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type I carrierとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 第一種電気通信事業
「type I carrier」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 15件
The barrier layer 14 has a larger band gap than the carrier supply layer 13, and the barrier layer 14 and carrier supply layer 13 form a type I heterojunction.例文帳に追加
バリア層１４のバンドギャップが、キャリア供給層１３のバンドギャップよりも大きく、バリア層１４とキャリア供給層１３とが、タイプＩ型のヘテロ接合を形成している。 - 特許庁
On an n-type InP substrate 10, an n-type DBR layer 12, an i-InGaAs light absorbing layer 14 (light absorbing layer) of a low carrier concentration, and a p-type InP window layer 16 are sequentially formed.例文帳に追加
ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、ｎ型ＤＢＲ層１２低キャリア濃度のｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１４（光吸収層）、及びｐ型ＩｎＰ窓層１６が順次形成されている。 - 特許庁
When communicated via the contact type interface (I/F) ('YES' in step B2), the control part of the card reader turns off a carrier generating part (step B3) to stop an operation of the noncontact type interface (I/F).例文帳に追加
また、接点式Ｉ／Ｆを介して通信を行なう場合は（ステップＢ２，「ＹＥＳ」）キャリア発生部をＯＦＦして（ステップＢ３）非接触式Ｉ／Ｆの動作を停止させる。 - 特許庁
An n-type DBR layer 12 (distribution Bragg reflection layer of first conductivity type), an i-InGaAs optical absorption layer 14 (optical absorption layer) with low carrier concentration, and a p-type InP window layer 16 (semiconductor layer of second conductivity type) are formed in order on an n-type InP substrate 10 (semiconductor substrate).例文帳に追加
ｎ型ＩｎＰ基板１０（半導体基板）上に、ｎ型ＤＢＲ層１２（第１導電型の分布ブラッグ反射層）、低キャリア濃度のｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１４（光吸収層）、及びｐ型ＩｎＰ窓層１６（第２導電型の半導体層）が順番に形成されている。 - 特許庁
Near the surface of the contact layer 18, similarly, the n-type carrier increases and the conductivity of the layer 18 changes to i- or n-type, resulting in the formation of a current constricting region 18a.例文帳に追加
ｐ側コンタクト層１８の表面近傍においても同様にｎ型キャリアが増加し、伝導型がｉ型またはｎ型に変化して電流狭窄領域１８ａが形成される。 - 特許庁
A light-receiving layer, i.e., an i layer (e.g., an n-type GaN-based crystal layer) 2, on which a Schottky electrode is formed has a side face 2a covered with an n-type GaN based high carrier concentration layer 1.例文帳に追加
ショットキー電極が形成された受光層であるｉ層（例えば、ｎ^-型ＧａＮ系結晶層）２の側面２ａが、ｎ型ＧａＮ系高キャリア濃度層１によって覆われた構造とする。 - 特許庁
Since the vicinity of the contact plane with the second oxide semiconductor satisfying the above condition serves as a region with extremely low carrier concentration (pre-I type region), the off current can be reduced by using that part as a channel.例文帳に追加
上記の条件を満たす第２の酸化物半導体との接触面近傍においては、極めてキャリア濃度の低い領域（準Ｉ型領域）となるので、その部分をチャネルとすることにより、オフ電流が低減できる。 - 特許庁
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「type I carrier」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 15件
The n-type thermoelectric material contains at least two kinds out of Bi, Sb, Te and Se as main components, and contains bromine (Br) and iodine (I) as a carrier density adjusting dopant.例文帳に追加
Ｂｉ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＳｅのうち少なくとも２種を主成分とし、キャリア濃度調整用ドーパントとして臭素（Ｂｒ）及びヨウ素（Ｉ）を含有している。 - 特許庁
To improve conversion efficiency by improving the inner quantum efficiency of a carrier at a short-wavelength region of 400-600 nm in a pin-type thin-film solar battery with a thick (i) layer.例文帳に追加
ｉ層厚さの薄いｐｉｎ型薄膜太陽電池において、４００〜６００nmの短波長域でのキャリアの内部量子効率を改善し、変換効率の向上を図る。 - 特許庁
The planar shape of the opening section of the dummy pocket 24 has an I type which is narrow in a center section and large at both end sections in a direction which intersects perpendicularly in the longitudinal direction of the carrier tape body 20.例文帳に追加
ダミーポケット２４の開口部の平面形状は、キャリアテープ本体２０の長手方向に直交する方向において、中央部で狭く、両端部で広くなっているＩ型をしている。 - 特許庁
After the carrier concentration of the n-type buffer layer is evaluated in the steps i and ii, a new epitaxial layer is grown by melting back the buffer layer.例文帳に追加
以上の工程によりｎ型バッファ層のキャリア濃度を評価したのち、該ｎ型バッファ層をメルトバックして新たなエピタキシャル層を成長させる。 - 特許庁
According to laminate structure of the light emitting diode element 10, potential-jump barrier does not impede carrier injection even if bias voltage is applied, so that carriers can be injected with high efficiency into the i-type ZnO light emitting layer 2.例文帳に追加
この発光ダイオード素子１０の積層構造によれば、バイアス電圧を印加しても電位障壁がキャリア注入を阻害せず、ｉ型ＺｎＯ発光層２へ高効率にキャリアを注入できる。 - 特許庁
To provide a tape carrier type semiconductor device in which an efficient structure of I/O wiring pattern can be provided on a conventional flexible film and the mounting area of a display can be reduced.例文帳に追加
従来用いられている可撓性フィルム基板上に入出力配線パターンの効率的な構造を備えることができると共に、表示装置における実装面積を縮小させることができるテープキャリア型半導体装置を提供する。 - 特許庁
The mixed vaccine comprises (i) the Haemophilus Influenzae type B capsular polysaccharide linked to a carrier protein specified in that the conjugate is adsorbed on aluminum phosphate and (ii) other antigens imparting protection to diphtheria, tetanus and pertussis.例文帳に追加
ｉ）結合体がリン酸アルミニウム上に吸着されている点で特徴付けられる担体蛋白質に結合したヘモフィルスインフルエンザＢ型の莢膜ポリサッカライド；およびｉｉ）ジフテリア、破傷風および百日咳に対する保護を付与する他の抗原を含む、混合ワクチンにより、上述した課題が解決される。 - 特許庁
The composition for inhibiting type 3 17β-hydroxysteroid dehydrogenase comprises a coumarin compound represented by the formula (I) etc., and an inert carrier.例文帳に追加
本発明は、式（Ｉ）等で示されるクマリン化合物と不活性担体とを含有することを特徴とする３型１７β−ヒドロキシステロイドデヒドロゲナーゼ阻害組成物；当該阻害組成物に３型１７β−ヒドロキシステロイドデヒドロゲナーゼを阻害するための有効成分として含有されるクマリン化合物の使用等を提供する。 - 特許庁
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