silicon quantum dotsとは 意味・読み方・使い方

A light-emitting element 10 comprises a semiconductor substrate 1, silicon quantum dots 2 to 4, an insulating film 5, and an electrode 6.例文帳に追加

発光素子１０は、半導体基板１と、シリコン量子ドット２〜４と、絶縁膜５と、電極６を備える。 - 特許庁

A semiconductor device 10 includes a polycrystalline silicon film 4, insulating films 5 and 9, and metal quantum dots 8.例文帳に追加

半導体素子１０は、多結晶シリコン膜４と、絶縁膜５，９と、金属量子ドット８とを備える。 - 特許庁

Each of the quantum dots 21 is formed of polycrystalline silicon on the SOI substrate 11 with a tunnel oxide film 13 interposed therebetween to form a charge storage layer.例文帳に追加

量子ドット２１は、トンネル酸化膜１３を介してＳＯＩ基板１１上に多結晶シリコンで形成されて電荷蓄積層をなす。 - 特許庁

The silicon quantum dots 2 are formed in the insulating film 5 so as to form an insulating film having a film thickness allowing carriers to tunnel between the semiconductor substrate 1 and the dots.例文帳に追加

シリコン量子ドット２は、半導体基板１との間にキャリアがトンネル可能な膜厚を有する絶縁膜が存在するように絶縁膜５中に形成される。 - 特許庁

Consequently, respective conductor particles such as the silicon particles 1 are insulated and isolated by an insulating film such as the silicon nitride film 2 to form quantum dots which are arranged at substantially equal intervals, and a layer thereof has properties of a semiconductor.例文帳に追加

これにより、シリコン粒子１等の各導電体粒子が、シリコン窒化膜２等の絶縁膜により絶縁分離されて、ほぼ等間隔で配置された量子ドットが形成され、この層は半導体としての性質を有する。 - 特許庁

The non-volatile SONSNOS memory comprises first and second insulating films stacked on a channel of a substrate, first and second dielectric films formed between the upper part of the first insulating film and the lower part of the second insulating film, and a group IV semiconductor film, silicon quantum dots, or metal quantum dots, inserted between the first dielectric film and the second dielectric film.例文帳に追加

基板のチャンネル上に積層される第１及び第２絶縁膜と、第１絶縁膜の上部と第２絶縁膜の下部に形成される第１及び第２誘電膜、並びに第１及び第２誘電膜間に介設されるIV族半導体膜、シリコン量子ドット、または金属量子ドットを含む非揮発性ＳＯＮＳＮＯＳメモリ。 - 特許庁

The quantum computer (57) has a trench-isolated channel area (2) formed on a silicon-germanium layer doped with boron, and the layer has narrow channel areas (7, 8, 9) forming a tunnel barrier and wide channel areas (10, 11) forming 1st and 2nd quantum dots (10, 11).例文帳に追加

量子コンピュータ（５７）は、ボロンをドープ処理したシリコン−ゲルマニウム層内に形成したトレンチ隔離したチャンネル領域（２）を備えており、前記層がトンネル障壁を形成する幅狭のチャンネル領域（７，８，９）と、第１及び第２の量子ドット（１０，１１）を形成する幅広のチャンネル領域（１０，１１）とを有する。 - 特許庁

The photoelectrically converting device is configured to include a p-type monocrystal silicon layer 100, an n-type semiconductor layer 120, a porous silicon layer 110 which is formed between the p-type monocrystal silicon layer 100 and the n-type semiconductor layer 120, and contains a plurality of quantum dots 112 in a hole 111.例文帳に追加

本発明の一態様の光電変換装置は、ｐ型単結晶シリコン層１００と、ｎ型半導体層１２０と、ｐ型単結晶シリコン層１００とｎ型半導体層１２０との間に形成された、孔１１１に複数の量子ドット１１２を含有する多孔質シリコン層１１０と、を備える構成としている。 - 特許庁