「しょうえいちょう３ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

慶長3年（1598年）8月、秀吉が死去すると、三成ら文治派との対立路線から五大老の徳川家康に接近し、家康の養女（保科正直の娘）を正室に迎えた。例文帳に追加

In September 1598, upon the death of Hideyoshi, he followed his opposition policy against the Bunchi faction including Mitsunari and approached Ieyasu TOKUGAWA, one of Council of Five Elders, and married the adopted daughter of Ieyasu (daughter of Masanao HOSHINA).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ＧａＮ系半導体層２３の酸素濃度が５×１０^１６ｃｍ^−３以上であるとき、ＧａＮ系半導体層２３の主面上に引き続き成長される活性層１７の結晶品質が良好になる。例文帳に追加

When the oxygen concentration of the GaN-based semiconductor layer 23 is ≥5×10^16 cm^-3, crystal quality of the active layer 17 which is continuously grown on the principal surface of the GaN-based semiconductor layer 23 becomes excellent. - 特許庁

ＧａＮ系半導体層２３の酸素濃度が５×１０^１６ｃｍ^−３以上であるとき、ＧａＮ系半導体層２３の主面上に引き続き成長される活性層１７の結晶品質が良好になる。例文帳に追加

When an oxygen concentration of a GaN-based semiconductor layer 23 is 5×10^16 cm^-3 or more, the crystal quality of the active layer 17 that continues to grow on the principal surface of the GaN-based semiconductor layer 23 is good. - 特許庁

気相成長により成膜が行われる反応管３と、上記反応管３にガスを供給するガス供給管７とを備え、上記ガス供給管７には、上記反応管３をベーキングするための加熱手段１２が設けられている。例文帳に追加

The vapor phase growing apparatus comprises the reaction tube 3 for forming a film by a vapor phase growth, and a gas supply tube 7 for supplying a gas to the tube 3 and having a heating means 12 for baking the tube 3. - 特許庁

第 3 節では、経済活動のグローバル化が進み、企業が国を選ぶ時代にあって、立地競争力強化のために我が国政府に求められる施策を紹介し、我が国が空洞化を防ぎ、持続的な経済成長を達成していくための絵姿を提示する。例文帳に追加

In Section 3, we will introduce the measures that Japanese government should implement in order to strengthen the locational competitiveness, in the era when companies choose countries amid globalization of economic activities, and will present the image of how we prevent the hollowing out of industry and achieve sustainable economic growth. - 経済産業省

昭和には有崎勉（柳家金語楼）作『ラーメン屋』、3代目桂米朝作『一文笛』、平岩弓枝作『笠と赤い風車』などの新作人情噺が創作された。例文帳に追加

In Showa period, new Ninjo-banashi stories were created such as Tsutomu ARISAKI (Kingoro YANAGIYA)'s "Ramen Shop", Beicho KATSURA the third's "Little Flute", and Yumie HIRAIWA's "A Straw Hat and A Red Windmill".  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

成長された多結晶シリコン層１０の基板４との界面から少なくとも厚さ１０ｎｍの部分の最大酸素濃度は５×１０^18原子／ｃｍ^3 以下となる。例文帳に追加

Consequently, the maximum oxygen concentration in the portion of the grown silicon layer 10 of at least 10 nm in thickness from the interface with the substrate 4 becomes ≤5×1018 atoms/cm3. - 特許庁

慶長3年（1598年）には、家康の命によって、箕輪城を廃し、南の和田城を改築して高崎城とし、和田を高崎と改めて高崎に移る（地名の由来に関しては群馬県高崎市の項目を参照）。例文帳に追加

In 1598, under orders from Ieyasu, he abandoned Minowa-jo Castle, rebuilt Wada-jo Castle in the south into Takasaki-jo Castle and moved into Takasaki, changing its name from Wada to Takasaki.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ＣＺ法によるシリコン結晶の製造方法により製造され、肩部５、直胴部２、及び尾部６と同様に、ＣＺ法によるシリコン結晶製造過程で形成された、ＦＺ法による単結晶製造装置に装着されて単結晶成長を可能とするための被把持部３を有する。例文帳に追加

