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sog-5とは 意味・読み方・使い方

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遺伝子名称シソーラスでの「sog-5」の意味

sog-5

worm遺伝子名sog-5
同義語(エイリアス)
SWISS-PROTのID---
EntrezGeneのID---
その他のDBのIDWormBase:WBGene00004938

本文中に表示されているデータベースの説明

SWISS-PROT
スイスバイオインフォマティクス研究所欧州バイオインフォマティクス研究所によって開発運営されているタンパク質アミノ酸配列データベース
EntrezGene
NCBIによって運営されている遺伝子データベース染色体上の位置配列発現構造機能、ホモロジーデータなどが含まれている
WormBase
欧米研究所大学により運営されている研究用の線虫生態遺伝子情報に関するデータベース

「sog-5」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 14



例文

An SOG film 5 is formed on the surface of the first P-TEOS film 4 except directly above the titanic oxide film 3, and a second P-TEOS film 6 is formed on the titanic oxide film 3 and the SOG film 5.例文帳に追加

チタン酸化膜3の直上を除く第1のP−TEOS膜4の表面にSOG膜5を形成し、チタン酸化膜3上とSOG膜5上に第2のP−TEOS膜6を形成する。 - 特許庁

An SOG solution is applied and baking is performed to a coated insulation film 6, and the film 6 on the top surface of the resist 5 is removed.例文帳に追加

そしてSOG溶液を塗布しベーキングを行うことにより塗布系絶縁膜6を形成し、レジスト5上面の塗布系絶縁膜6を除去する。 - 特許庁

A groove pattern 4 is formed in the second insulating layer 3 consisting of a multi-layer film accumulated in sequence from a lower layer with an organic SOG film 3a and a TEOS oxide film 3b, and a barrier layer 6 is formed through the TEOS oxide film 5 formed on a wall of the groove pattern 4 to prevent the organic SOG film 3a from touching the barrier layer directly.例文帳に追加

有機SOG膜3aおよびTEOS酸化膜3bが下層から順に堆積された積層膜によって構成される第2絶縁層3に溝パターン4が形成されており、この溝パターン4の側壁に設けられたTEOS酸化膜5を介してバリア層6を形成することで、有機SOG膜3aとバリア層6とが直接接するのを防ぐ。 - 特許庁

Furthermore, a thermally polymerized hydrocarbon film 7 is formed on the modified SOG film mask 5, and a trench 8 communicating with the contact hole 6 is cut in the hydrocarbon film 7.例文帳に追加

更に、改質SOGマスク5の上に熱重合性炭化水素膜7が形成され、この炭化水素膜7には、コンタクトホール6に通じるトレンチ8が形成されている。 - 特許庁

A thermally polymerized hydrocarbon film 3 of small relative dielectric constant is formed on the conductive layer 2, and a modified SOG film mask 5 comparatively small in relative dielectric constant is formed on the hydrocarbon film 3.例文帳に追加

導電層2の上には、比誘電率が小さい熱重合性炭化水素膜3が形成され、この炭化水素膜3の上には比誘電率が比較的小さい改質SOG膜マスク5が形成されている。 - 特許庁

A first insulating film 2 on a substrate 1 is etched using a multilayer resist including a resist 3 for i-beam, an SOG film 4 and a resist 5 for KrF/ArF.例文帳に追加

基板1上の第1の絶縁膜2を、i線用レジスト3、SOG膜4、KrF/ArF用レジスト5を含む多層レジストを用いてエッチングする。 - 特許庁

例文

The modified SOG film mask 5 functions as an etching mask for forming a contact hole (viahole) 6 which leads to the conductive layer 2.例文帳に追加

この改質SOG膜マスク5は、炭化水素膜3に、導電層2に通じるコンタクトホール(ビアホール)6を形成するためのエッチングマスクとして機能する。 - 特許庁

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「sog-5」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 14



例文

Each of a part of the protective membrane 20, the wiring laminated part 30 including the SOG membrane remaining in the preliminary opening part C1a, and a sacrifice layer 5 is removed to release the movable electrode 50.例文帳に追加

