「"Lift Pin"」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing an epitaxial wafer that prevents the epitaxial wafer from decreasing in flatness owing to presence of a lift pin while reducing strain of a reverse surface of the epitaxial wafer due to sticking between the wafer and a susceptor.例文帳に追加

ウェーハとサセプタとの間のスティッキングによるエピタキシャルウェーハの裏面の歪みを低減しながら、リフトピンの存在によるエピタキシャルウェーハの平坦度の低下を防止するようなエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an epitaxial wafer without generating irregularity on an epitaxial layer at a position facing a lift pin even when an output ratio of upper and lower lamps is changed or depositing silicon on the back face of a silicon wafer.例文帳に追加

上側及び下側ランプの出力比を変量しても、リフトピンに対向する位置のエピタキシャル層に凹凸を発生させず、シリコンウェーハ裏面にシリコンを堆積させないエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The lift pin 266 projects from the through hole 217a as a susceptor (substrate placement stand) 217 goes lower, and retains a wafer (substrate) 200; and draws back from the through hole 217a as the susceptor 217 goes up and places the wafer 200 on the susceptor 217.例文帳に追加

リフトピン２６６は、サセプタ（基板載置台）２１７の下降にともなって貫通孔２１７ａから突き出してウェハ（基板）２００を保持し、サセプタ２１７の上昇にともなって貫通孔２１７ａから引っ込んでウェハ２００をサセプタ２１７に載置する。 - 特許庁

When a measurement value rises to a value where static electricity is likely to generate at the time of peeling the substrate, a controller 11 controls the ion supply amount of the ionizer main bodies 6 and 7 and rise speed of the lift pin 3.例文帳に追加

基板剥離時に、静電気が発生しそうな値まで測定値が上昇した場合、制御装置１１は、イオナイザ本体６および７のイオン供給量を調節する、リフトピン３の上昇速度を調節する等の制御を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate processing device that prevents a processing defect of a semiconductor device by speedily grasping abnormality of an operation state of a lift pin and is surely improved in yield of products by greatly reducing manufacture loss of the semiconductor device.例文帳に追加

リフトピンの動作状況の異常を迅速に把握して半導体装置の加工不良を未然に防ぐことができ、半導体装置の製造ロスを大幅に軽減して製品の歩留まりを確実に向上することができる半導体基板処理装置を提供する。 - 特許庁

An air flow shielding plate 100 is horizontally arranged on a position slightly (normally 10 mm and less) lower than a pin tip portion of the lift pin 62 and a height position of the air flow shielding plate 100 can be variably adjusted by a shielding plate lift mechanism 102.例文帳に追加

そして、リフトピン６２のピン先部よりも幾らか（通常１０ｍｍ以下）低い位置に気流遮蔽板１００を水平に設け、この気流遮蔽板１００の高さ位置を遮蔽板昇降機構１０２により可変できるようにしている。 - 特許庁

A mounting section 285 to the bottom surface 212 of the pin arm 282 is mounted to space S_out outside space S_in held between the susceptor 217 and the bottom surface 212 of the lower vessel 211 so that the position of the lift pin 266 to the through hole 217a can be adjusted easily.例文帳に追加

このリフトピン２６６の貫通孔２１７ａに対する位置調整を容易に行えるように、ピンアーム２８２の底面２１２への取付部２８５を、サセプタ２１７と下側容器２１１の底面２１２との間に挟まれる空間Ｓ_inの外側の空間Ｓ_outに取り付ける。 - 特許庁

The tray also comprises through holes 106 each to be inserted from below with a lift pin 152 for lifting the plate placed on the placing surface and formed thereon, and covers 108 each mounted on the hole to close the hole and raised by the pin.例文帳に追加

また、載置面に載置された基板を上昇させるためのリフトピン１５２が下方から挿入される貫通孔１０６が形成されており、この貫通孔を閉じるべく該貫通孔に取り付けられると共に、リフトピンにより持ち上げられるカバー１０８を備えることを特徴とする。 - 特許庁

