thin Bi filmとは 意味・読み方・使い方

To provide a composition for forming a Bi-based dielectric thin film with which a crystallized thin film of Bi-based dielectric can be obtained even by low-temperature baking below 800°C, and also to provide a Bi-based dielectric thin film.例文帳に追加

８００℃未満の低温焼成によってもＢｉ系誘電体の結晶化薄膜を得ることができるＢｉ系誘電体薄膜形成用組成物とＢｉ系誘電体薄膜を提供する。 - 特許庁

Bi LAYERED STRUCTURE FERROELECTRIC THIN FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

Ｂｉ層状構造強誘電体薄膜及びその製造方法 - 特許庁

MAGNETIC THIN FILM MEDIA WITH BI-LAYER STRUCTURE OF CrTi/NiP例文帳に追加

ＣｒＴｉ／ＮｉＰから成る二層構造を有する薄膜磁気媒体 - 特許庁

SOURCE SOLUTION FOR FORMATION OF REROVSKITE TYPE OR Bi SHEET PEROVSKITE TYPE OXIDE THIN FILM, METHOD OF FORMING PEROVSKITE TYPE OR Bi SHEET PEROVSKITE OXIDE THIN FILM, AND PEROVSKITE TYPE OR Bi SHEET PEROVSKITE TYPE OXIDE THIN FILM例文帳に追加

ペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液、ペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜の形成方法及びペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜 - 特許庁

The perovskite type or Bi sheet perovskite type oxide thin film formed by the method is also described.例文帳に追加

この方法で形成されたペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜。 - 特許庁

MATERIAL FOR FORMING Bi BASED FERROELECTRIC THIN FILM, Bi BASED FERROELECTRIC ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING THE ELEMENT例文帳に追加

Ｂｉ系強誘電体薄膜形成用材料、Ｂｉ系強誘電体素子、およびＢｉ系強誘電体素子の製造方法 - 特許庁

At first, a Bi precursor is supplied to form a Bi oxide molecular layer (suitably, one-molecular layer), and then an SBT ferroelectric thin film is formed on the upper layer of the Bi oxide molecular layer.例文帳に追加

最初にＢｉ前駆体を供給してＢｉ酸化物分子層（好適には一分子層）を形成し、その上層にＳＢＴ強誘電体薄膜を形成する。 - 特許庁

To lower a crystallization temperature of a SBT(Sr, Bi, Ta) ferroelectric thin film and further improve morphology.例文帳に追加

ＳＢＴ強誘電体薄膜の結晶化温度を低下させると共に、モフォロジーを改善する。 - 特許庁