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threshold stressとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 限界応力
「threshold stress」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 53件
To change the threshold voltage of a transistor using stress of a thin film.例文帳に追加
薄膜の応力を用いて、トランジスタのしきい値電圧を変化させる。 - 特許庁
Furthermore, a stress corresponding to a stress controlling the lifetime is employed, and an idea that the lifetime of a partial stress volume ΔVi is maximized when a stress generated in the partial stress volume ΔVi is not higher than a threshold stress giving a fatigue limit is employed.例文帳に追加
また、寿命を支配する応力に相当応力等を用い、かつ部分応力体積ΔＶ_i 中に発生する応力が疲労限を与える応力閾値以下のときは、その部分応力体積ΔＶ_i の寿命が最大になるという考えを採用する。 - 特許庁
The molding material 1 with 0.001 to 0.2 MPa elastic threshold stress is used.例文帳に追加
上記成形材料１として弾性限界応力が０．００１〜０．２ＭＰａであるものを用いる。 - 特許庁
To control a threshold voltage using the stress of a thin film in an inverted staggered type TFT.例文帳に追加
逆スタガ型ＴＦＴにおいて、薄膜の応力を用いてしきい値電圧を制御する。 - 特許庁
A resistance track, in which the piezoresistance effect appears in either the region, where a stress lower than a threshold specified between a maximum and a minimum stress (namely, the non-concentrated region of stress) or the region, where a stress higher than the threshold (namely, the concentrated region of stress) is formed selectively.例文帳に追加
最大応力と最小応力の間に設定されている閾値よりも低い応力が分布している領域（すなわち応力非集中領域）と前記閾値よりも高い応力が分布している領域（すなわち応力集中領域）のいずれか一方に、ピエゾ抵抗効果を発揮する抵抗路が選択的に形成されている。 - 特許庁
Further, an optical intensity of stress luminescence in the light-emitting part 1 is matched with a photosensitive threshold level at which reciprocity law failure is indicated by the recording part, by using stress luminescence adjustment processing conducted before a first step of affixing the stress history recording medium 10 on a measurement object.例文帳に追加
さらに、発光部１における応力発光の光強度は、上記第一の工程の前に行われる応力発光調整処理によって、上記記録部が相反則不軌を示す感光閾値のレベルに一致させられている。 - 特許庁
To restrain a bias stress effect in an organic field effect transistor, and to control concurrently a threshold voltage to a fixed value.例文帳に追加
有機電界効果トランジスタにおけるバイアスストレス効果を抑えると同時に、しきい値電圧を一定値に制御する。 - 特許庁
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「threshold stress」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 53件
To suppress an increase in a shift amount of a threshold voltage resulting from voltage stress even if millisecond annealing is used when an impurity is activated.例文帳に追加
不純物を活性化するときにミリ秒アニールを用いても、電圧ストレスに起因した閾値電圧のシフト量が大きくなることを抑制する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device for controlling the degradation of pressure resistance and the change of a threshold voltage by gate pulse stress.例文帳に追加
ゲートパルスストレスによる耐圧劣化およびしきい値電圧の変動を抑制できる半導体装置を提供する。 - 特許庁
The yield can be improved by performing a threshold value test of a memory cell after batch stress applying tests of a plurality of kinds.例文帳に追加
複数種類の一括ストレス印加試験後にメモリセルの閾値検査を行うことで歩留向上が図れる。 - 特許庁
When an electric element 103 receives electric stress equal to a threshold or larger, the element is changed from an insulation state to a dielectric breakdown state.例文帳に追加
１つの電気素子１０３が或る閾値以上の電気的ストレスを受けると絶縁状態から絶縁破壊状態に変化する。 - 特許庁
By this, corrosion potential can be made below a threshold level and stress corrosion cracking of reactor structural material can be suppressed.例文帳に追加
これにより、図３に示すように腐食電位をしきい値以下にすることができ、原子炉構造材料の応力腐食割れを抑制することができる。 - 特許庁
To provide a wiring structure such that a wiring structure having an oxide semiconductor layer has excellent switching characteristics and stress resistance, and is small in threshold voltage variation quantity, especially, before and after stress application and has excellent stability.例文帳に追加
酸化物半導体層を備えた配線構造のスイッチング特性およびストレス耐性が良好であり、特にストレス印加前後のしきい値電圧変化量が小さく安定性に優れた配線構造を提供する。 - 特許庁
When detecting that the stress level to be detected by the stress sensor 37 reaches the preset threshold, the control part 30 stops the downward movement of the catcher part 14.例文帳に追加
制御部３０は、応力センサ３７によって検出される応力レベルが、予め設定されたしきい値まで到達したことを検出すると、キャッチャー部１４の下方向への移動を停止させる。 - 特許庁
To provide an oxide for thin film transistor which can achieve high mobility while exhibiting excellent stress tolerance (an amount of threshold voltage shift before and after stress application is small).例文帳に追加
高い移動度を実現でき、且つ、ストレス耐性（ストレス印加前後のしきい値電圧シフト量が少ないこと）にも優れた薄膜トランジスタ用酸化物を提供する。 - 特許庁
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