「威圧」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

An SiO2 film 3 of 100 Å or more thickness is formed on an Si substrate 2 by thermal oxidation, and a ZnO film 4 is c-axis-orientated thereon.例文帳に追加

Ｓｉ基板２の上に熱酸化によりＳｉＯ_2膜３を１００Å以上の厚みに形成し、その上にＺｎＯ膜４をｃ軸配向させる。 - 特許庁

When a plurality of bond distances fall within 2.0-3.5 Å, σ^2 of a bond with the largest coordination number is set.例文帳に追加

但し、２．０〜３．５Åの範囲に複数の結合距離がある場合は、配位数の一番大きな結合のσ^２のとする。 - 特許庁

Furthermore, on the first platinum layer 81, a second platinum layer 82 is deposited, for example, by sputtering method at 250-500°C to 250-500 Å.例文帳に追加

更に第１白金層８１上に第２白金層８２を例えばスパッタリング法で２５０〜５００℃にて２５０〜５００オングストローム堆積する。 - 特許庁

The thickness of this film is about 30 to 500 Å, and the contact angle of this film surface to water is about ≤25°.例文帳に追加

このフィルムの厚さは約３０Å〜約５００Åであり、このフィルムの表面の水に対する接触角は約２５°以下である。 - 特許庁

The dub-off (Dub Off) in the outside chamfered surface is 120 Å or smaller in the radial direction.例文帳に追加

該ガラス基板において、半径方向で外周のチャンファー面におけるダブオフ（Dub Off）が１２０Å以下である。 - 特許庁

The oxygen content of the oxide film 3 at the surface is not lower than 3 atm% and the thickness is not larger than 50 Å.例文帳に追加

酸化膜３の表面酸化濃度は３原子％以上であり、その厚さは５０Å以下である。 - 特許庁

The activated charcoal has a pore diameter of 500 Å or larger and a pore volume of 0.1 mL/g or more.例文帳に追加

該活性炭は細孔直径５００Å以上の細孔容積が０．１ｍＬ／ｇ以上の活性炭。 - 特許庁

Lattice constant of contained RuO_2 on the a-axis and b-axis is between 4.4919-4.5000 Å.例文帳に追加

含まれるＲｕＯ_2のａ軸及びｂ軸の格子定数が、４．４９１９Åより大であり、４．５０００Å以下である。 - 特許庁

The cavity has a shape of a hole with an aperture diameter and an inner diameter of several angstroms, and a Cu atom, an O atom, and an N atom are exposed on the inner surface thereof.例文帳に追加

この空洞は、開口径及び内径が数Åの孔形状であり、その内面にはＣｕ原子、Ｏ原子、Ｎ原子が露呈する。 - 特許庁

On an intermediate layer 104, an MQW active layer 160, of about 500 Å thickness is formed of a total of five semiconductor layers.例文帳に追加

中間層１０４の上には、計５層の半導体層により厚さ約５００ÅのＭＱＷ活性層１６０が形成されている。 - 特許庁

The average pore diameter of the zeolite is 3-5 Å, and the average particle diameter of the conductive particles is larger than the average particle diameter of the zeolite.例文帳に追加

該ゼオライトの平均細孔径は3〜5オングストロームであり、導電性粒子の平均粒子径はゼオライトの平均粒子径よりも大きい。 - 特許庁

The negative electrode has iron oxide powder as a negative electrode active material, and the crystallite size of the iron oxide powder is 660 Å or less.例文帳に追加

負極は、負極活物質として鉄酸化物粉末を有しており、該鉄酸化物粉末の結晶子サイズが６６０Å以下である。 - 特許庁

The select gate transistors and the floating gate memory transistors have an oxide thickness of 85 to 105 Å.例文帳に追加

選択ゲート・トランジスタと浮遊ゲート・メモリ・トランジスタは、８５Å〜１０５Åの厚さの酸化物を有する。 - 特許庁

Since the protective film 3 is thick having a thickness of 100 Å or higher, wear resistance is improved by a corresponding amount.例文帳に追加

保護膜３は 100オングストローム以上で厚くなっているので、その分、耐摩耗性の向上を図ることができる。 - 特許庁

In order to make a level difference of the opening part 4 into 500 Å or less, the opening part 4 is filled up with transparent resin materials, and a transparent resin film 13 is formed.例文帳に追加

開口部４の段差を５００Å以下にすべく、この開口部４に透明樹脂材を充填し、透明樹脂膜１３と成す。 - 特許庁

In this case, a suitable thickness of the protective layer is in the range of 1,000 to about 10,000 Åor preferably about 3,000 to about 7,000 Å.例文帳に追加

保護層の適当な厚さは約１０００Å〜約１００００Åであり、約３０００Å〜約７０００Åであることが好ましい。 - 特許庁

In addition, the size of crystallite in the face (440) in the powder material is preferably 80-200 Å.例文帳に追加

