sog-9とは 意味・読み方・使い方

Then, a silicon oxide film 9 having etching selectivity with the SOG film is formed so that the silicon oxide film 9 is along an upper side face of the gate electrodes MG, SGS, SGD and an upper surface of the SOG film.例文帳に追加

次に、ゲート電極ＭＧ、ＳＧＳ、ＳＧＤの上部側面およびＳＯＧ膜の上面に沿うようにＳＯＧ膜との間でエッチング選択性を有するシリコン酸化膜９を形成する。 - 特許庁

An SOG film 16 formed by carrying out heat treatment to an HSQ-SOG film at a temperature of about 800°C is used as a flattened insulating film formed on the gate electrode 9 of an MISFET(Qs, Qn, Qp).例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴ（Ｑｓ、Ｑｎ、Ｑｐ）のゲート電極９上に形成する平坦化絶縁膜として、ＨＳＱ−ＳＯＧ膜を約８００℃の高温で熱処理したＳＯＧ膜１６を使用する。 - 特許庁

While the silicon oxide film 9 is allowed to reside as a spacer along an upper side face of the gate electrodes MG, SGS, SGD, an upper opening 11a leading to an upper surface of the SOG film is formed by anisotropic etching treatment, and the SOG film is removed through the upper opening 11a.例文帳に追加

シリコン酸化膜９をゲート電極ＭＧ、ＳＧＳ、ＳＧＤの上部側面に沿ってスペーサとして残留させながらＳＯＧ膜の上面に通ずる上開口部１１ａを異方性エッチング処理によって形成し、当該上開口部１１ａを通じてＳＯＧ膜を除去する。 - 特許庁

On an optical detection part 2 formed on a substrate 1, spin coating, hardening, and processing of a SOG(spin-on-glass) material are carried out a plurality of times to form a clad layer 9 which has a 1st refractive index.例文帳に追加

基板１に形成された光検出部２の上に、ＳＯＧのスピンコートによる塗布・硬化・加工を複数回行い、第１の屈折率を呈するクラッド層９を形成する。 - 特許庁

The thin film resistor 5 is formed on a thermal oxidation film 3 formed on a semiconductor substrate 1 and a BPSG/NSG multiplayer film 7, a plasma CVD film 9, an organic SOG film 11, a plasma CDV film 13 and a resist pattern 19 are formed on the entire surface of the semiconductor substrate (A).例文帳に追加

半導体基板１上に形成した熱酸化膜３上に薄膜抵抗体５を形成し、半導体基板１上全面にＢＰＳＧ／ＮＳＧ積層膜７、プラズマＣＶＤ膜９、有機ＳＯＧ膜１１、プラズマＣＶＤ膜１３、レジストパターン１９を形成する（Ａ）。 - 特許庁

The CVD film 13, the SOG film 11 and the CVD film 9 are sequentially removed by dry-etching using a resist pattern as a mask, continuously a trimming window opening 15 is formed by etching a top layer portion of the multiplayer film 7 and then a part of an upper surface and a side surface of the thin film resistor 5 is exposed (B).例文帳に追加

レジストパターン１９をマスクとして、ドライエッチングによりＣＶＤ膜１３、ＳＯＧ膜１１、ＣＶＤ膜９を順にエッチング除去し、続けて積層膜７の上層部分をエッチング除去してトリミング窓開口部１５を形成し、薄膜抵抗体５の上面及び側面の一部を露出させる（Ｂ）。 - 特許庁