「カルコゲニド」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

金属カルコゲニド分散液の製造例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING DISPERSION LIQUID OF METAL CHALCOGENIDE - 特許庁

なお、好ましくは、カルコゲニド及び／又はオキシカルコゲニドは、周期律の２及び／又は４〜１６族から選択される金属との金属カルコゲニド及び／又は金属オキシカルコゲニドである。例文帳に追加

Further, preferably, the chalcogenide and/or oxychalcogenide are a metal chalcogenide and/or metal oxychalogenide of a metal selected from the 2nd and/or 4-16th groups of the periodic table. - 特許庁

Ｎ型およびＰ型カルコゲニド素材の製造方法、カルコゲニド薄膜型トランジスタおよびその製作方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF N-TYPE AND P-TYPE CHALCOGENIDE MATERIALS, CHALCOGENIDE THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

ＰＢ−カルコゲニドナノ粒子の形状および寸法を制御する方法例文帳に追加

METHOD FOR CONTROLLING SHAPE AND SIZE OF Pb-CHALCOGENIDE NANOPARTICLE - 特許庁

金属カルコゲニドの皮膜を堆積させる方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for depositing a metal chalcogenide film. - 特許庁

ＧＳＴカルコゲニドパターンを備える相変化メモリ素子の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE COMPRISING GST CHALCOGENIDE PATTERN - 特許庁

本発明の超高密度データ記憶媒体は、インジウムカルコゲニドと、ガリウムカルコゲニドと、インジウム−ガリウムカルコゲニドから選択された半導体化合物を含む１以上の半導体フィルムから製造されることを特徴とする。例文帳に追加

The ultra-high density data storage medium is composed of one or more semiconductor films each containing the semiconductor compound selected from the group composed of an indium chalcogenide, a gallium chalcogenide, and an indium-gallium chalcogenide. - 特許庁

アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層は、金属カルコゲニドのヒドラジン・ベースの前駆物質の溶液を得、該溶液を基材上に塗布し、しかる後、前駆物質をアニールして該前駆物質をアモルファス金属カルコゲニドに変換することによって調製される。例文帳に追加

The amorphous chalcogenide solid active electrolytic layer is prepared by obtaining a solution of a hydrazine-based precursor to a metal chalcogenide; applying the solution onto a substrate; and thereafter annealing the precursor to convert the precursor to the amorphous metal chalcogenide. - 特許庁

前記粒子は、Ｍｎ_xＶ_yＴａ_zＯ_wおよびカルコゲニドガラス層の物理蒸着により行なう。例文帳に追加

The particle involves physical vapor deposition of Mn_xV_yTa_zO_w and the chalcogenide glass layer. - 特許庁

相変化メモリ及びオボニック閾値スイッチを備えるカルコゲニド含有半導体を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor containing chalcogenide with a phase change memory and an ovonic threshold value switch. - 特許庁

メモリセルはカルコゲニドランダムアクセスメモリ（CRAM）セル４０とCMOS回路とを有している。例文帳に追加

A memory cell has a chalcogenide random access memory, CRAM, cell 40 and a CMOS circuit. - 特許庁

ダイオード１０はカルコゲニド構造を通過する電流を流す機能を有する。例文帳に追加

The diode 10 has a function of flowing a current that passes through the chalcogenide structure. - 特許庁

二元及び三元金属カルコゲニド材料ならびにその製造方法及び使用方法例文帳に追加

BINARY AND TERNARY METAL CHALCOGENIDE MATERIALS, METHOD OF MAKING THE SAME AND METHOD OF USING THE SAME - 特許庁

金属カルコゲニドをチャネル層として使用して、金属カルコゲニドの単離ヒドラジニウムを主体とする前駆体、および薄膜電界効果トランジスタ装置を作製する方法も提供する。例文帳に追加

A method for preparing an isolated hydrazinium-based precursor of a metal chalcogenide as well as a thin film field effect transistor device using the metal chalcogenide as a channel layer is also provided. - 特許庁