また、前記粉末材料中の（４４０）面の結晶子の大きさが８０〜２００Åであることが好ましい。 - 特許庁

A first time of thermal oxidation treatment is carried out to form a first gate-oxide-film 107 (film thickness of 45 Å) in regions A, B respectively.例文帳に追加

１回目の熱酸化処理を行い，領域Ａ，Ｂそれぞれに第１ゲート酸化膜１０７（膜厚４５Å）を形成する。 - 特許庁

Moreover, the 1st dielectric film 8 is made of a dielectric material whose major component is silicon oxide, and the thickness is selected to be 100 Å-1000 Å.例文帳に追加

また、第１の誘電体膜８は、酸化シリコンを主成分とする誘電体からなり、厚さが１００Åから１０００Åである。 - 特許庁

The barium titanate powder has a particle diameter of ≤0.1μm, a crystal structure of a cubic system and a lattice constant of ≥4.020 Å, wherein a very small amount of semiconducting material is solid-soluble.例文帳に追加

このような方法で得られたチタン酸バリウム系半導体磁器は、平均磁器粒径が０．９μｍ以下となる。 - 特許庁

A ratio of the Vmso to the pore volume Vmic of the activated carbon having a pore size less than 20 Å (Vmso/Vmic) is ≥15%.例文帳に追加

さらに、細孔径２０Å以下の細孔容積ＶｍｉｃとＶｍｓｏとの比（Ｖｍｓｏ／Ｖｍｉｃ）が１５％以上であることを特徴とする。 - 特許庁

An insulating film, such as a silicon nitride film, is formed on a resistance element formed of a thin-film material having a thickness of 500 Å or less.例文帳に追加

５００Å以下に薄膜化した薄膜材料からなる抵抗素子の上にシリコン窒化膜などの絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The conductive thin film 12 is provided on peripherals and the rear surface of the recording and reproducing surface of the dielectric material 11 with thickness of about 1000 to 2000 Å.例文帳に追加

導電薄膜１２は誘電体材料１１の記録再生面の周囲及び裏面に１０００〜２０００Å程度の厚さで設けられる。 - 特許庁

Preferably, the thickness of the low dielectric constant layers is 10 to 1,000 Å.例文帳に追加

好ましくは、該低誘電率層の厚みは、１０Å以上１０００Å以下であることを特徴とする。 - 特許庁

In the copper foil, an oxide film having a thickness range of 50 Å-350 Å is formed on a surface, contacting the bumps and the insulating layer.例文帳に追加

銅箔は、バンプ及び絶縁層と接する面に厚さ５０Å〜３５０Åの酸化膜が形成されている。 - 特許庁

On the High-k film 412, an extremely thin silicon nitride film 413 of 10 Å or less is further formed by an ALD (atomic layer deposition) method or the like.例文帳に追加

このＨｉｇｈ−ｋ膜４１２上にＡＬＤ法などにより１０Å以下の極薄のシリコン窒化膜４１３を形成する。 - 特許庁

An insulating SiO2 film 2 is formed as thick as 1000 Å on the surface or a reinforced glass board 1 (a).例文帳に追加

強化ガラス板１の表面に絶縁膜としてのＳｉＯ_2 膜２（厚さ：１０００Å）を形成する（ａ）。 - 特許庁

To form a semiconductor substrate comprising an SiGe film which has a thickness exceeding 3,000 Å and is significantly reduced in strain.例文帳に追加

３０００Åを超える厚さを有する著しく歪み緩和されたＳｉＧｅ膜を有する半導体基板を形成する。 - 特許庁

An Ag layer 4b having a high reflectance in the whole range of visible light with a thickness of 3,000 Å or more is then formed on it by vacuum deposition or the like.例文帳に追加

その上に可視光の全域で反射率の高いＡｇ層４ｂを真空蒸着法等により３０００オングストローム以上膜成する。 - 特許庁

Further, the nanowire includes a single-crystal nanowire core covered with an amorphous layer having a thickness of less than 10 Å.例文帳に追加

さらに、ナノワイヤは１０Å未満の厚さを有するアモルファス層で覆われた単結晶ナノワイヤコアを備える。 - 特許庁

On top of this, an intermediate layer 14 of film thickness of about 3,000 Å comprising non-doped InxGa1-xN (0<x<1) is formed.例文帳に追加

この高キャリア濃度ｎ^+ 層１３の上には、ノンドープのIn_x Ga_1-X N (0<x<1) から成る膜厚約３０００Åの中間層１４が形成されている。 - 特許庁

A season layer having a thickness of at least 5,000 Å is deposited at one point using the high-density plasma.例文帳に追加

少なくとも５０００Åの厚さを有するシーズン層が該高密度プラズマを使用してあるポイントに堆積される。 - 特許庁

In (3), the compound semiconductor used for the light emitting element having a layer thickness of the light emitting layer over 5Å and below 500 Å described (1) or (2) is provided.例文帳に追加