A plenum provided between surface of the chuck and the surface of the heat transfer body separated from the surface of the chuck is filled with a heat transfer gas which is made to pass through a gas passage, such as the lift pin hole of the chuck for cooling the back face of a substrate supported on the chuck.例文帳に追加

チャック体の面と該面から離隔された熱伝達体の面との間のプレナムは、ヘリウムなどの熱伝達ガスで充填され、熱伝達ガスは、チャック体上に支持された基板の背面冷却のためにチャック体のリフト・ピン・ホールなどのガス通路を通過する。 - 特許庁

To provide a lift pin mechanism capable of smoothly moving a processing object member to an external standby position and an internal processing position without trouble using a comb-like object support member, despite a structure of supporting the processing object member using movable pins on both ends of a plurality of rotatable rotation rods.例文帳に追加

回転自在な複数の回転ロッドの両端の可動ピンで処理対象部材を支持する構造でありながら、櫛歯状の対象支持部材で処理対象部材を外部待機位置と内部処理位置とに円滑に支障なく移動させることができるリフトピン機構を提供する。 - 特許庁

Because positions of the movable pins 110, 120 supporting the processing object member GB is suitably changed by rotation of the rotation rods 111, 121, the lift pin mechanism 100 can effectively prevent a poor processing caused by the support of the movable pins 110, 120.例文帳に追加

リフトピン機構１００は、回転ロッド１１１，１２１の回動により処理対象部材ＧＢを支持する可動ピン１１０，１２０の位置が適宜変位するので、可動ピン１１０，１２０の支持に起因した処理不良を良好に防止できる。 - 特許庁

The lift pin should favorably be embodied in a double structure consisting of an outer pin and a longer inner pin fitted at the tip with a rotor, wherein the rotor goes out of the outer pin when the inner pin is elevated and the rotor intrudes into the outer pin when the inner pin is sunk.例文帳に追加

リフトピンとして、外側ピンとそれより長くて先端に回転体を組み込んだ内側ピンの二重構造で、内側ピンを上昇させると回転体が外側ピンから出て、内側ピンを下降させると回転体が外側ピンの中に入るような構造のものを使用することが好ましい。 - 特許庁

The susceptor has a through-hole at a periphery of the through-hole for lift pin insertion, and the vapor-phase epitaxy is carried out by placing the semiconductor wafer on the susceptor after the reverse principal surface of the semiconductor wafer with a hydrogen-fluoride-based solution.例文帳に追加

前記サセプタは、上記リフトピン挿通用貫通孔の周囲に貫通孔を有し、前記気相成長を、前記半導体ウェーハの主裏面を弗酸系溶液により洗浄した後、該半導体ウェーハを前記サセプタ上に載置して行う。 - 特許庁

The elastic member influenced by a process gas is disposed outside the flat plate display element manufacturing device to be prevented from corroding, and further not coated with an anticorrosive film to save the cost, and the lift pin and elastic member are placed in individual spaces to be prevented from being rubbed against each other.例文帳に追加

本発明によれば、工程ガスに影響される弾性部材を平板表示素子製造装置の外部に位置させて腐食を防止し、さらに腐蝕防止用皮膜を弾性部材に塗りつけないので、費用を節減し、リフトピンと弾性部材とを個別の空間に備えて相互摩擦することを防止する効果がある。 - 特許庁

The lift pin 3 composed of a semi conductive ceramics for supporting a wafer used in a semiconductor manufacturing device or the like comprises a tip end 5 which contacts with the wafer, a connecting part 6 composed of metal with its diameter larger than that of the rear end face of the tip end 5, and a screw shaped rear end 7 composed of a metal.例文帳に追加

半導体製造装置等に用いられ、ウェハを支持するリフトピン３であって、半導電性セラミックスからなり、ウェハと接触する先端部５と、金属からなり上記先端部５の後端面より径が大きい接続部６と、金属からなりネジ形状をなす後端部７とからなる。 - 特許庁

The guide device 72 is constituted of a pair of leaf springs 72a and 72b piled up and disposed so as to be continued in the vertical direction, and the leaf springs 72a and 72b are formed by an elastically deformable material and thickness for a stroke amount of the lift pin 77 to move between a sinking position and a projecting position.例文帳に追加