化学反応によりAu-Ch^-で表されるイオン種を放出しうる、アニオン性カルコゲニドと金（Ｉ）イオンとの結合を有する金カルコゲニド化合物により化学増感されたハロゲン化銀乳剤。例文帳に追加

A silver halide emulsion is provided which has been chemically sensitized with a gold chalcogenide compound having a bond of an anionic chalcogenide and a gold (I) ion and capable of releasing an ionic species represented by Au-Ch^- on a chemical reaction. - 特許庁

相変化メモリ電極において、カルコゲニド含有半導体デバイス用電極とカルコゲニド間の良好な接着性と低めの反応性を共に実現するデバイスの提供。例文帳に追加

To provide a device in which both good adherence and reduced reactivity are attained between an electrode for a chalcogenide-containing semiconductor device and chalcogenide, in a phase change memory electrode. - 特許庁

視角依存性干渉現象を吸収色と組み合わせ、それによりカルコゲニド／オキシカルコゲニド系の真珠光沢顔料の範囲を広げる、種々の異なるマス色調を有する入手容易な顔料を提供する。例文帳に追加

To obtain an easily available pigment having different mass color tones by combining a visual angle-dependent interference phenomenon with absorption colors for expanding the ranges of a chalcogenide/an oxychalcogrnide-based pearlescent pigments. - 特許庁

カルコゲニド物質の非晶質状態を決定して、ハイデータとローデータとに対応するしきい電圧を有するプログラミング領域を形成し、プログラミング時、プログラミングパルスのトレーリングエッジの時間的制御によって前記カルコゲニド物質の冷却速度を制御し、これによって前記カルコゲニド物質のしきい電圧を調節するプログラミング方法である。例文帳に追加

The programming method includes: determining the amorphous state of a chalcogenide material to form programming areas having threshold voltages corresponding to high and low data; and controlling the quenching speed of the chalcogenide material based on the time control of the trailing edge of programming pulses to adjust the threshold voltage of the chalcogenide material. - 特許庁

本発明は化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス又は湿式溶液プロセスを用いた金属カルコゲニドの合成を開示する。例文帳に追加

To provide synthesis of metal chalcogenides using chemical vapor deposition (CVD) process, atomic layer deposition (ALD) process, or wet solution process. - 特許庁

例えば、ヒューズアレイとメモリアレイは、有効スイッチング材料としてカルコゲニド材料を使用する。例文帳に追加

For example, both the fuse array and the memory array use a chalcogenide material as the active switching material. - 特許庁

カルコゲニド構造４２はダイオード１０や選択トランジスタのような半導体素子と直列に実装される。例文帳に追加

The chalcogenide structure 42 is implemented in series with a semiconductor device such as a diode 10 or a selecting transistor. - 特許庁

このような物質は、金属窒化物の場合よりも低い活性を持つカルコゲニドに対して良好な接着性を持つことができる。例文帳に追加

Such material can have good adherence to chalcogenide with lower reactivity than it may be in the case with metal nitrides. - 特許庁

本開示は、アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層と、第一および第二金属層とを含む固体電解質デバイスに関する。例文帳に追加

The present disclosure relates to the solid electrolyte device comprising an amorphous chalcogenide solid active electrolytic layer; first and second metallic layers. - 特許庁

アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層は、第一金属層と第二金属層との間に配置される。例文帳に追加

The amorphous chalcogenide solid active electrolytic layer is located between the first and the second metallic layers. - 特許庁

選択トランジスタはゲート電圧により有効となったときカルコゲニド構造４２を通過する電流を流す機能を有する。例文帳に追加

The selecting transistor has a function of flowing a current that passes through the chalcogenide structure 42 when enabled by a gate voltage. - 特許庁

希土類元素及びイットリウムサルファイド並びに希土類元素及びイットリウムオキシサルファイドを除くカルコゲニド及び／又はオキシカルコゲニドからなる少なくとも一つの選択的光吸収性層を含んでなる基板に基づく真珠光沢顔料により上記課題は達成される。例文帳に追加