The silicon crystal material manufactured by the CZ silicon crystal manufacturing method has a support part 3 formed in the CZ silicon crystal manufacturing method and serving for growing a single crystal in a crystal manufacturing apparatus by the FZ method as well as shoulder 5, straight body 2, tail 6. - 特許庁

ＩｎとＡｌを含有するIII−Ｖ族化合物半導体結晶において、ドーパントとして１×１０^17cm^-3以上の炭素を含有させ、Ｉｎの組成変動を１０％以内、成長方向の界面の凹凸の高低差を５ｎｍ以下、Ｓパラメータを０．５３５以下とする。例文帳に追加

In the III-V compound semiconductor crystal comprising In and Al, carbon of 1×10^17 cm^-3 or more is contained as a dopant, and the composition variation of In is made within 10%, the height difference of a recess and a projection of an interface in a growth direction is made 5 nm or less and an S parameter is made 0.535 or less. - 特許庁

ＭＢＥを用いて清浄な（０００１）表面を持つ基板１上に低温ＩｎＮバッファ層２を堆積し、このバッファ層２の上に結晶成長軸が基板１の法線方向に対し数度だけ傾いたＩｎＮ層３を成長させ、このＩｎＮ層３に基板１の法線方向からイオン注入する。例文帳に追加

A low-temperature InN buffer layer 2 is deposited on a substrate 1 having a clean surface (0001) employing MBE, and an InN layer 3 with crystal growing axis slanted by several degrees with respect to the normal line direction of the substrate 1 is grown on the buffer layer 2 while the ion is implanted into the InN layer 3 from the normal line direction of the substrate 1. - 特許庁

シリコン基板１表面にゲート絶縁膜２を形成する工程と、ゲート絶縁膜２表面に水酸基３を吸着させた後に化学気相成長法でゲート絶縁膜２上に多結晶半導体膜である多結晶シリコン膜４を成膜する工程とを含む。例文帳に追加

The manufacturing method of a semiconductor device comprises a process where a gate insulating film 2 is formed on the surface of a silicon substrate 1 and a process that after hydroxyl groups 3 are adsorbed on the surface of the film 2, a polycrystalline silicon film 4, which is a polycrystalline semiconductor film is formed on the film 2 by a chemical phase growth method. - 特許庁

電極上に立設されたシリコン芯材３に、化学気相析出法によりシリコンを析出・成長させて多結晶シリコンロッド３を得るための反応容器２が工場建屋内に配設された多結晶シリコン製造設備において、反応容器２内の多結晶シリコンロッド３に対して免震構造が施されていることを特徴とする。例文帳に追加

The equipment for manufacturing polycrystal silicon, wherein reaction chambers 2 for precipitating and growing silicon by a chemical vapor phase precipitation method on a silicon core material 3 standing on an electrode so as to obtain polycrystal silicon rods 3, are arranged in a factory building, is characterized in that a quake-absorbing structure is applied to the polycrystal silicon rods in the reaction chambers 2. - 特許庁

基板１の表面にＡｌ層２を形成し、このＡｌ層上に触媒層３を形成し、この触媒層上に炭素原子含有ガスと水素ガスとの混合ガスを供給して、低温で大気圧以下で気相成長せしめる。例文帳に追加

The method for the producing the graphite nanofiber comprises forming an Al layer 2 on the surface of a substrate 1, then forming a catalyst layer 3 on the Al layer 2, and vapor-growing the graphite nanofiber 4 on the catalyst layer 3 at a low temperature under below the atmospheric pressure by supplying a mixed gas of a carbon atom-containing gas and hydrogen gas. - 特許庁

これらは銀品位が異なるため、正徳4年（1714年）5月15日の正徳銀吹立の触書には古銀の割増通用が附記され宝永永字丁銀、宝永三ツ宝丁銀、宝永四ツ宝丁銀は正徳銀、慶長銀に対しすべて10割増、宝永二ツ宝銀に対しては3割増、元禄銀に対しては6割増と定められた。例文帳に追加

Since karat of these silvers was different, a government order of cupellating silver of Shotoku on May 15, 1714, stipulated that the incremental volume of old silver to eiji-chogin, mitsuho-chogin and yotsuho-chogin should be 10% for shotoku-gin and keicho-gin, 30% for futatsu-hogin and 60% for genroku-gin.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

