split chargeとは 意味・読み方・使い方

To improve charge retention characteristics and to make a gate electrode low in resistance in a nonvolatile memory cell having a split gate structure wherein a MOS type transistor for nonvolatile storage using a charge accumulation film and a MOS transistor for selecting this are adjacent to each other.例文帳に追加

電荷蓄積膜を用いる不揮発性記憶用ＭＯＳ型トランジスタと、これを選択するＭＯＳ型トランジスタが隣接するスプリットゲート構造を有する不揮発性メモリセルにおいて、電荷保持特性を向上し、ゲート電極を低抵抗化する。 - 特許庁

An operating voltage, for a split recharge image forming system having a plurality of image forming stations 130, 140, 150 and 160 separately equipped with a DC charge device (for example, 131) and an AC charge device (for example, 132), is determined.例文帳に追加

それぞれＤＣ荷電デバイス（例えば１３１）及びＡＣ荷電デバイス（例えば１３２）を備えた複数の画像形成ステーション１３０、１４０、１５０及び１６０を有するスプリット再荷電画像形成システム等における動作電圧を決定する。 - 特許庁

During the Kenmu Restoration, he was pardoned, allowed to return to Hossho-ji Temple and appointed Daikanjin (position in charge of collecting donations for the temple) of Todai-ji Temple but worked for the Northern Court after the imperial line split into the Northern and Southern Courts.発音を聞く 例文帳に追加

建武の新政では罪を赦され法勝寺に戻り東大寺大勧進職に任じられたが、南北朝が分裂すると北朝側について活躍した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

After an n-type semiconductor region 6 is formed on the principal surface of a semiconductor substrate 1Sub, a memory gate electrode MG and the charge accumulation layer CSL of a split-gate type memory cell are formed thereon.例文帳に追加

半導体基板１Ｓｕｂの主面にｎ型の半導体領域６を形成した後、その上にスプリットゲート型のメモリセルのメモリゲート電極ＭＧおよび電荷蓄積層ＣＳＬを形成する。 - 特許庁

After an n-type semiconductor region 6 is formed on the principal surface of a semiconductor substrate 1Sub, a memory gate electrode MG and the charge storage layer CSL of a split-gate type memory cell are formed thereon.例文帳に追加

半導体基板1Subの主面にｎ型の半導体領域６を形成した後、その上にスプリットゲート型のメモリセルのメモリゲート電極ＭＧおよび電荷蓄積層ＣＳＬを形成する。 - 特許庁

To provide a technology capable of providing merchandise after processing split charge to a plurality of users with intention to pay at shared ratio and shared amount which each user desires.例文帳に追加

支払う意志のある複数のユーザに対して各ユーザの希望する負担割合や負担金額で課金処理を行った後に商品を提供することが可能な技術を提供する。 - 特許庁

To improve electrical characteristics of a semiconductor device which employs a split-gate type memory cell structure and includes a nonvolatile memory using a nitride film as a charge accumulation layer.例文帳に追加

スプリットゲート型メモリセル構造を採用し、電荷蓄積層として窒化膜を用いる不揮発性メモリを有する半導体装置において電気的特性を向上させる。 - 特許庁

To circulate necessary sufficient amount of refrigerant even if a length of refrigerant piping is shortened or lengthened in a split type air conditioner having a specification of no charge.例文帳に追加

チャージレス仕様の分離型空気調和機１で冷媒配管の長さに長短が生じても、必要十分な量の冷媒が循環できるようにする。 - 特許庁