This pearlescent pigment is based on a substrate containing at least one selective light absorption layer consisting of the chalcogenide and/or oxychalcogenide excluding rare earth elements and yttrium sulfide, and the rare earth elements and yttrium oxysulfide. - 特許庁

水性媒体中での沈澱段階、その後の該金属カルコゲニドナノ粒子のアグロメレーションを防止しうる化合物の存在下における透析濾過または限外濾過段階により、場合によりドーピングされていてもよい金属カルコゲニド類のナノ粒子分散液を製造する。例文帳に追加

The method is to manufacture a dispersion liquid of nanoparticles of metal chalcogenide, which can be doped depending on the cases, at the stage of sedimentation in water, at the following stage of dialytic filtration in the presence of chemical compounds capable of preventing the agglomeration of the metal chalcogenide particles, or at the stage of ultrafiltration. - 特許庁

過度のアグロメレーションの発生なしに洗浄しそして濃縮することができる金属カルコゲニド微粒子分散液の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a dispersion liquid of metal chalcogenide fine particles which can wash and can be concentrated without the generation of excessive agglomeration. - 特許庁

その重錘要素（１４）はプラスチック材料と粉砕された金属塩および／または金属カルコゲニド（１８）１つまたは複数との混合物を含有する。例文帳に追加

The weight element 14 contains one of a plastic material, and a crushed metal salt and/or a metal chalcogenide 18, or a mixture of plural components selected therefrom. - 特許庁

オルガノシリルテルル又はオルガノシリルセレンの、求核性置換基を有する一連の金属化合物とのリガンド交換反応により、金属カルコゲニドが生成される。例文帳に追加

Ligand exchange reactions of organosilyltellurium or organosilylselenium with a series of metal compounds having nucleophilic substituents generate metal chalcogenides. - 特許庁

メモリセル400では、セレン化ゲルマニウム（Ge_XSe_(1-x)）のようなセレン化銀406とカルコゲニド・ガラス404とが、アクティブ層に混合されて、電極402,410間に加えられた電位の存在によって、導電性経路の形成を維持する。例文帳に追加

In a memory cell 400, silver selenide 406 and a chalcogenide glass 404 such as germanium selenide (Ge_XSe_(1-x)) are combined in an active layer to support the formation of conductive pathways in the presence of an electric potential applied between electrodes 402, 410. - 特許庁

前記粒子は、基材の反射特性とＭｎ_xＶ_yＴａ_zＯ_wの近赤外反射特性とが組み合わされると同時に、カルコゲニドガラス層の効果が加わる。例文帳に追加

The particle combines the reflective properties of a substrate with the near-infrared reflective properties of Mn_xV_yTa_zO_w, while the chalcogenide glass layer provides aesthetic appeal. - 特許庁

CRAMセル４０は薄膜プロセス（例えばカルコゲニド堆積薄膜プロセス）と等方位エッチングプロセスとによって規定される断面積を有している。例文帳に追加

The CRAM cell 40 has a cross-sectional area determined through a thin film process, e.g., a chalcogenide-deposition thin-film process, and an iso-orientational etching process. - 特許庁

なお、該ガラスフレークが軟化点８００℃以上であることが、また、被覆層として、金属酸化物、金属亜酸化物、金属オキシハロゲン化物、金属弗化物、金属カルコゲニド、金属窒化物、金属硫化物、金属炭化物、またはそれらの混合物からなっていることが好ましい。例文帳に追加

The glass flakes preferably have a softening point above 800°C, and the coating layer preferably includes a metal oxide, metal suboxide, metallic oxyhalide, metal fluoride, metal chalcogenide, metal nitride, metal sulfide, metal carbide or mixture thereof. - 特許庁

元素周期表のＩＶ族の主族元素とのカルコゲニドとバッファガスとを有する充填ガスを含むガス放電容器と、内部又は外部電極と、低圧ガス放電を発生しかつ維持する手段とを有する低圧ガス放電ランプ。例文帳に追加