単結晶基板１上に第１の薄膜２を製膜して第１の薄膜２表面を摩擦することにより摩擦配向層３を形成し、さらに摩擦配向層３の上に第２の薄膜を堆積することにより堆積配向層４を形成し、その上に結晶を成長させる。例文帳に追加

A first thin film 2 is formed on a single crystal substrate 1; the surface of the first thin film 2 is rubbed to form a friction alignment layer 3; a second thin film is deposited on the friction alignment layer 3 to form a deposited alignment layer 4; and a crystal is grown thereon. - 特許庁

確率状態出力部２から出力された確率情報が示す優勢シンボルの生起確率に対応するＶ２Ｆテーブルを参照して、符号化ｂｉｎ出力部３から出力された符号化２値化シンボルの系列を固定長符号化し、その符号化結果である固定長符号を出力する固定長符号化部４を設ける。例文帳に追加

A fixed length encoding section 4 is provided to apply fixed length encoding to a series of encoded binary symbols output from an encoded bin output section 3 by reference to a V2F table corresponding to an occurrence probability of a dominant symbol indicated by probability information output from a probability state output section 2, and outputs the encoding result as a fixed length code. - 特許庁

各ＬＥＤ基材は、発光層２２を実装基板３の第１の面３０に固着した後で結晶成長用基板２４が除去され、発光層２２および電極２１からなるＬＥＤチップ２のみが実装基板３上に残るように実装基板３に実装される。例文帳に追加

The each LED substrate is mounted on the mounting substrate 3 so that the substrate for crystal growth 24 is removed after the light-emitting layer 22 is fixed on the first side 30 of the mounting substrate 3, and only the LED chip 2 composed of the light-emitting layer 22 and the electrode 21 remains on the mounting substrate 3. - 特許庁

家康は慶長8年（1603年）2月に伏見城において征夷大将軍補任の宣旨を受け、3月に竣工間もない二条城に入城、室町幕府以来の慣例に基づく「拝賀の礼」を行うため、御所への行列を発した。例文帳に追加

In February of 1603, he received the appointment to Seii Taishogun at Fushimi-jo Castle and in March and he moved into the newly completed Nijo-jo Castle, from which he started a procession to the Imperial Palace to hold the Haiga no Rei ceremony in accordance with the tradition since the Muromachi Shogunate.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

本発明のグラフェンシート付き基材１は、結晶方位が（１１１）面のシリコン基板２に、エピタキシャル成長させた立方晶炭化珪素層３、グラフェンシート４が順次積層されている。例文帳に追加

There is provided a base material 1 with a graphene sheet, wherein an epitaxially grown cubical crystal silicon carbide layer 3 and a graphene sheet 4 are sequentially laminated on a silicon substrate 2 whose crystal orientation is (111) surface. - 特許庁

引き続いて、第２層形成工程 において、酸素の導入を止め、シリコンのみを酸素含有シリコン膜２上にエピタキシャル成長させることにより、単結晶シリコン膜３が形成される。例文帳に追加

Subsequently, a single crystal silicon film 3 is formed in a second layer forming process (2) by stopping introduction of oxygen and growing only silicon epitaxially on a silicon film 2 containing oxygen. - 特許庁

水晶基板１の両主面にマスク２ａ、２ｂを装着し、エピタキシャル成長を行うための装置の中に載置すると共に、マスク２ａ、２ｂの上下にノズル３を配設する。例文帳に追加

Masks 2a, 2b are mounted on both principal planes of a crystal substrate 1 and the crystal substrate 1 is placed in an apparatus for epitaxial growth, and nozzles 3 are arranged above and below the mask 2a and the mask 2b. - 特許庁

ルツボに収容されたシリコン融液４からシリコン単結晶３を引き上げながら成長させる単結晶製造装置において、メニスカス近傍に配置され、前記メニスカス近傍の前記シリコン融液４を保温する保温体４０が設けられている単結晶製造装置３０とする。例文帳に追加

In the single crystal production apparatus 30 for growing the silicon single crystal 3 while pulling from the melt 4 stored in a crucible, a heat-retaining body 40 is provided near a meniscus to retain the temperature of the silicon melt 4 in the vicinity of the meniscus. - 特許庁

