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該当件数 : 630



例文

The obtained graphite powder is highly crystalline with <3.360 Å d002 and ≥350 Å thickness of crystallite.例文帳に追加

この黒鉛粉末は、d002 が3.360 Åより小さく、結晶子の厚みが350 Å以上の高結晶性である。 - 特許庁

In the expression, n is a thickness of the organic layer.例文帳に追加

400[Å]≦L≦n×3[Å](ただし、nは、有機層の厚さを示す。) - 特許庁

The hydroxyapatite powder preferably consists of crystallites having the sizes controlled to be larger than 200 Å, preferably larger than 400 Å, and further preferably larger than 600 Å.例文帳に追加

ヒドロキシアパタイト粉末は、結晶子サイズが200 Å超え、好ましくは400 Å超え、より好ましくは600 Å以上と、結晶子サイズを制御された結晶子からなるヒドロキシアパタイト粉末とすることが好ましい。 - 特許庁

Thickness of the metal oxide film 3 is desirable to be 1 Å to 100 Å, more desirable to be 5 Å or more and 20 Å or less, and still more desirable to be about 10 Å.例文帳に追加

酸化金属膜3の膜厚は、1Å〜100Åであることが好ましく、5Å以上20Å以下であることがより好ましく、ほぼ10Åであることがさらに好ましい。 - 特許庁

The crystal of the 30S subunit has a tetragonal space group P4_12_12 with unit cell dimensions of a=401.375 Å, b=401.375 Å and c=175.887 Å.例文帳に追加

a=401.375Å、b=401.375Å、c=175.887Åの単位格子サイズをもつ正方晶系の空間群P4_12_12を有する30Sサブユニットの結晶。 - 特許庁

A lattice constant of silicon is 5.4309 Å, and a lattice constant of BaO is 5.5263 Å.例文帳に追加

シリコンの格子定数は5.4309Åであり、BaOの格子定数は5.5263Åである。 - 特許庁

An average film thickness of the first insertion layer 4a2 is larger than 3 Å and ≤6 Å.例文帳に追加

前記第1挿入層4a2の平均膜厚は3Åよりも大きく6Å以下である。 - 特許庁

The nickel film is formed to have a film thickness of ≥50 Å and ≤150 Å.例文帳に追加

ニッケル膜は50Å以上150Å以下の膜厚に形成する。 - 特許庁

Then, a surface space on a surface (001) of fluorocarbon is 7.0 Å or larger and 7.5 Å or smaller.例文帳に追加

そしてフッ化炭素の(001)面の面間隔が7.0Å以上、7.5Å以下である。 - 特許庁

The cap film is formed to have a film thickness of ≥50 Å and ≤450 Å.例文帳に追加

キャップ膜は50Å以上450Å以下の膜厚に形成する。 - 特許庁

The solution 7 includes a substance having sedative action which has a molecular volume of Å^3.例文帳に追加

溶液7中にÅ^3の分子体積を有する鎮静作用のある物質を含んでいる。 - 特許庁

The HC adsorbent is constituted of a mixture of zeolite having ≥3.5 Å to <6 Å fine pore short diameter and no ≥6 Å to <10 Å fine pore short diameter with zeolite having ≥7 Å to <10 Å fine pore short diameter and no ≥6 Å to <7 Å fine pore short diameter.例文帳に追加

HC吸着剤は,3.5Å以上6Å未満の細孔短径を有し且つ6Å以上7Å未満の細孔短径を有しないゼオライトと,7Å以上10Å未満の細孔短径を有し且つ6Å以上7Å未満の細孔短径を有しないゼオライトとの混合体より構成される。 - 特許庁

The nonmagnetic metal layer 4a2 has an average thickness not smaller than 1 Å and not larger than 5 Å.例文帳に追加

前記非磁性金属層4a2の平均膜厚は1Å以上で5Å以下である。 - 特許庁

The free layer 2 has a thickness of 125 Å, while the pinned layer 4 has a thickness of 30 Å.例文帳に追加

また、フリー層2の厚さが125Å、ピンド層4の厚さが30Åである。 - 特許庁

An interlayer 18 of thickness between 5 Å and 70 Å is arranged on a first surface of a copper layer 12.例文帳に追加

5Åと70Åの間の厚さの中間層18を銅層12の第一の面に配置する。 - 特許庁

The film thickness of the 1st electrode 50 is made to 100 Å or less, or approximately 750 Å-1,250 Å.例文帳に追加

第1電極50の膜厚は100Å以下、又は750Å〜1250Å程度とする。 - 特許庁

The thickness of the BM 32 is as thin as 1500 Å.例文帳に追加

本例のBM32の膜厚は1500オングストロームと薄い。 - 特許庁

The oxidized portion has a thickness in a range of about 5 to 25 Å.例文帳に追加

酸化部分は、厚さが約5〜25Åの範囲である。 - 特許庁

To provide an abrasive composition that can be adjusted to polish an object to be polished by an optimum amount by only adjusting the polishing rate of SiO_2 to 100-500 (Å/min), while maintaining the polishing rate of Ta at ≥1,000 (Å/min).例文帳に追加