The low-pressure gas discharge lamp has a gas discharge vessel including a filler gas having a chalcogenide with a main group element of the group IV of the periodic table and buffer gas, internal or external electrodes, and a means for generating and sustaining low-pressure gas discharge. - 特許庁

半導体としてはチタン、スズ、亜鉛、鉄、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、カドミウム、鉛、銀、アンチモン、ビスマス、モリブテン、アルミニウム、ガリウム、クロム、コバルト、ニッケルから選ばれる金属カルコゲニドを少なくとも１種含むことが好ましい。例文帳に追加

At least one kind of metal chalcogenide selected from titanium, tin, zinc, iron, tungsten, zirconium, hafnium, strontium, indium, cerium, yttrium, lanthanum, vanadium, niobium, tantalum, cadmium, lead, silver, antimony, bismuth, molybdenum, aluminum, gallium, chromium, cobalt and nickel is preferably included as the semiconductor. - 特許庁

半導体はチタン、スズ、亜鉛、鉄、銅、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、カドミウム、鉛、銀、アンチモン、ビスマス、モリブデン、アルミニウム、ガリウム、クロム、コバルト、ニッケルから選ばれる金属カルコゲニドを少なくとも一種以上含むことが好ましい。例文帳に追加

It is preferable for the semiconductor to contain at least one kind of metal chalcogenide chosen from titanium, tin, zinc, iron, copper, tungsten, zirconium, hafnium, strontium, indium, cerium, yttrium, lanthanum, vanadium, niobium, tantalum, cadmium, lead, silver, antimony, bismuth, molybdenum, aluminum, gallium, chromium, cobalt, and nickel. - 特許庁

１電子酸化されて生成する１電子酸化体がさらに１電子もしくはそれ以上の電子を放出し得る化合物（電子放出化合物）を少なくとも１種含有し、かつ、アニオン性カルコゲニドと金（Ｉ）カチオンとの結合を有する化合物であって、金−カルコゲンアニオン種を放出する化合物の少なくとも１種により化学増感されたハロゲン化銀乳剤を用いる。例文帳に追加

The silver halide photographic sensitive material uses a silver halide emulsion containing at least one compound (electron emitting compound) whose one electron oxidized body formed by one electron oxidation can further emit one or more electrons and chemically sensitized with at least one compound having the bond of an anionic chalcogenide and a gold (I) cation and emitting a gold-chalogen anionic species. - 特許庁

半導体は、チタン、スズ、亜鉛、鉄、銅、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストトンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、カドミウム、鉛、銀、アンチモン、ビスマス、モリブデン、アルミニウム、ガリウム、クロム、コバルト、ニッケルから選ばれる金属カルコゲニドを少なくとも１種含むことが好ましい。例文帳に追加

It is preferrable that the semi-conductor contains at least one type of metallic chalcogenide which is selected from Titanium, Tin, Zinc, Fe, Copper, Tungsten, Zirconium, Hafnium, Strontium, Indium, Cerium, Yttrium, Lanthium, Vanadium, Niobium, Tantalum, Cadmium, Lead, Silver, Antimony, Bismuth, Molybdenum, Aluminum, Galium, Chromium, Cobalt and Nickel. - 特許庁

支持体の少なくとも一方の面上に感光性ハロゲン化銀、非感光性有機銀塩、還元剤及びバインダーを含有する熱現像感光材料において、該感光性ハロゲン化銀がアニオン性カルコゲニドと金（Ｉ）カチオンとの結合を有し、金—カルコゲンアニオン種を放出する化学増感剤を含むことを特徴とする熱現像感光材料。例文帳に追加

In the heat-developable photosensitive material comprising on at least one face of a support a photosensitive silver halide, a non- photosensitive organic silver salt, a reducing agent and a binder, the photosensitive silver halide contains a chemical sensitizer having a bond of an anionic chalcogenide and a gold (I) cation and releasing a gold-chalcogen anionic species. - 特許庁