicon carbide whose crystal polymorph is 3C.例文帳に追加

シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層のＸ線回折により、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に対応した回折ピークとして、（１１１）結晶面に対応した１次回折ピークが観察され、（１１１）結晶面に対応した１次回折ピークの回折強度の１０％以上の回折強度を有する他の１次回折ピークが観察されないものである。 - 特許庁

Through Raman spectroscopic analysis where the excitation wavelength of the surface layer is set at 532 nm, an LO (longitudinal optical) peak derived from polycrystalline silicon carbide whose crystal polymorph is 3C is observed.例文帳に追加

表層の励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析によって、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に由来のＬ０ピークが観察される。 - 特許庁

Through Raman spectroscopic analysis where the excitation wavelength of the surface layer is set at 532 nm, peaks other than TO (transverse optical) peak and LO (longitudinal optical) peak are observed as peaks derived from polycrystalline silicon carbide whose crystal polymorph is 3C.例文帳に追加

表層の励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析によって、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に由来のピークとして、Ｔ０ピーク及びＬ０ピーク以外のピークが観察される。 - 特許庁