x=1-0の英語

In short, the light-emitting layer of the light-emitting diode is represented by a general formula InxGa1-xN1-yXy (0<x<1; X=P, As, Ab, Bi; y=0<y<0.01/0<y<0.005).例文帳に追加

すなわち、本発明に係る発光ダイオードの発光層は一般式In_xGa_1-xN_1-yX_y（0＜x＜1;X=P,As,Sb,Bi;y=0＜y＜0.01/0＜y＜0.005）で表される。 - 特許庁

The magnesium fluoride is preferably MgF_2-x(OH)_x (x=1-0).例文帳に追加

好ましくは、フッ素化マグネシウムがMgF_2-x（OH）_x（x=1〜0）とする。 - 特許庁

(wherein, in formula, a mol fraction x satisfies 0<x<1).例文帳に追加

（式中、モル分率Ｘは、０＜Ｘ＜１） - 特許庁

In the Formula, 0<x<1.例文帳に追加

（Ｉｎ_１−ｘＧａ_ｘ）Ｐ …（Ｉ） （式中、０＜ｘ＜１） - 特許庁

The emitter 12b includes at least one of materials selected from BaO1-X (0≤X≤1), SrO1-X (0≤X≤1), CaO1-X (0≤X≤1), and MgO1-X (0≤X≤1), and glass.例文帳に追加

エミッタ１２ｂは、ＢａＯ_1-X（ただし、０≦Ｘ≦１）、ＳｒＯ_1-X（ただし、０≦Ｘ≦１）、ＣａＯ_1-X（ただし、０≦Ｘ≦１）およびＭｇＯ_1-X（ただし、０≦Ｘ≦１）から選ばれる少なくとも一つとガラスとを含む。 - 特許庁

In the formula 1, 0<a<1, w+x+y+z=1, 0≤w≤1, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, and A is a metallic element.例文帳に追加

前記式中、０＜ａ＜１、ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｗ≦１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、Ａは金属元素である。 - 特許庁

A semiconductor device is a group-III nitride semiconductor heterojunction field effect transistor, having a heterojunction formed on a channel layer 2 of Al_xIn_yGa_1-x-yN (0≤x<1, 0≤y<1) as an electron supply layer 3 of Al_zGa_1-zN (Al composition z satisfies 0≤z≤1).例文帳に追加

半導体装置は、Al_xIn_yGa_1-x-yN(0≦x<1, 0≦y<1)のチャネル層２上に、Al_zGa_1-zN(Al組成zは0≦z≦1)の電子供給層３から成るヘテロ接合を形成したIII族窒化物半導体ヘテロ接合電界効果型トランジスタである。 - 特許庁

This fluorescent substance is expressed by general formula La_1-xSi_3N_5:xCe (x is a amount of activation, 0; x; 1), a part of the lanthanum ion is activated by substituting and forming a solid solution of the cerium ion.例文帳に追加

一般式La_1-xSi_3N_5:xCe（付活量xは、0<x<1）で示され、ランタンイオンサイトに固溶置換によりセリウムイオンが付活している。 - 特許庁