そして、保護膜20、予備開口部C1aに残留させたSOG膜を含む配線積層部30および犠牲層5のそれぞれの一部を除去して可動電極50をリリースする。 - 特許庁

In this case, the resist 5 for KrF/ArF is first patterned, the SOG film 4 and the resist 3 for i-beam are dry-etched using the resist 5 for KrF/ArF as a mask, and the first insulating film 2 is dry-etched using the resist 3 as a mask.例文帳に追加

その際は、まずKrF/ArF用レジスト5をパターニングし、それをマスクにしてSOG膜4、i線用レジスト3をドライエッチングし、そのi線用レジスト3をマスクにして第1の絶縁膜2をウェットエッチングする。 - 特許庁

The elastic wave element includes a substrate 4, electrodes 2 containing interdigital electrodes 2a formed on the substrate 4, and dielectric layers 5 formed on the electrodes 2, wherein a SiO2 film 6 is provided at least between interdigital electrodes 2a and the SiO2 film 6 between the electrodes is formed with SOG (Spin on Glass).例文帳に追加

基板4と、基板4上に形成された櫛歯電極2aを含む電極2と、電極2上に形成された誘電体層5とを備えた弾性波素子であって、少なくとも櫛歯電極2a間にSiO2膜6を備え、電極間のSiO2膜6は、SOG(Spin on Glass)で形成されている。 - 特許庁

The thin film resistor 5 is formed on a thermal oxidation film 3 formed on a semiconductor substrate 1 and a BPSG/NSG multiplayer film 7, a plasma CVD film 9, an organic SOG film 11, a plasma CDV film 13 and a resist pattern 19 are formed on the entire surface of the semiconductor substrate (A).例文帳に追加

半導体基板1上に形成した熱酸化膜3上に薄膜抵抗体5を形成し、半導体基板1上全面にBPSG/NSG積層膜7、プラズマCVD膜9、有機SOG膜11、プラズマCVD膜13、レジストパターン19を形成する(A)。 - 特許庁

After an intermediate metal 10 is formed on a 1st wire 2 and an inter-layer insulating film is formed of a 2nd insulating film 3, standing SOG and a 3rd insulating film 5, the film is flattened by CMP until the intermediate metal 10 is exposed, and a 2nd wire 11 is formed on the intermediate metal 10.例文帳に追加

第1の配線2上に中間メタル10を形成し、第2の絶縁膜3、SOG溜まり4および第3の絶縁膜5からなる層間絶縁膜を形成後、中間メタル10が露出するまで、CMPにより平坦化を行い、中間メタル10上に第2の配線11を形成する。 - 特許庁

A first-layer wiring metal film 3 and an interlayer oxide film 4 are formed on a field oxide film 2, an organic material such as SOG, etc., is applied and then is etched back to flatten the surface of first inter-layer oxide film 4, and a second interlayer oxide film 5 is formed on the first-layer wiring metal film 3 and the first interlayer oxide film 4.例文帳に追加

フィールド酸化膜2上に第1層目の配線用金属膜3と第1層間酸化膜4を形成し、SOG等の有機物を塗布し、エッチバックして、第1層間酸化膜4上を平坦化し、第1層目の配線用金属膜3上と第1層間酸化膜4上に第2層間酸化膜5を形成する。 - 特許庁

例文

The CVD film 13, the SOG film 11 and the CVD film 9 are sequentially removed by dry-etching using a resist pattern as a mask, continuously a trimming window opening 15 is formed by etching a top layer portion of the multiplayer film 7 and then a part of an upper surface and a side surface of the thin film resistor 5 is exposed (B).例文帳に追加

レジストパターン19をマスクとして、ドライエッチングによりCVD膜13、SOG膜11、CVD膜9を順にエッチング除去し、続けて積層膜7の上層部分をエッチング除去してトリミング窓開口部15を形成し、薄膜抵抗体5の上面及び側面の一部を露出させる(B)。 - 特許庁

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