silicon nitride thin filmとは 意味・読み方・使い方

An epitaxial layer 12 which comprises a crystalline silicon nitride thin film having crystal orientation and alignment of a single-crystal silicon substrate or a silicon nitride thin film having a crystalline silicon nitride and an amorphous silicon nitride mixed therein is formed on a single-crystal silicon substrate 11 to a thickness of 0.05-2,000 nm.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１１上に単結晶シリコン基板の結晶方位と整合性を有する結晶性窒化シリコン薄膜、又は結晶質窒化シリコンとアモルファス窒化シリコンとが混在した窒化シリコン薄膜からなるエピタキシャル層１２を０．０５〜２０００ｎｍの厚さで形成する。 - 特許庁

At least one selected from a group consisting of a silicon oxide thin film, a silicon nitride thin film, and a silicon nitride oxide thin film is used as the protection film.例文帳に追加

保護膜として、シリコン酸化物薄膜、シリコン窒化物薄膜およびシリコン窒化酸化物薄膜からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いる。 - 特許庁

A protective film of an integrated circuit contains materials deposited by PECVD process in the following order: a thin film of silicon dioxide, a layer of silicon nitride, silicon nitride oxide, or silicon carbide and a very thin topmost layer of silicon oxide.例文帳に追加

集積回路の保護被膜は、ＰＥＣＶＤ処理により堆積された以下の順序の材料を含む：二酸化シリコンの薄膜、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、又は炭化シリコンの層、及び酸化シリコンの大変薄い最上層。 - 特許庁

DRY ETCHING METHOD OF SILICON NITRIDE FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR例文帳に追加

窒化シリコン膜のドライエッチング方法および薄膜トランジスタの製造方法 - 特許庁

To provide a forming method of a silicon nitride film capable of forming the silicon nitride film excellent in physical characteristics and electric characteristics even if the silicon nitride film is extremely thin.例文帳に追加

極薄膜状態であっても、物理的な特性及び電気的な特性に優れている窒化シリコン膜を成膜することが可能な窒化シリコン膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁

Since the thin-film heaters 40 consists of a three-layered structure of a silicon nitride film 8-1/tantalum nitride film 9/silicon nitride film 8-2, oxygen and moisture are prevented from being incorporated the tantalum nitride film 9 and the waveguide type optical parts with the thin-film heaters having the long life of the thin-film heaters 40 are obtained.例文帳に追加

薄膜ヒータ４０が窒化珪素膜８−１／窒化タンタル膜９／窒化珪素膜８−２の三層構造からなるので、窒化タンタル膜９の中に酸素や水分が取り込まれるのが防止され、薄膜ヒータ４０の寿命が長い薄膜ヒータ付き導波路型光部品が得られる。 - 特許庁

The barrier layer for a semiconductor metallization element provides a silicon nitride thin film, formed in a recess of the element, and a heat resistant metal thin film, formed on the silicon nitride thin film.例文帳に追加

半導体デバイスメタライゼーション要素用の障壁層は、要素くぼみ中に形成されたシリコン窒化物薄膜とシリコン窒化物薄膜上に形成された耐熱性金属薄膜を供する。 - 特許庁

An upper silicon nitride film of a thin film transistor is formed, a resin film is formed on the silicon nitride film to flatten the surface having a rugged pattern due to the thin film transistor, and then a pixel electrode is formed on the flat surface.例文帳に追加

薄膜トランジスタの上方の窒化珪素膜を設け、さらに窒化珪素膜上の樹脂膜を設けて、薄膜トランジスタに起因する凹凸を平坦にし、平坦な表面に画素電極を設ける。 - 特許庁