Taの研磨レートを1000(Å/min)以上で維持しつつSiO_2の研磨レートのみを100〜500(Å/min)の範囲で最適な量だけ研磨できるように調整することができる研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

The curved surface and the end surface of the substrate have surface roughness in the range of 4.0 Å≤Ra≤100 Å, preferably 4.0 Å≤Ra≤50 Å as measured by means of the AFM.例文帳に追加

さらに、この曲面や基板端面の表面粗さもAFMで4.0Å≦Ra≦100Å、好ましくは4.0Å≦Ra≦50Åとする。 - 特許庁

A level difference h1 of a board 1 is about 3,000 Å.例文帳に追加

基板1の段差h1は約3000Åである。 - 特許庁

Additionally, in the organic electroluminescent element having one or more of organic layer between the positive and negative electrode, the organic electroluminescent element has 2000 Å or more of a thickness of the organic layer and a thickness of the negative electrode satisfies conditions expressed by an expression 400 [Å]≤L≤n×3 [Å].例文帳に追加

400[Å]≦L≦n×0.8[Å](ただし、nは、有機層の厚さを示す。)また、陰極と陽極との間に1層以上の有機層を有する有機EL素子において、有機層の厚さが2000Å以上であり、かつ、陰極の厚さL[Å]が下記の式で示される条件を満たす有機EL素子とする。 - 特許庁

The first tunneling insulating film 210 and second tunneling insulating film 260 are each formed of a metal oxide film having a thickness of 5 Å to 20 Å, and employing a several tens nanometer-sized storage and an insulating film of several Å to several tens Å in thickness may facilitate multi-bit storage and high integration and furthermore may achieve high operation speed and reduction of power consumption.例文帳に追加

第1トンネリング絶縁膜210及び第2トンネリング絶縁膜260は、5Åないし20Åの厚さを有する金属酸化膜から形成され、数十ナノサイズのストレージと数Åないし数十Åの厚さを有する絶縁膜を使用することによって、マルチビットの保存及び高集積が容易であり、高速動作速度及び低消費電力を実現することができる。 - 特許庁

Further, the alumina layer contains alumina having a fine pore diameter of 90 to 110 Å and alumina having a fine pore diameter 160 to 260 Å.例文帳に追加

平均細孔径90〜110Åのアルミナと平均細孔径160〜260Åのアルミナを含有する。 - 特許庁

Preferably, the surface spacing is of a (110) surface of the electrolytic manganese dioxide is 4.00 Å to 4.06 Å.例文帳に追加

電解二酸化マンガンの(110)面の面間隔が4.00Å以上4.06Å以下であることが好ましい。 - 特許庁

Zeolite includes minute holes with a diameter of not less than 2.5 Å and not more than 3.0 Å by not less than 50%.例文帳に追加

また、前記ゼオライトは、直径が2.5Å以上、かつ、3.0Å以下の細孔を、50%以上含む。 - 特許庁

The graphite powder having a spacing of (002) planes in c axis determined by a lattice constant precision measuring method from X-ray diffraction pattern of 3.368 Å or less is preferably used.例文帳に追加

黒鉛粉末は、X線回折図から格子定数精密測定法で求めたc軸(002) 面格子間隔の値が3.368 Å以下であるのが好ましい。 - 特許庁

When the oil tempered wire is nitrided, the nitrided layer formed on the surface of the wire has a lattice constant between 2.870 Å and 2.890 Å.例文帳に追加

このオイルテンパー線に窒化処理を行った場合、線表面部に形成される窒化層の格子定数が2.870Å以上、2.890Å以下となる。 - 特許庁

The electron injection layer consists of a display pattern part of the thickness of 30 to 50 Å and the other part of the thickness of 2 to 10 Å.例文帳に追加

この素子では、電子注入層を、厚さ30〜50Åの表示パターン部と、厚さ2〜10Åのその他の部分により形成する。 - 特許庁

The ZnO film was formed after forming a Cr 400 Å+ gold electrode 2,000 Å on the surface of the quartz-based optical fiber 102.例文帳に追加

ZnO膜は、石英系光導波路102表面にCr400Å+金電極2000Åを形成した上に作製した。 - 特許庁

It is preferable that an etching rate of the aluminum alloy using the developer is 5 Å/sec to 40 Å/sec.例文帳に追加

このアルミニウム系合金は、現像液によるエッチングレートが5Å/秒〜40Å/秒であることが好ましい。 - 特許庁

The X-ray diffraction pattern (spacing of lattice plane, d/Å) 12.4±0.8, 10.8±0.3, 9.0±0.3, 6.0±0.3, 3.9±0.1, 3.4±0.1.例文帳に追加

X線回折パターン(格子面間隔d/Å)12.4±0.810.8±0.39.0 ±0.36.0 ±0.33.9 ±0.13.4 ±0.1 - 特許庁

The cavities have a pore shape whose opening diameter and inside diameter are several Å, and Cu atoms, O atoms and N atoms are exposed to the inner surfaces of the cavities.例文帳に追加