次いで、減圧下において、分子ビーム６−２を単結晶基板１の表面１Ａに対して４０°以下の入射角度で開口部３に入射させ、開口部３の前記露出した単結晶基板表面上に単結晶薄膜４を選択的にエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

Under reduced pressure, molecular beams are injected to the surface of the single crystal substrate at an incident angle of ≤40° to effect the epitaxy growth of a single crystal thin layer 8 on the surface of the single crystal substrate exposed at the opening 3. - 特許庁

次の要件，すなわち，1)申請人の権利が明確で誤りのないこと，2)当該権利の侵害が重大かつ実質的であること，3)令状によって深刻な損害を防ぐために差し迫った恒常的な必要性があることが認められる場合，聴聞官は，局長又はその不在時は副局長の承認を得て予備的差止命令状を発令する。予備的差止命令状は，その後に命令が出されるまで有効である。例文帳に追加

If it appears that the following requisites are present, namely: I) the right of applicant is clear and unmistakable; 2) the invasion of the right is material and substantial; and 3) there is an urgent and permanent necessity for the writ to prevent serious damage, the Hearing Officer shall issue the writ of preliminary injunction with the approval of the Director, or in his/her absence, by the Assistant Director. - 特許庁

Ａｒガス純化装置９により純化されたアルゴンガスを加熱炉７内に供給し、アルゴンガス雰囲気下で坩堝３を加熱することにより、炭化珪素原料２を昇華させて種結晶４の表面上に炭化珪素単結晶を結晶成長させる。例文帳に追加

This process for producing the silicon carbide single crystal comprises supplying argon gas, purified by an argon gas purifier 9, into a heating furnace 7, and heating a crucible 3 under an argon gas atmosphere to sublimate a raw material 2 for silicon carbide and thus to grow a silicon carbide single crystal on the surface of a seed crystal 4. - 特許庁

(3)により公衆の閲覧に供されていないものを除いて，登録簿の記載について認証され又は認証されない謄本又は抄本が長官に求められた場合，長官は所定の手数料が納付されることを条件として，当該請求を行った者に対して記載事項の謄本又は抄本を交付することができる。例文帳に追加

Where a request is made to the Controller for a certified or uncertified copy of, or extract from, an entry in the Register, other than an entry that is not open to public inspection by virtue of subsection (3), the Controller shall issue a copy of the entry or extract to the person making the request on payment of the prescribed fee. - 特許庁

慶長3年（1598年）9月に明将の麻貴率いる大軍の攻勢があったが、前年の教訓から明軍は不活発であり小競り合いに終わり（第二次蔚山城の戦い）、そのまま撤退を迎えた。例文帳に追加

In October 1598, there was an attack by a large army led by a Ming commander Ma Gui, but due to lessons from the previous year, the Ming army was sluggish and it ended up as a limited engagement (the Second Battle of Ulsan) that led to retreat.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

慶長6年2月6日(旧暦)（1601年3月10日）、関ヶ原の戦勝後に命ぜられた京都治安活動を高く評価された父・信昌が美濃加納10万石を与えられた。例文帳に追加

On March 10, 1601, his father Nobumasa was awarded 100,000 koku in the Kano Domain, Mino Province in recognition of his public safety operation in Kyoto after the victory of the Battle of Sekigahara.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

その場合に、ダイヤモンド成長面をダイヤモンド３上のＣ−Ｈ結合のＣ−Ｈ伸縮振動と同じ振動数を有する赤外光２で照射する。例文帳に追加

In this case, diamond growing surface is irradiated with infrared light 2 having the same frequency as that of C-H stretching vibration of C-H bond on diamond 3. - 特許庁

半導体多層構造をなすエピタキシャルウェーハ５０は、単結晶基板１の主表面上にバッファ層２を介して化合物半導体からなる素子層３をヘテロエピタキシャル成長させた構造をなす。例文帳に追加

An epitaxial wafer 50 constituting a semiconductor multilayer structure is composed of a single-crystal substrate 1 and a device layer 3 of compound semiconductor which is formed by hetero-epitaxial growth on the major surface of the single-crystal substrate 1 via a buffer layer 2. - 特許庁

