single p-i-nとは 意味・読み方・使い方

To provide a non-single crystal solar battery preventing the dispersion to an i layer of elements included in p type or n type impurities and material gas and improving power generation efficiency.例文帳に追加

ｐ型あるいはｎ型不純物および材料ガスに含まれる元素のｉ層への拡散を防止し、発電効率の向上を図った非単結晶太陽電池を提供する。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon layer 2 and a p-type amorphous silicon layer 3 are formed on the light-receiving surface of an n-type single-crystal silicon board 1, and a transparent conductive film 4 is formed on the p-type amorphous silicon layer 3, thus constituting a photoelectric converter 101.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の受光面上にｉ型非晶質シリコン層２およびｐ型非晶質シリコン層３が形成され、ｐ型非晶質シリコン層３上に透明導電膜４が形成されて、光電変換部１０１が構成される。 - 特許庁

By this method, a solar cell satisfying a single p-i-n junction having a single-intrinsic amorphous silicon layer having a thickness of 800 to 2,200 Å and having an open circuit voltage of a range from 0.887 V to 0.986 V and a fill factor of a range from 0.645 to 0.74 is manufactured.例文帳に追加

本方法により８００〜２２００Åの厚みの単−真性アモルファスシリコン層を有する単ｐ−ｉ−ｎ接合を具備し、０．８８７V〜０．９８６Vの範囲の開放電圧及び０．６４５〜０．７４の範囲の曲線因子を有する太陽電池を作製する。 - 特許庁

In a photovoltaic device where an i-type amorphous silicon thin film 2 is provided between an n-type single crystal silicon substrate 1 and a p-type amorphous silicon based thin film 3, boron atoms are introduced to an interface region of the silicon substrate 1 and the i-type amorphous silicon thin film 2.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１とｐ型非晶質シリコ系薄膜３との間にｉ型非晶質シリコン薄膜２を介在させた光起電力装置において、シリコン基板１ｉ型非晶系シリコン薄膜２とが形成する界面領域にボロン原子を導入させる。 - 特許庁

In a thin-film solar battery containing pin junction in which a non-single crystalline silicon thin film containing a crystal is used as an i- layer, the oxygen atom concentration on the interface between a p-type or an n-type conductive layer on a substrate side and the i-layer is suppressed to be 5×10^20 atoms/cm^3 or below.例文帳に追加

結晶質を含む非単結晶シリコン系薄膜をｉ層として用いたｐｉｎ接合を含む薄膜太陽電池における基板側のｐまたはｎ型導電層とｉ層との界面における酸素原子濃度を５×１０^20ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下に抑制する。 - 特許庁

An optical conversion device of one embodiment includes a first conductivity-type substrate (p-type single crystalline silicon substrate 100); a first intermediate layer (i-type semiconductor layer 110 or a dielectric layer 160); and a second conductivity-type semiconductor layer (n-type semiconductor layer 120).例文帳に追加

本発明の一態様の光電変換装置は、第１導電型基板（ｐ型単結晶シリコン基板１００）、第１の中間層（ｉ型半導体層１１０または絶縁層１６０）、及び第２導電型半導体層（ｎ型半導体層１２０）を備える。 - 特許庁

This compound represented by formula (I) (A^1 and A^2 are each independently O or a single bond; L^1 and L^2 are each independently a divalent linkage group whose main chain has 5 to 12 carbon atoms; X is a group comprising 1 to 20 atoms selected from the group consisting of C, O, N, P and S atoms and hydrogen atoms) or its salt.例文帳に追加

式（Ｉ）：［式中、Ａ^1およびＡ^2はそれぞれ独立に酸素原子または単結合を表し；Ｌ^1およびＬ^2はそれぞれ独立に、主鎖が５〜２０個の炭素原子からなる２価の連結基を表し；Ｘは炭素原子、酸素原子、窒素原子、リン原子、および硫黄原子からなる群から選択される１〜２０個の原子および水素原子からなる基を表す］で表される化合物、又はその塩。 - 特許庁