「帰宅 n」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

On top of this, an intermediate layer 14 of film thickness of about 3,000 Å comprising non-doped InxGa1-xN (0<x<1) is formed.例文帳に追加

この高キャリア濃度ｎ^+ 層１３の上には、ノンドープのIn_x Ga_1-X N (0<x<1) から成る膜厚約３０００Åの中間層１４が形成されている。 - 特許庁

The dimensional value of the bond bar of the single bond of 1 in the bond order is specified to the bond distance L_1=0.7 Å of the hydrogen molecule and the relation between the dimensional value L_n of the bond bar in the bond order n and the bond order n is expressed by Equation 1.例文帳に追加

また、結合次数が１である単結合の結合棒の寸法値を水素分子の結合距離Ｌ_１＝0.7Åとし、結合次数ｎにおける結合棒の寸法値Ｌ_ｎと結合次数ｎとの関係を式１で表現する。 - 特許庁

A passive film containing one or more kinds of a nitride of Nb, Al, Zr, V, and B, having an atomic ratio N/O of N and O of 0.2 or more and a film thickness of 1000 Å or less is formed on the surface of stainless steel base material.例文帳に追加

Ｎｂ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｖ，Ｂの窒化物の一種又は二種以上とＴｉの窒化物とを含み、Ｎ，Ｏの原子比Ｎ／Ｏが0.2以上，膜厚：1000Å以下で導電性に優れた不動態皮膜がステンレス鋼基材の表面に形成されている。 - 特許庁

The objective porous complex is synthesized from a copper ion and trimesic acids, the objective, has a chemically structural formula of [Cu3(C9H3O6)2]n as a basic unit and has substantially the main face interval d=7.60 Å substantially according to the powder X-ray diffraction.例文帳に追加

銅イオンとトリメシン酸類とから合成される錯体であって、[Cu_3(C_9H_3O_6)_2]_n を基本単位とする構造式を有し、かつ粉末Ｘ線回折におけるメインの面間隔ｄが実質的に7.60Åである多孔質錯体である。 - 特許庁

The friction material includes a thermoplastic resin having a polymer chain structure, wherein a density (N_chain) of the polymer chains is ≥6 and a persistence length (l_p) of the polymer chains is ≥75 Å.例文帳に追加

ポリマー鎖構造を有する熱可塑性樹脂を有する摩擦材であって、前記ポリマー鎖の密度（Ｎ_ｃｈａｉｎ）が６以上であり、且つ、前記ポリマー鎖の持続長（ｌ_ｐ）が７５Å以上であることを特徴とする、摩擦材。 - 特許庁

Circular trenches T1-Tn of width S, depth (d), and spacing (w) are made at the topside of a semiconductor substrate of two layers of n+ and n, a silicon oxide film 8 of 7,000 Å or over is grown therein, and further is filled with polysilicon 10.例文帳に追加

ｎ^＋とｎの２層半導体基板上面に巾Ｓ深さｄ間間ｗの環状トレンチＴ_１〜Ｔ_ｎを形成し、その内部に７０００Å以上の膜厚のシリコン酸化膜８を成膜し、更にポリシリコン１０を充填する。 - 特許庁

By this method, a solar cell satisfying a single p-i-n junction having a single-intrinsic amorphous silicon layer having a thickness of 800 to 2,200 Å and having an open circuit voltage of a range from 0.887 V to 0.986 V and a fill factor of a range from 0.645 to 0.74 is manufactured.例文帳に追加

本方法により８００〜２２００Åの厚みの単−真性アモルファスシリコン層を有する単ｐ−ｉ−ｎ接合を具備し、０．８８７V〜０．９８６Vの範囲の開放電圧及び０．６４５〜０．７４の範囲の曲線因子を有する太陽電池を作製する。 - 特許庁

The coating layer 3 is an amorphous carbon film formed on the coating layer 2 by a plasma CVD from a starting raw material containing a carbon compound, and has a thickness of 10-300 Å and a surface tension of ≤55×10^-3 N/m.例文帳に追加

被覆層３は、炭素化合物を含む出発原料からプラズマＣＶＤにより被覆層２上に形成されたアモルファスカーボン被膜であって１０〜３００オングストロームの厚さと５５×１０^−３Ｎ／ｍ以下の表面張力とを備える。 - 特許庁

The crude polyoxyalkylene polyol is produced by using a compound having P=N bond as the catalyst and carrying out an addition polymerization of an active hydrogen compound with an epoxide compound and then brought into contact with a solid acid having 450-1,200 m2/g specific surface area and 40-1,000 Å mean pore diameter to control the remaining content of the catalyst in the polyoxyalkylene polyol to ≤150 ppm.例文帳に追加

Ｐ＝Ｎ結合を有する化合物を触媒として、活性水素化合物にエポキサイド化合物を付加重合して粗製ポリオキシアルキレンポリオールを製造し、次いで、粗製ポリオキシアルキレンポリオールと、比表面積が４５０〜１２００ｍ^2／ｇ、平均細孔直径が４０〜１００Åである固体酸とを接触させ、ポリオキシアルキレンポリオール中の触媒残存量を１５０ｐｐｍ以下に制御することを特徴とするポリオキシアルキレンポリオールの製造方法、及び、該ポリオール誘導体の製造方法。 - 特許庁