不揮発性メモリデバイス２０の製造方法において、電荷が蓄積される層３の上部層の上に、ＤｙＳｃＯのシリコン酸化物消費材料の層を成長させる工程を含む。例文帳に追加

A method for manufacturing a non-volatile memory device 20 comprises a step of growing a layer in a silicon oxide consuming material, DyScO, on top of the upper layer of the layer 3 where charge is stored. - 特許庁

気相成長装置は、被処理基板２が載置される載置面を含むサセプタ３と、被処理基板２を収容する内部空間６を形成し、内部空間６にガス流れが形成される反応管３２とを備える。例文帳に追加

The vapor phase epitaxial growth device is provided with a susceptor 3 including a placing face onto which a substrate 2 to be processed is placed and a reaction tube 32 which forms an inner space 6 for storing the substrate 2 to be processed so as to allow a gas flow to be formed in the inner space 6. - 特許庁

糖類と塩を含有し、醤油を含有しない調味液で煮た油揚げ２と、この油揚げの皮の内部に充填されたご飯類とを備え、前記油揚げの表面に焦げ目３が形成されていることを特徴とする焼き稲荷飯１とする。例文帳に追加

The toasted Inari rice 1 comprises a fried bean curd 2 cooked with seasoning liquid containing sugar and salt, but no soy sauce, and boiled rice charged in the inner part of the fried bean curd coat and having scorches 3 formed at the surface of the fried bean curd. - 特許庁

エピタキシャル薄膜成長させる面が、（１１−２０）面から、＜０００１＞軸を中心に［１−１００］軸方向に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意の一方向に、３度以上６０度以下、傾いた面である炭化珪素単結晶エピタキシャル薄膜成長用炭化珪素単結晶基板である。例文帳に追加

The silicon carbide single crystal substrate for growing the silicon carbide single crystal epitaxial thin film uses a surface inclined from (11-20) plane at an angle of ≥3 and ≤60° in an arbitrary direction in a range of ≥-45 and ≤45° in the [1-100] axis direction around <0001> axis as a surface for epitaxial growth of the thin film. - 特許庁

硬質皮膜３はピストンリング１の軸方向破断面の結晶が母材側から皮膜表面側に向かって成長している柱状組織を呈し、ＺｒＮの結晶は被覆面に平行に（２００）面の優先方位を持ち、硬度はビッカース硬度でＨＶ１２００〜２０００の範囲にある。例文帳に追加

The hard film 3 assumes a columnar structure in which crystals on the broken out section in axial direction of the piston ring 1 grow from the parent material toward the film surface, and the ZrN crystals have a priority azimuth of the (200) plane parallel with the covering surface, wherein the hardness lies within the range HV1200-2000 in Vickers. - 特許庁

優れたゲッタリング能力をウェーハ全面に有するシリコンエピタキシャルウェーハであって、エピタキシャル成長後のシリコン単結晶基板内部に検出される酸素析出物の密度が、ウェーハ面内の何れの位置においても、１×１０^9／ｃｍ^3以上であるようにした。例文帳に追加

The silicon epitaxial wafer having an excellent gettering ability all over the wafer is made with a density of oxygen precipitate detected in the substrate of silicon single crystal grown by epitaxy to be 1×10^9/cm^3 or more at any place of the wafer. - 特許庁

そして、マルチ表示画面の表示中、レンズ１１の変倍調整を指示するための操作が本体操作部２３から通知されると、ＣＰＵ２１は、例えば２段×２列から３段×３列またはその逆へと一括表示する画像数を増加または減少させる。例文帳に追加

When operation for instructing magnification adjustment of a lens 11 is notified from a main body operating unit 23 during display of the multi-display picture, the CPU 21 increases or decreases the number of images to be simultaneously displayed from 2 stages × 2 columns to 3 stages × 3 columns or inversely, for example. - 特許庁

バリウムヘキサフェライトのコロイド状ナノ粒子の形成は、超臨界水(SCW)条件下に、(1)最初に、混合点で超臨界水と前駆体液が混ぜられ、単一のナノ結晶が形成され、(2)次に、有機分子が高温の水と混和せしめられ、(3)最後に、有機分子と特定の無機結晶の表面とが選択的に反応することによって、ナノ粒子の制御された成長が起こる。例文帳に追加