ガイド装置７２は、上下方向に連なるように重ねて配置された一対の板ばね７２ａ、７２ｂから構成されており、これら板ばね７２ａ、７２ｂはリフトピン７７が没入位置と突出位置との間を移動するストローク量が弾性変形可能な材料、厚さで形成されている。 - 特許庁

In a plasma etching device 101, a ring body 102 having the high conduction rate higher than that of a material constituting a lower electrode 6 is arranged at a peripheral edge of the through-hole 10 into which the lift pin 11 formed in the lower electrode 6 is inserted.例文帳に追加

本発明のプラズマエッチング装置１０１は、下部電極６に設けられたリフトピン１１を挿通させる挿通孔１０の周縁に、下部電極６を構成する材料よりも高い導電率を有するリング体１０２を配設した。 - 特許庁

Further, the substrate processing apparatus controls the movements of a lift pin lifting mechanism and the nozzle lifting mechanism so as to arrange the substrate 90 at the delivery height position L2 while the slit nozzle 41 moving toward an evacuating position after a coating processing is above the substrate 90.例文帳に追加

また、基板処理装置は、塗布処理後に退避位置へ向けて移動するスリットノズル４１が基板９０の上方にある間に、基板９０を搬送高さ位置Ｌ２に配置するよう、リフトピン昇降機構およびノズル昇降機構の動作を制御する。 - 特許庁

The transportation apparatus for transporting a substrate W1 to the aligner includes a first lift pin 11 for moving the substrate W1 in contact with a temperature adjuster 2 away from the adjuster 2, and a first probe 21 for measuring the amount of static charges on the substrate W1 from a side of the substrate W1 in contact with the adjuster 2.例文帳に追加

露光装置に基板Ｗ１を搬送する搬送装置は、温度調節部２に接する基板Ｗ１を、この温度調節部２から離間するように移動する第１リフトピン１１と、基板Ｗ１の温度調節部２との接面側から基板Ｗ１に帯電した電荷を計測する第１プローブ２１とを備えている。 - 特許庁

Also, in the attracted-object separating method from the electrostatic chuck, there is adopted the method performing a first attracted-object lifting process for lifting once the wafer 10 by raising the electrostatically attracting electrode 11a, and performing thereafter a second attracted-object lifting process for lifting further the wafer 10 by raising the remaining electrode 11b or a lift pin 13.例文帳に追加

また、静電チャックにおける被吸着物離脱方法においては、各静電吸着電極１１ａを上昇させてウエハ１０を一旦持ち上げる第１の被吸着物上昇工程の後、残りの静電吸着電極１１ｂ，１１ａまたはリフトピン１３でウエハ１０をさらに持ち上げる第２の被吸着物上昇工程を行う方法を採用した。 - 特許庁

The lift pin includes: a load member which moves up and down along a passage formed through a chuck for stably settling an object to be processed using a reaction gas; and a head portion provided on the top end of the load member to make contact with the object and shut off the passage to block off the reaction gas from flowing into the passage.例文帳に追加

リフトピンは反応ガスを用いて加工される対象体が安置されるチャックに形成される通路に沿って昇降するロード部、及び前記ロード部の上端に形成され前記対象体と接触し前記通路内部に前記反応ガスの流入を遮断するように前記通路を遮蔽するヘッド部を含む。 - 特許庁

To provide a mechanism for placing a workpiece that can surely prevent a reaction product of a film-forming gas from depositing on the reverse surface of workpiece to thereby enable a lift pin to move always smoothly and can be realized by a simple mechanism at low cost.例文帳に追加

貫通孔２Ｅの内径がリフタピン２Ｂの外径より大きく設定され、両者２Ａ、２Ｃ間大きな隙間があるため、成膜処理時に成膜用ガスがサセプタ２Ａの下面からリフタピン２Ｂと貫通孔２Ｅ間の隙間を通ってウエハＷの裏面に達し、ウエハＷの裏面や貫通孔２Ｅの内周面に成膜用ガスの反応生成物等が堆積し、この堆積物がパーティクルの発生源になったり、リフタピンの動作不良の原因になる。 - 特許庁