silicon nitride compoundとは 意味・読み方・使い方

The gallium nitride compound semiconductor comprises: an n-type gallium nitride compound semiconductor layer containing at least silicon; and a p-type gallium nitride compound semiconductor layer containing at least magnesium.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体は、少なくともシリコンを含むｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体層と、少なくともマグネシウムを含むｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体層とを有する。 - 特許庁

On the silicon system substrate 2, a nitride system semiconductor layer 3 is formed as composed of nitride system chemical compound.例文帳に追加

シリコン系基板２上には、窒化物系化合物から構成された窒化物系半導体層３が形成されている。 - 特許庁

This ferro-silicon nitride-containing powder for producing a carbon-containing refractory is characterized by comprising 2-60% of aluminum nitride, ≤20% (not including 0) calculated as Fe of iron and/or an iron compound and the rest of substantially silicon nitride.例文帳に追加

窒化アルミニウム２〜６０％、鉄及び／又は鉄化合物をＦｅ分として２０％以下（０を含まず）、残部が実質的に窒化珪素からなることを特徴とする炭素含有耐火物製造用の窒化珪素鉄含有粉末。 - 特許庁

The silicon nitride sintered compact comprises silicon nitride within the range of 75-97 mass % titanium nitride particles within the range of 0.2-5 mass % and a grain boundary phase consisting essentially of an Si-R-Al- O-N compound (R is a rare earth element) within the range of 2-20 mass %.例文帳に追加

窒化ケイ素焼結体は、窒化ケイ素を75〜97質量％、窒化チタン粒子を0.2〜5質量％、およびＳｉ−Ｒ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ化合物（Ｒ：希土類元素）を主として含む粒界相を2〜20質量％の範囲で含有する。 - 特許庁

The silicon nitride nano-wire is synthesized by heating silicon powder in a nitrogen gas atmosphere, and the silicon nitride nano-wire is coated with the silicon nitride nano-sheet by heating a mixture of a compound composed of boron, nitrogen and oxygen and boron oxide in a mixed gas atmosphere of gaseous nitrogen and gaseous ammonia.例文帳に追加

窒素ガス雰囲気中で珪素粉末を加熱することにより窒化珪素ナノワイヤーを合成し、窒素ガス及びアンモニアガスの混合ガス雰囲気中で、ホウ素と窒素と酸素とから成る化合物及び酸化ホウ素の混合物を加熱することによって、窒化珪素ナノワイヤーを窒化ホウ素ナノシートで被覆する。 - 特許庁

Silicon nitride and/or silicon nitride oxide is etched by an etchant containing sulfuric acid, fluoride and water, and thereafter the etchant is heated and/or depressurized to remove a silicon compound produced by the etching.例文帳に追加

硫酸、フッ化物及び水を含有するエッチング液で窒化ケイ素及び／又は窒化酸化ケイ素をエッチングした後、このエッチング液を加熱及び／又は減圧して、エッチングにより生じたケイ素化合物を除去する。 - 特許庁

To effectively dry-etch a silicon compound film such as a nitride silicon nitride film and an amorphous silicon film without using gas such as SF6 which may cause global warming.例文帳に追加

ＳＦ6等の地球温暖化の一因となるガスを用いずに、窒化シリコン膜、アモルファスシリコン膜等のシリコン化合物膜を良好にドライエッチングする。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes a step of forming one silicon nitride film 201 by reacting a gas containing a nitrogen with a dichlorosilane, and forming the other silicon nitride film 203 by reacting the gas containing the nitrogen with a compound containing silicon and chlorine.例文帳に追加

窒素を含有するガスとジクロロシランとを反応させて一方の窒化シリコン膜２０１を形成し、窒素を含有するガスとシリコンおよび塩素からなる化合物とを反応させて他方の窒化シリコン膜２０３を形成する。 - 特許庁