〔３〕発光層の層厚が５Å以上５００Å以下である〔１〕又は〔２〕記載の発光素子用化合物半導体。 - 特許庁

The upper hard mask layer 20 is a sacrifice layer of about 200 Å thick, which is preferably made of high-melting-point nitride.例文帳に追加

上部ハードマスク層２０は約２００Åの厚さを有する犠牲層であり、好ましくは高融点ナイトライドで形成される。 - 特許庁

In addition, when the deposited membrane 3 has a thickness of 1500 Å or more, it is possible to secure a sufficient corrosion resistance.例文帳に追加

また、蒸着膜３は１５００Å以上の厚みを有していれば、十分な耐蝕性を確保することができる。 - 特許庁

A semitransmissive liquid crystal display element is obtained by making the film thickness of the metal film 100-400 Å.例文帳に追加

また、金属膜の膜厚を１００〜４００オングストロームにすることにより半透過型の液晶表示素子となる。 - 特許庁

A silica porous material having only meso-pores with a diameter 10-50 Å as pores is used as a carrier and a noble metal is supported at least on meso-pores.例文帳に追加

細孔として径が10〜50Åのメソ細孔のみを有するシリカ多孔質体を担体とし、少なくともメソ細孔内に貴金属が担持されている。 - 特許庁

The porous body is characterized in that a film of heat-resistant inorganic oxide fine particles with an average particle size is ≤10 nm is controlled to ≤3 Å in its average pore size.例文帳に追加

平均粒子径が１０ｎｍ以下の耐熱性無機酸化物微粒子の皮膜が、平均細孔径を３Å以下に制御した多孔体。 - 特許庁

Further, by vacuum deposition, a negative electrode 50 made of LiF/Al is formed at the prescribed place with a thickness of 1,000 Å.例文帳に追加

更に、真空蒸着により、ＬｉＦ／Ａｌから成る陰極５０を、所定の場所に１０００Åの厚みで形成した。 - 特許庁

Then, LiF/Al is vaporized at a thickness of 1,000 Å by vacuum vapor deposition and the negative electrode 11e is made.例文帳に追加

その後、マスク真空蒸着により、ＬｉＦ／Ａｌを１０００Åの厚みで蒸着し、陰極１１ｅとした。 - 特許庁

The size of a crystallite measured by a Hall method from the integration width of each diffraction peak acquired from an X-ray diffraction pattern is larger than 600 Å and less than 800 Å in the cathode active substance for the lithium secondary battery.例文帳に追加

前記正極活物質において、Ｘ線回折パタ−ンから得られる各回折ピ−クの積分幅からＨａｌｌ法によって測定した結晶子の大きさが600Åより大きく、800Å未満であることを特徴とするリチウム二次電池用正極活物質である。 - 特許庁

The negative electrode for the lithium secondary battery contains a base material, having an average surface roughness of 30 Å to 4,000 Å and a lithium layer coated on the base material.例文帳に追加

本発明はリチウム二次電池用負極及びこれを含むリチウム二次電池に関するものであり、前記リチウム二次電池用負極は、平均表面粗度が３０Å乃至４０００Åである基材；及び前記基材上にコーティングされたリチウム層；を含む。 - 特許庁

A black matrix layer consisting of the first layer of an aluminum alloy film 211 containing neodymium of thickness 500 Å as high reflectivity layer and the second layer of chromium film 212 of thickness 500 Å as light shielding film is formed on a glass substrate 3.例文帳に追加

ガラス基板３上に第１層が高反射率層としての膜厚５００Åのネオジムを含むアルミニウム合金膜２１１、第２層が遮光膜としての膜厚５００Åのクロム膜２１２からなるブラックマトリックス層が形成されている。 - 特許庁

Using barium titanate strontium, for example, an oxide dielectrics film 7 of 300-600 Å is formed, over which a first platinum layer 81 is deposited, for example, by a sputtering method at 250°C or lower to 250-500 Å.例文帳に追加

チタン酸バリウムストロンチウムを用いて例えば３００〜６００オングストロームの酸化物誘電体膜７を形成し、その上に第１白金層８１を例えばスパッタリング法で２５０℃以下にて２５０〜５００オングストローム堆積する。 - 特許庁

In this catalyst for manufacturing acrylic acid, the ratio of peak intensity measured by X-ray diffraction analysis at d=4.38 Å (d4.38) to peak intensity at d=4.00 Å (d4.00) is less than 0.07.例文帳に追加

触媒のＸ線回折分析によって測定したｄ＝４．３８オングストロームにおけるピーク強度（ｄ４．３８）とｄ＝４．００オングストロームにおけるピーク強度（ｄ４．００）との比（ｄ４．３８／ｄ４．００）が０．０７未満であるアクリル酸製造用触媒。 - 特許庁