ウェルタの英語

繰り返し単位に含まれる一部のメモリセルの第２導電型のウェル内に第２導電型のウェルタップ領域が形成されている。例文帳に追加

The second conductivity type well tap region is formed in the second conductivity type well of a part of memory cell included in the repeated units. - 特許庁

層間接続部材は、金属シリサイド層を介して、ソース領域とウェルタップ領域との双方に電気的に接続される。例文帳に追加

The interlayer connection member is electrically connected to both the source region and the well tap region via the metal silicide layer. - 特許庁

第１の方向に並んだ複数の繰返単位の間に、第２導電型のウェルタップ領域を含むつなぎ部が設けられている。例文帳に追加

A connection section containing a second conduction type well tap region is provided in each between the plurality of repeating units lining up in a first direction. - 特許庁

第１金属シリサイド層３０の辺５０とウェルタップ領域１４のコンタクト１６の一辺との距離をＬ４、辺５４とコンタクト１８の一辺との距離をＬ５とした場合に、Ｌ５≧Ｌ４にする。例文帳に追加

When the distance of the side 50 of the first metal silicide layer 30, and one side of the contact 16 of the well tap region 14 is set to L4 and the distance of the side 54 and one side of the contact 18 is set to L5, it is made L5≥L4. - 特許庁

nMOS保護回路１ｇはp型（第２導電型）ウェル４内に互いに離間して形成されているトランジスタ形成部１０とp^+型ウェルタップ領域３０を備えている。例文帳に追加

The nMOS protection circuit 1g comprises a transistor formation portion 10 and a p^+-type well tap region 30 that are formed in a p-type (second-conductivity-type) well 4 so as to be apart from each other. - 特許庁

ウェル領域内には、一方向に沿って配列されている複数のＭＯＳ構造と、第１配線に接続されているウェルタップ領域が形成されている。例文帳に追加

In the well region, a plurality of MOS structures arrayed along one direction and a well tap region connected to first wiring are formed. - 特許庁

第２導電型のウェルタップ領域が配置されているメモリセルと同一またはそれに隣接するメモリセル内に、層間接続部材が配置されている。例文帳に追加

Interlayer connecting members are arranged in the memory cell that is identical or adjacent to the memory cell in which the second conductivity type well tap region is arranged. - 特許庁

（工程Ｃ）重縮合工程で副生し、ホットウェルタンクに凝集したテトラヒドロフランを回収する工程、（工程Ｄ）工程Ｃで回収したテトラヒドロフラン中に含まれるジヒドロフランを、テトラヒドロフランに対する重量比で５００ｐｐｍ以下にする工程、を有するポリエステルの製造方法。例文帳に追加

The method for producing the polyester comprises a process ( Process C) for recovering tetrahydrofuran by-produced during a polycondensation process to flocculate in a hot well tank, and a process (Process D) for decreasing dihydrofuran contained in tetrahydrofuran recovered in Process C to 500 ppm or less in weight ratio relative to tetrahydrofuran. - 特許庁