The formation and controlled growth of colloidal nanoparticle of barium hexaferrite occurs under a supercritical water (SCW) condition by (1) firstly, mixing supercritical water and a precursor liquid at a mixing point to form a single nanocrystal, (2) next, mixing an organic molecule with high temperature water, and (3) lastly, reacting selectively the organic molecule and the surface of a specific inorganic crystal. - 特許庁

化学気相蒸着法によって第１導電型の炭化珪素単結晶基板１の表面から成長させた第１導電型の炭化珪素エピタキシャル膜２における少なくとも種欠陥密度が高い表層４を除去した後、表層４を除去した炭化珪素エピタキシャル膜２の表面から第２導電型の炭化珪素エピタキシャル膜３を成長させる。例文帳に追加

A surface layer 4, at least high in seed defect density, is removed in a first conductive silicon carbide epitaxial film 2 grown from the front surface of the first conductive silicon carbide single crystal substrate 1 by chemical vapor deposition method, and thereafter, a second conductive silicon carbide epitaxial film 3 is made to grow from the front surface of the silicon carbide epitaxial film 2, whose surface layer 4 is removed. - 特許庁

上記ＳｉＣ種結晶３を、その上記成長面３５とＳｉＣ原料の発生源４３とが対向するよう上記種収容部４２５に埋め込み、成長面３５と反対側の裏面３６を上記上蓋４２の内表面４２１から上記ＳｉＣ原料の発生源４３と離れる方向に後退させて配置する。例文帳に追加

The SiC seed crystal 3 is embedded in the seed housing part 425 in such a manner that the growing surface 35 opposes to the production source 43 of the SiC source material while the back face 36 in the opposite side to the growing surface 35 is disposed as retreated from the inner surface 421 of the upper lid 42 in the direction away from the production source 43 of the SiC source material. - 特許庁

Ｓｒ源として、ビス（プロピルテトラメチルシクロペンタジエニル）ストロンチウムを用いて、化学気相成長法または原子層堆積法により、ＳｒＴｉＯ₃または（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ₃膜等のストロンチウム含有薄膜を形成する。例文帳に追加

The strontium-containing thin film such as a SrTiO_3 film and a (Ba, Sr)TiO_3 film is formed by using bis(propyltetramethylcyclopentadienyl) strontium as an Sr source, with a chemical vapor deposition method or an atomic layer deposition method. - 特許庁

また、半導体結晶成長用基板本体１１の表面１３の保護膜１４が形成されていない領域上にＡｌＮからなるバッファ層２１を形成し、バッファ層２１上に膜厚が３μｍのＧａＮ結晶からなる半導体層２２を形成する。例文帳に追加

Further, a buffer layer 21 made of AlN is formed in a region where the protective film 14 is not formed, on the surface 13 of the substrate body 11 for growing a semiconductor crystal, and a semiconductor layer 22 comprising a GaN crystal having a film thickness of 3 μm is formed on the buffer layer 21. - 特許庁

処理対象の皮膚の体毛の成長を調節するための光を発する発光部１と、発光部１が発する光を透過させて外部に照射する光学パネル２と、開閉自在に設けられ閉塞時には光学パネル２の外側面を覆うシャッター３とを備える発毛調節光照射装置である。例文帳に追加

This light irradiation apparatus for controlling hair growth includes: a light emitting section 1 emitting a light for controlling the growth of body hair of a treated skin; an optical panel 2 transmitting the light emitted by the light emitting section 1 and irradiating the outside; and a shutter 3 openably/closably provided and covering the outside surface of the optical panel 2 in closure. - 特許庁

当然横綱も期待され三つ揃いの廻し化粧廻しも用意されたが、酒量が過ぎたことから胃腸を患い、明治21年（1888年）1月場所から3場所全休、前頭に陥落する。例文帳に追加

As a matter of course, he was expected to become yokozuna and a three-piece keshomawashi (ornamental sumo apron) was prepared, but he suffered from bad stomach and intestines due to heavy drinking and it forced him to miss three consecutive tournaments from January 1888, and finally he was demoted to maegashira.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス