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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 機械工学英和和英辞典 > sputter depositionの意味・解説 

sputter depositionとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 スパッタリング蒸着; スパッタ被着; スパッタリング蒸着法; スパッタ析出; スパッタたい積; スパッタ堆積


機械工学英和和英辞典での「sputter deposition」の意味

sputter deposition


「sputter deposition」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 122



例文

COIL FOR SPUTTER DEPOSITION例文帳に追加

スパッタ堆積用コイル - 特許庁

SPUTTER DEPOSITION APPARATUS例文帳に追加

スパッタ成膜装置 - 特許庁

SPUTTER FILM DEPOSITION APPARATUS例文帳に追加

スパッタ成膜装置 - 特許庁

SPUTTER DEPOSITION METHOD例文帳に追加

スパッタ成膜方法 - 特許庁

SPUTTER FILM DEPOSITION APPARATUS AND SPUTTER FILM DEPOSITION METHOD例文帳に追加

スパッタ成膜装置およびスパッタ成膜方法 - 特許庁

TARGET FOR DC SPUTTER DEPOSITION例文帳に追加

DCスパッタ蒸着用ターゲット - 特許庁

例文

SPUTTER FILM DEPOSITION APPARATUS例文帳に追加

スパッタリング成膜装置 - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「sputter deposition」の意味

sputter deposition


ウィキペディア英語版での「sputter deposition」の意味

Sputter deposition

出典:『Wikipedia』 (2011/07/15 20:10 UTC 版)

英語による解説
ウィキペディア英語版からの引用
引用
Sputter deposition is a physical vapor deposition (PVD) method of depositing thin films by sputtering, that is ejecting, material from a "target," that is source, which then deposits onto a "substrate," such as a silicon wafer. Resputtering is re-emission of the deposited material during the deposition process by ion or atom bombardment. Sputtered atoms ejected from the target have a wide energy distribution, typically up to tens of eV (100,000 K). The sputtered ions (typically only a small fractionorder 1% — of the ejected particles are ionized) can ballistically fly from the target in straight lines and impact energetically on the substrates or vacuum chamber (causing resputtering). Alternatively, at higher gas pressures, the ions collide with the gas atoms that act as a moderator and move diffusively, reaching the substrates or vacuum chamber wall and condensing after undergoing a random walk. The entire range from high-energy ballistic impact to low-energy thermalized motion is accessible by changing the background gas pressure. The sputtering gas is often an inert gas such as argon. For efficient momentum transfer, the atomic weight of the sputtering gas should be close to the atomic weight of the target, so for sputtering light elements neon is preferable, while for heavy elements krypton or xenon are used. Reactive gases can also be used to sputter compounds. The compound can be formed on the target surface, in-flight or on the substrate depending on the process parameters. The availability of many parameters that control sputter deposition make it a complex process, but also allow experts a large degree of control over the growth and microstructure of the film.

「sputter deposition」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 122



例文

SPUTTER FILM DEPOSITION MACHINE, AND SPUTTERING FILM DEPOSITION METHOD例文帳に追加

スパッタ成膜機及びスパッタリング成膜方法 - 特許庁

PLASMA TREATING SYSTEM FOR APPLICATION TO SPUTTER FILM DEPOSITION例文帳に追加

スパッタ成膜応用のためのプラズマ処理装置 - 特許庁

SPUTTER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD例文帳に追加

スパッタ堆積装置およびスパッタ堆積方法 - 特許庁

THREE-DIMENSIONAL SPUTTER FILM DEPOSITION APPARATUS AND METHOD例文帳に追加

三次元スパッタ成膜装置並びに方法 - 特許庁

APPARATUS FOR MAGNETRON SPUTTER FILM DEPOSITION, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

マグネトロンスパッタ成膜装置、及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

METHOD OF DC PULSE SPUTTER DEPOSITION AND FILM FORMING DEVICE THEREFOR例文帳に追加

パルス状直流スパッタ成膜方法及び該方法のための成膜装置 - 特許庁

In copper deposition processes, a sputter etching process 162 of deposited copper whose deposition is carried out in a same sputter chamber is performed following a sputter deposition process 160 of copper.例文帳に追加

同じスパッタチャンバ内で実行される堆積された銅のスパッタエッチング162が、銅のスパッタ堆積160の後に続いて実行される。 - 特許庁

例文

In an opening 3 of the sputter source 1, a constricted part 20 that prevents the reactant gas of the film deposition chamber 2 from intruding into the sputter source 1, is formed.例文帳に追加

スパッタ源1の開口部3には、成膜室2の反応ガスがスパッタ源1内へ侵入するのを防止する括れ部20が形成されている。 - 特許庁

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