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sputter gasとは 意味・読み方・使い方
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「sputter gas」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 81件
Preferably, the proportion of the reaction gas in the sputter gas is ≤10%.例文帳に追加
好適には、スパッタガスに占める反応ガスの割合は、１０％以下とする。 - 特許庁
In an opening 3 of the sputter source 1, a constricted part 20 that prevents the reactant gas of the film deposition chamber 2 from intruding into the sputter source 1, is formed.例文帳に追加
スパッタ源１の開口部３には、成膜室２の反応ガスがスパッタ源１内へ侵入するのを防止する括れ部２０が形成されている。 - 特許庁
Inert gas is introduced from an inert gas feeder 150 into the inside of the sputter electrode part 22.例文帳に追加
不活性ガスは不活性ガス供給装置１５０からスパッタ電極部２２の内部に導入される。 - 特許庁
Argon ions in plasma generated through ionization of argon gas by an ECR are accelerated in the sputter cathode direction by the electric field by the target voltage, and made incident in the sputter cathode 5 to emit sputter particles consisting of aluminum from the sputter cathode 5 in the direction of a substrate 6.例文帳に追加
ＥＣＲによってアルゴンガスがイオン化されて生成したプラズマ中のアルゴンイオンがターゲット電圧による電界によってスパッタカソード方向に加速され、スパッタカソード５に入射すると、アルミから成るスパッタ粒子がスパッタカソード５から基板６方向へと放出される。 - 特許庁
An i layer 4 is formed by a reactive sputter method for performing sputtering in an oxygen gas atmosphere.例文帳に追加
ｉ層４は酸素ガス雰囲気中でスパッタを行う反応性スパッタ法で成膜されている。 - 特許庁
The substrate 10 is irradiated with the plasma originating from the sputter target and the ionized gas.例文帳に追加
基板１０には、スパッタターゲットのプラズマとイオン化されたガスが照射される。 - 特許庁
Gas such as argon is introduced in a sputter chamber 1 by a gas introducing system 2, voltage is applied from a sputter power source 4 to a target 3 formed of a conductive material to generate sputter discharge while holding the substrate 9 by a substrate holder 5.例文帳に追加
スパッタチャンバー１内にガス導入系２によってアルゴン等のガスを導入し、基板ホルダー５で基板９を保持しながら、導電材料より成るターゲット３にスパッタ電源４が電圧を印加してスパッタ放電を生じさせる。 - 特許庁
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「sputter gas」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 81件
An ECR plasma is formed within the vacuum chamber 11, while gas supply devices 15, 16 introduce a sputter gas and a CVD gas into the vacuum chamber 11.例文帳に追加
真空チャンバ１１内にＥＣＲプラズマを形成し、スパッタ用ガスとＣＶＤ用ガスとをガス供給装置１５、１６によって導入する。 - 特許庁
He gas is mixed with at least one gas selected from among Ne, Ar, Kr, Xe and Rn to form a sputter-gas mixture.例文帳に追加
Ｈｅガスと、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、ＸｅおよびＲｎから選択される少なくとも１つのガスとを混合してスパッタリングガス混合物を得る。 - 特許庁
Gas is introduced in a treatment chamber 1 by a gas introduction system 22, the voltage is applied to a target by a sputter power source 21 to generate the sputter discharge, and the plasma is formed.例文帳に追加
処理チャンバー１内にガス導入系２２によってガスが導入され、スパッタ電源２１によってターゲットに電圧が印加されてスパッタ放電が生じ、プラズマが形成される。 - 特許庁
Here, the ZnO semiconductor layer 3 is formed in such a manner that the oxygen gas flow rate in a sputter gas is smaller than that during the formation of the ZnO buffer layer 2.例文帳に追加
ＺｎＯバッファ層２の形成時よりもスパッタガス中の酸素ガス流量が少ない条件でＺｎＯ半導体層３を形成する。 - 特許庁
A method for manufacturing a compound semiconductor element is one involving a step of forming an AuSi film under a sputter gas ambiance, and the sputter gas contains an argon gas (Ar) and a nitrogen gas (N2).例文帳に追加
本発明の化合物半導体素子の製造方法は、スパッタガス雰囲気中でＡｕＳｉ膜を形成する工程を包含する化合物半導体素子の製造方法であって、該スパッタガスが、アルゴンガス（Ａｒ)と窒素ガス（Ｎ_2）を含むことを特徴とする。 - 特許庁
The silicon-based or other semiconductor-based additive can be formed by using a composite sputter target involving a reaction gas flow of oxygen or nitrogen in the sputter chamber during deposition.例文帳に追加
ケイ素系又は他の半導体系の添加剤は、成膜時のスパッタチャンバー内に、酸素や窒素のような反応ガスの流れを伴なう複合スパッタターゲットを用いて形成され得る。 - 特許庁
To provide a torch for an arc welding, with which a sputter does not stick on a power feeding tip or the like, or the sputter is easily removable even if attached, and the flow of a shield gas in a nozzle is slightly disturbed.例文帳に追加
通電チップ等にスパッターが付着せず、あるいは付着しても除去が容易で、ノズル内のシールドガスの流れを乱すことが少ないアーク溶接用トーチを提供する。 - 特許庁
It is preferable that the mixed gas further contains BCl3 66 so that sputter-etching by boron ion can be carried out.例文帳に追加
ガス混合物は、ホウ素イオンによるスパッタエッチングが行われるように、更にＢＣｌ_3６６を含むことが好ましい。 - 特許庁
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