「"semiconductor waveguide"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAVEGUIDE ARRAY ELEMENT例文帳に追加

半導体導波路アレイ素子の製造方法 - 特許庁

MANUFACTURE AND STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR WAVEGUIDE ELEMENT例文帳に追加

半導体導波路素子の製造方法及び構造 - 特許庁

OPTICAL FUNCTION DEVICE AND SEMICONDUCTOR WAVEGUIDE例文帳に追加

光機能装置および半導体光導波路 - 特許庁

A semiconductor waveguide 10 and a semiconductor waveguide 11 are formed on the input side and the output side of SOA 9, respectively.例文帳に追加

ＳＯＡ９の入力側および出力側に、半導体導波路１０および半導体導波路１１が形成されている。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR WAVEGUIDE ELEMENT, SEMICONDUCTOR LASER AND ITS FABRICATION PROCESS例文帳に追加

半導体導波路素子及び半導体レーザ及びその作製方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR WAVEGUIDE ELEMENT, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME, AND SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加

半導体導波路素子およびその作製方法ならびに半導体レーザ - 特許庁

To provide a semiconductor waveguide element having large permissible input light power.例文帳に追加

許容入力光パワーの大きい半導体導波路素子を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURE OF OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE, OPTICAL SEMICONDUCTOR, WAVEGUIDE SUBSTRATE AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

光半導体装置の作製方法、光半導体、導波路基板、および光半導体装置 - 特許庁

The semiconductor waveguide 11 has a turning back part 11a which is turned back on the semiconductor substrate 8.例文帳に追加

半導体導波路１１は半導体基板８上で折り返された折り返し部１１ａを有する。 - 特許庁

The semiconductor chip 2 includes a semiconductor waveguide 4 and is mounted on a Si bench 5.例文帳に追加

半導体チップ２は、半導体導波路４を有し、Ｓｉベンチ５上に搭載されている。 - 特許庁

To increase wavelength selectivity and to decrease induction loss during intensity modulation of optical signals at the selected wavelength in a semiconductor waveguide.例文帳に追加

半導体導波路において、波長選択性を高め、選択波長の光信号の強度変調時の誘起損失を小さくする。 - 特許庁

The semiconductor optical device 1a comprises a semiconductor waveguide part 7, a first electrode 9a, a second electrode 11, and a heat transfer layer 13.例文帳に追加

半導体光デバイス１ａは、半導体導波路部７と、第１の電極９ａと、第２の電極１１と、熱伝達層１３を備える。 - 特許庁

The semiconductor waveguide part 7 extends along a predetermined axis provided on a substrate 5 and has a pair of side faces 7a and 7b.例文帳に追加

半導体導波路部７は、基板５上に設けられ所定の軸に沿って伸びており、一対の側面７ａ、７ｂを有する。 - 特許庁

A photomodule is composed of a semiconductor waveguide path type of photoamplifier 101, an end face incidence refraction type of photodiode 102, and a sub-mount 103.例文帳に追加

半導体導波路型光アンプ１０１と端面入射屈折型フォトダイオード１０２とサブマウント１０３で光モジュールを構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor waveguide type photodetecting element which is able to respond fast while securing high external quantum efficiency.例文帳に追加

高外部量子効率を確保しつつ、高速応答が可能な半導体導波路型受光素子を提供する。 - 特許庁

The interference pulse light S6a is subjected to phase shift by a nonlinear semiconductor waveguide 7 by this interference pulse light S6a and is then sent to the delay interference device 9.例文帳に追加

その干渉パルス光Ｓ_6aにより非線形半導体導波路７で干渉パルス光Ｓ_6bを位相シフトさせてから、遅延干渉器９に送る。 - 特許庁

That is, the semiconductor waveguide having an absorption coefficient of certain extent has an optical limiter characteristic by itself.例文帳に追加

即ち、ある程度の吸収係数を持つ半導体導波路は、それ自身で光リミッタ特性を有する。 - 特許庁

The rare earth element-added semiconductor optical amplifier includes a rare earth element-added semiconductor optical waveguide 1, and electrodes 2, 2 for applying a voltage to the semiconductor optical waveguide 1, thereby moving the charge injected in the semiconductor waveguide 1 by applying the voltage to the rare earth element to excite to amplify a signal light propagating through the semiconductor waveguide 1.例文帳に追加

希土類元素添加の半導体光導波部１と、該半導体光導波部１に電圧を印加する電極２、２と、を有し、該電圧印加により該半導体導波部１に注入された電荷を該希土類元素に移動させて励起し該半導体導波部１を伝搬する信号光を増幅することを特徴とする希土類元素添加半導体光増幅器。 - 特許庁

The silicon waveguide 102 being a single crystal semiconductor waveguide is used as a quantum correlated photon pair generation part in the spontaneous four-wave mixing process.例文帳に追加

自然放出四光波混合過程による量子相関光子対発生部として単結晶半導体導波路であるシリコン導波路１０２を用いる。 - 特許庁

To provide a semiconductor waveguide element and a semiconductor laser in which the electrode isolation resistance can be increased by suppressing the impact of reflection wave effected by an isolation trench while maintaining the electrode interval.例文帳に追加