この空洞は、開口径及び内径が数Åの孔形状であり、その内面にはCu原子、O原子、N原子が露呈する。 - 特許庁

More preferably, the crystalline diameter is 550-650 Å and the a axis length of lattice constant is 8.200-8.215 Å.例文帳に追加

結晶子径が550Å以上650Å以下、格子定数のa軸長が8.200Å以上8.215Å以下であることがさらに好ましい。 - 特許庁

In a first embodiment, the final physical thickness is less than 20 Å exceeding the initial physical thickness by less than 5 Å.例文帳に追加

一実施形態で、最終物理厚は初期物理厚を5オングストローム未満だけ上回って、20オングストローム未満になる。 - 特許庁

In this case, it is preferable that a crystallite diameter in (110) vector direction of the positive electrode active material is 900 Å or more and 1,100 Å or less.例文帳に追加

この場合、正極活物質の(110)ベクトル方向の結晶子径が900Å以上、1100Å以下であるのが望ましい。 - 特許庁

A thickness of the strip-shaped insulator 1 is set to approximately several μm, and a thickness of the strip-shaped conductor 2 is set to approximately from several thousands to several hundreds of Å.例文帳に追加

帯状絶縁体1の厚さは、数μm程度、また、帯状導電体2の厚さは、数千〜数百Å程度とする。 - 特許庁

The thin metal film 2a is a thin copper film having, for example, a film thickness of about 60 Å or more and about 100 Å or less.例文帳に追加

金属薄膜2aは、例えば膜厚が約60Å以上、約100Å以下の銅薄膜である。 - 特許庁

In the crystal of chitin-bing domain, the unit cell constant satisfies the equations: a=b=48.8 Å and c=85.0 Å.例文帳に追加

キチン結合ドメインの結晶であって、単位格子定数が、a=b=48.8Å、c=85.0Åであるキチン結合ドメインの結晶。 - 特許庁

The particle size of the core is in the range of about 2 nm (20 Å) to about 12.5 nm (125 Å), with a deviation of less than 10% in the core.例文帳に追加

コアの粒子サイズは、約2nm(20Å)〜約12.5nm(125Å)の範囲であり、コアにおいて10%未満の偏差を持つ。 - 特許庁

It is preferable that the film thickness of the non-catalyst metallic layer 2 is from 50 Å or more to 400 Å or less.例文帳に追加

非触媒金属層2の膜厚は50Å以上400Å以下であることが好ましい。 - 特許庁

The rock salt type lithium ferrite has a lattice constant of 4.158 Å.例文帳に追加

格子定数が4.158Åである、岩塩型リチウムフェライト。 - 特許庁

The lattice constant of the crystal structure is 8.380 to 8.410 Å.例文帳に追加

結晶構造の格子定数は8.380〜8.410Åである。 - 特許庁

The wavelength of plasma emission light is set, for instance, in the range of 500 to 600 Å.例文帳に追加

プラズマ発光波長としては、例えば、500〜600Åとする。 - 特許庁

The adsorption heat exchanger adopts a porous body integral type heat transfer face having an abundance of heat transfer performance obtained by forming a porous membrane composed of pores with a diameter of several Å to several hundred Å on a surface of metal such as aluminum.例文帳に追加

アルミニウムなどの金属表面に直径が数Åから数百Å以下の細孔から構成される細孔膜を作製して得られる伝熱性能に富んだ多孔質体一体型伝熱面を採用する吸着熱交換器である。 - 特許庁

The formed dielectric regions 9 have thickness of 1 to 10 Å.例文帳に追加

形成された誘電体領域9は、1〜10Åの厚さを有する。 - 特許庁

This method for purifying the tetrafluoromethane, characterized by bringing the tetrafluoromethane containing ethylene compounds, hydrocarbon compounds, carbon monoxide and/or carbon dioxide into contact with a zeolite having an average fine pore diameter of 3.4 Å to 11 Å and/or a carboneceous adsorbent having an average fine pore diameter of 3.4 Å to 11 Å.例文帳に追加

エチレン化合物類、炭化水素化合物類、一酸化炭素及び/または二酸化炭素を含有するテトラフルオロメタンを、平均細孔径が3.4Å〜11Åであるゼオライト及び/または平均細孔径が3.4Å〜11Åである炭素質吸着剤と接触させる。 - 特許庁

The molecular sieves have a largest minor crystallographic free diameter of 3.6 Å or less.例文帳に追加

分子篩は3.6Å以下の最大結晶学的自由短径を有する。 - 特許庁

As an emission layer, a layer whose film thickness is 5-500 Å is used (3).例文帳に追加

[3]発光層として、その膜厚が5〜500Åである層を用いる。 - 特許庁

例文

The average fine pore diameter of the moisture absorbent is particularly 50-300 Å.例文帳に追加

特に、吸湿剤の平均細孔径は、50〜300Åの範囲である。 - 特許庁


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