sog-5とは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「sog-5」の意味 |
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sog-5
worm | 遺伝子名 | sog-5 |
同義語(エイリアス) | ||
SWISS-PROTのID | --- | |
EntrezGeneのID | --- | |
その他のDBのID | WormBase:WBGene00004938 |
本文中に表示されているデータベースの説明
「sog-5」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 14件
An SOG film 5 is formed on the surface of the first P-TEOS film 4 except directly above the titanic oxide film 3, and a second P-TEOS film 6 is formed on the titanic oxide film 3 and the SOG film 5.例文帳に追加
チタン酸化膜3の直上を除く第1のP−TEOS膜4の表面にSOG膜5を形成し、チタン酸化膜3上とSOG膜5上に第2のP−TEOS膜6を形成する。 - 特許庁
An SOG solution is applied and baking is performed to a coated insulation film 6, and the film 6 on the top surface of the resist 5 is removed.例文帳に追加
そしてSOG溶液を塗布しベーキングを行うことにより塗布系絶縁膜6を形成し、レジスト5上面の塗布系絶縁膜6を除去する。 - 特許庁
A groove pattern 4 is formed in the second insulating layer 3 consisting of a multi-layer film accumulated in sequence from a lower layer with an organic SOG film 3a and a TEOS oxide film 3b, and a barrier layer 6 is formed through the TEOS oxide film 5 formed on a wall of the groove pattern 4 to prevent the organic SOG film 3a from touching the barrier layer directly.例文帳に追加
有機SOG膜3aおよびTEOS酸化膜3bが下層から順に堆積された積層膜によって構成される第2絶縁層3に溝パターン4が形成されており、この溝パターン4の側壁に設けられたTEOS酸化膜5を介してバリア層6を形成することで、有機SOG膜3aとバリア層6とが直接接するのを防ぐ。 - 特許庁
Furthermore, a thermally polymerized hydrocarbon film 7 is formed on the modified SOG film mask 5, and a trench 8 communicating with the contact hole 6 is cut in the hydrocarbon film 7.例文帳に追加
更に、改質SOGマスク5の上に熱重合性炭化水素膜7が形成され、この炭化水素膜7には、コンタクトホール6に通じるトレンチ8が形成されている。 - 特許庁
A thermally polymerized hydrocarbon film 3 of small relative dielectric constant is formed on the conductive layer 2, and a modified SOG film mask 5 comparatively small in relative dielectric constant is formed on the hydrocarbon film 3.例文帳に追加
導電層2の上には、比誘電率が小さい熱重合性炭化水素膜3が形成され、この炭化水素膜3の上には比誘電率が比較的小さい改質SOG膜マスク5が形成されている。 - 特許庁
A first insulating film 2 on a substrate 1 is etched using a multilayer resist including a resist 3 for i-beam, an SOG film 4 and a resist 5 for KrF/ArF.例文帳に追加
基板1上の第1の絶縁膜2を、i線用レジスト3、SOG膜4、KrF/ArF用レジスト5を含む多層レジストを用いてエッチングする。 - 特許庁
The modified SOG film mask 5 functions as an etching mask for forming a contact hole (viahole) 6 which leads to the conductive layer 2.例文帳に追加
この改質SOG膜マスク5は、炭化水素膜3に、導電層2に通じるコンタクトホール(ビアホール)6を形成するためのエッチングマスクとして機能する。 - 特許庁
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「sog-5」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 14件
Each of a part of the protective membrane 20, the wiring laminated part 30 including the SOG membrane remaining in the preliminary opening part C1a, and a sacrifice layer 5 is removed to release the movable electrode 50.例文帳に追加
そして、保護膜20、予備開口部C1aに残留させたSOG膜を含む配線積層部30および犠牲層5のそれぞれの一部を除去して可動電極50をリリースする。 - 特許庁
In this case, the resist 5 for KrF/ArF is first patterned, the SOG film 4 and the resist 3 for i-beam are dry-etched using the resist 5 for KrF/ArF as a mask, and the first insulating film 2 is dry-etched using the resist 3 as a mask.例文帳に追加
その際は、まずKrF/ArF用レジスト5をパターニングし、それをマスクにしてSOG膜4、i線用レジスト3をドライエッチングし、そのi線用レジスト3をマスクにして第1の絶縁膜2をウェットエッチングする。 - 特許庁
The elastic wave element includes a substrate 4, electrodes 2 containing interdigital electrodes 2a formed on the substrate 4, and dielectric layers 5 formed on the electrodes 2, wherein a SiO2 film 6 is provided at least between interdigital electrodes 2a and the SiO2 film 6 between the electrodes is formed with SOG (Spin on Glass).例文帳に追加
基板4と、基板4上に形成された櫛歯電極2aを含む電極2と、電極2上に形成された誘電体層5とを備えた弾性波素子であって、少なくとも櫛歯電極2a間にSiO2膜6を備え、電極間のSiO2膜6は、SOG(Spin on Glass)で形成されている。 - 特許庁
The thin film resistor 5 is formed on a thermal oxidation film 3 formed on a semiconductor substrate 1 and a BPSG/NSG multiplayer film 7, a plasma CVD film 9, an organic SOG film 11, a plasma CDV film 13 and a resist pattern 19 are formed on the entire surface of the semiconductor substrate (A).例文帳に追加
半導体基板1上に形成した熱酸化膜3上に薄膜抵抗体5を形成し、半導体基板1上全面にBPSG/NSG積層膜7、プラズマCVD膜9、有機SOG膜11、プラズマCVD膜13、レジストパターン19を形成する(A)。 - 特許庁
After an intermediate metal 10 is formed on a 1st wire 2 and an inter-layer insulating film is formed of a 2nd insulating film 3, standing SOG and a 3rd insulating film 5, the film is flattened by CMP until the intermediate metal 10 is exposed, and a 2nd wire 11 is formed on the intermediate metal 10.例文帳に追加
第1の配線2上に中間メタル10を形成し、第2の絶縁膜3、SOG溜まり4および第3の絶縁膜5からなる層間絶縁膜を形成後、中間メタル10が露出するまで、CMPにより平坦化を行い、中間メタル10上に第2の配線11を形成する。 - 特許庁
A first-layer wiring metal film 3 and an interlayer oxide film 4 are formed on a field oxide film 2, an organic material such as SOG, etc., is applied and then is etched back to flatten the surface of first inter-layer oxide film 4, and a second interlayer oxide film 5 is formed on the first-layer wiring metal film 3 and the first interlayer oxide film 4.例文帳に追加
フィールド酸化膜2上に第1層目の配線用金属膜3と第1層間酸化膜4を形成し、SOG等の有機物を塗布し、エッチバックして、第1層間酸化膜4上を平坦化し、第1層目の配線用金属膜3上と第1層間酸化膜4上に第2層間酸化膜5を形成する。 - 特許庁
The CVD film 13, the SOG film 11 and the CVD film 9 are sequentially removed by dry-etching using a resist pattern as a mask, continuously a trimming window opening 15 is formed by etching a top layer portion of the multiplayer film 7 and then a part of an upper surface and a side surface of the thin film resistor 5 is exposed (B).例文帳に追加
レジストパターン19をマスクとして、ドライエッチングによりCVD膜13、SOG膜11、CVD膜9を順にエッチング除去し、続けて積層膜7の上層部分をエッチング除去してトリミング窓開口部15を形成し、薄膜抵抗体5の上面及び側面の一部を露出させる(B)。 - 特許庁
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