中濃ソースの英語

また、ソース領域３１の表面内には、ゲート電極５のゲート幅方向のほぼ中央部近傍に、Ｐ型の不純物が比較的高濃度に導入されたソースタイ領域４が配設されている。例文帳に追加

A source tie region 4 where p-type impurities are introduced with a relatively high concentration is arranged near the center in the direction of the gate width of the gate electrode 5 in the surface of the source region 31. - 特許庁

トッピングは昔から店では中濃ソースであったが、ケチャップやマヨネーズも古くから家庭では浸透していた。例文帳に追加

As for the topping sauce, the shops have used medium thick sauce from long ago, but ketchup or mayonnaise were also used in the household from long ago.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

スペーサ膜５をマスクとして、リンイオンをＰ型半導体基板１中にイオン注入することで、低濃度のソース領域７ａを形成する。例文帳に追加

A low concentration source region 7a is formed by implanting phosphorus ion into a p-type semiconductor substrate 1 taking a spacer film 5 as a mask. - 特許庁

凹部上に形成された保護酸化膜は低濃度ソース/ドレイン領域を保護し、電界の集中を防止する。例文帳に追加

The protective oxide film formed on the recessed portion protects the low-concentration source/drain region and prevents the concentration of an electric field. - 特許庁

さらに、ＦＥＴ１には、ソース領域１１およびドレイン領域１３よりも不純物濃度が低い中間領域１２，１４を有する。例文帳に追加

Furthermore, the FET 11 is provided with intermediate regions 12 and 14 whose impurity concentrations are lower than those of the source region 11 and the drain region 13. - 特許庁

ソース・ドレイン領域に接するアンダーコート中の水素濃度をチャネル領域に接するアンダーコート中の水素濃度よりも高くすることで、ソース・ドレイン領域の水素終端効果を向上するとともに、ゲート絶縁膜への水素供給を最小限に抑える。例文帳に追加

The hydrogen concentration in an undercoat contacted to a source-drain region is set to be higher than that in an undercoat contacted to a channel region, to thereby improve the hydrogen terminating effect of the source-drain region and suppress the hydrogen supply to a gate insulation film to a minimum. - 特許庁

酸化物半導体層中のソース電極及びドレイン電極と接する領域における水素又は重水素の濃度が、同層中の平均濃度に比べて大きい構成とする。例文帳に追加

This field effect transistor comprises a source electrode and a drain electrode in a semiconductor layer of an oxide film, wherein a concentration of hydrogen or heavy hydrogen in a contact region of these electrodes is higher than an average concentration of the same layer. - 特許庁

すなわち、チャネル形成部１０のソース４、ドレイン５側の端部に、中央部と比べて不純物濃度の高い高濃度領域１１が設けられている。例文帳に追加

More specifically, at the ends of the channel formation portion 10 on the source 4 side and on the drain 5 side, a higher- concentration region 11 whose impurity concentration is higher than at the central part is formed. - 特許庁