電極間隔を維持しつつ、分離溝による反射波の影響を抑え、電極分離抵抗を増大することができる半導体導波路素子および半導体レーザを提供する。 - 特許庁

Device markers 144 and 143 are formed at the side of a p-side electrode 108 of a semiconductor laser 100 in parallel to the semiconductor waveguide 104 and moreover so that at least the end parts reach the end surface bumping against a quartz base substrate 109.例文帳に追加

半導体レ−ザ１００のｐ側電極１０８側に、素子マ−カ１４４、１４３を、半導体導波路１０４と平行に且つ少なくともその端部が石英系基板１０９に突き当たる端面にまで至るように形成する。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing and a structure of semiconductor waveguide element, wherein an optical circuit can be made with high accuracy in the boundary part between a passive waveguide and an active element, and these can be connected very smoothly and continuously.例文帳に追加

パッシブ導波路とアクティブ素子との境界部において光回路を精度良く作製でき、これらを極めて滑らかにかつ連続的に接続できる半導体導波路素子の製造方法及び構造を提供する。 - 特許庁

Gap adjustment (adjustment of a distance D) between the semiconductor waveguide 4 and the optical waveguide 7 becomes possible, on the basis of the position where the end face 2a of the semiconductor chip 2 is brought into contact with an end face 3a of the PLC chip 3 as a reference position (zero point).例文帳に追加

半導体チップ２の端面２ａをＰＬＣチップ３の端面３ａに接触させた位置を基準位置（ゼロ点）として、半導体導波路４と光導波路７とのギャップ調整（距離Ｄの調整）が可能になる。 - 特許庁

An output pulse light S3 of a delay interference device 3 is subjected to a phase shift by a nonlinear semiconductor waveguide 4 and is then made incident, together with a clock pulse light S10 on a delay interference device 6.例文帳に追加

遅延干渉器３の出力パルス光Ｓ_3を非線形半導体導波路４で位相シフトさせてから、クロックパルス光Ｓ_10と共に遅延干渉器６に入射する。 - 特許庁

The optical transmission device is provided with a semicondudor waveguide region in which a first optical feedback means 108 of a distributed reflection type, a light emitting region and a light absorbing region are integrated, and a second optical feedback means 106 which faces an end surface facing the first optical feedback means 108 in the semiconductor waveguide region and is a different body from the semiconductor waveguide region.例文帳に追加

本願発明は、分布反射型の第１の光帰還手段と発光領域と光吸収領域とを少なくとも集積化されて有する半導体導波路領域と、当該半導体導波路領域の前記第１の光帰還手段に対向する端面に対向して前記半導体導波路領域と別体の第２の光帰還手段とを少なくとも有し、前記光吸収領域において光変調がなされる光伝送装置を、光信号用光源として少なくとも有する光伝送システムである。 - 特許庁

The semiconductor waveguide part 7 has a first conductivity type semiconductor layer 19a and a second conductivity type semiconductor layer 17a, and an active layer 21a provided between.例文帳に追加

半導体導波路部７は、また、第１導電型半導体層１９ａ及び第２導電型半導体層１７ａ、並びに第１導電型半導体層１９ａと第２導電型半導体層１７ａとの間に設けられた活性層２１ａを有する。 - 特許庁

To provide an optical hybrid integrated module and its manufacturing method, and an optical semiconductor device for optical hybrid integration and its mounting substrate by which coupling efficiency between a semiconductor waveguide formed in the optical semiconductor device and an optical waveguide formed in the mounting substrate is stabilized.例文帳に追加

光半導体素子に形成した半導体導波路と実装基板に形成した光導波路との結合効率を安定させた光ハイブリッド集積モジュ−ル及びその製造方法並びに光ハイブリッド集積用光半導体素子及びその実装基板を提供する。 - 特許庁

An optical limiter circuit comprises: an input waveguide 107, a semiconductor waveguide 108 with an enhanced absorption coefficient; and an output waveguide 109, which has an optical fuse function for protecting following optical circuits when input power exceeds several hundred mW.例文帳に追加

本回路は、入力導波路１０７、吸収係数を高くした半導体導波路１０８、出力導波路１０９からなり、入力パワが数百ｍＷ以上になる場合、後段の光回路を保護するための光ヒューズ機能を有する光リミッタである。 - 特許庁

Those optical circuits are composed of a semiconductor waveguide (for example, silicon Si, indium phosphate InP, gallium arsenide GaAs, etc.), and defect increasing processing by impurity doping, low-temperature growth, ion implantation, etc., is performed on the first arm waveguide 103 to increase the absorption coefficient of the first arm waveguide 103.例文帳に追加

これらの光回路を半導体導波路（例えばシリコンＳｉ、リン化インジウムＩｎＰ、ヒ素化ガリウムＧａＡｓ等）で構成し、第１アーム導波路１０３に不純物ドーピング、低温成長やイオン注入等による欠陥増大を行うことによって第１アーム導波路１０３における吸収係数を高める。 - 特許庁