ザップを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
半導体装置内に内蔵されたツェナーダイオードをザップした後、ザップ箇所の残留抵抗の値を小さくできる半導体装置のトリミング方法の提供。例文帳に追加
To provide a semiconductor device trimming method which is capable of lessening the zapped part of a Zener diode in residual resistance after the Zener diode built into a semiconductor device is zapped. - 特許庁
すると、ザップ部３０のアルミニウムの原子配列を一定に近付けることができ、ザップ後の残留抵抗の値を小さくすると共に抵抗値のバラツキも小さくできる。例文帳に追加
Then, the atomic arrangement of aluminum atoms is set nearly aligned in a zapped part 30, and the zapped part 30 can be lessened in residual resistance and made to vary less in resistance. - 特許庁
ツェナーダイオードに逆バイアスの一定電流を与えてザップを行い、その後、２００〜３００℃の加熱処理を行う。例文帳に追加
A Zener diode is subjected to zapping by applying a constant current of reverse bias to it and then thermally treated at a temperature of 200 to 300°C. - 特許庁
ツェナーダイオードによるザップトリミングの際のザップ短絡部の発熱を有効に拡散させ、ポリイミド系絶縁膜への焼損を防止し得る半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device in which generated heat in a zap short-circuit part is effectively diffused in the case of zap trimming with a Zener diode, and burning to a polyimide based insulating film can be prevented. - 特許庁
他の半導体素子が形成された基板上に絶縁膜を介してザップダイオードが形成された半導体装置において、ザップダイオードのザップ後の特性を安定させること。例文帳に追加
To stabilize the characteristics of a zap diode of a semiconductor device in which the zap diode is formed on a semiconductor substrate on which another semiconductor element is also formed through an insulating film after zapping. - 特許庁
制御回路１８は、発振器を含むスイッチング信号制御回路３１と、加熱保護回路３２と、該過熱保護回路３２からの信号によりスイッチング素子１２の動作を停止させるザップ回路３３とを有している。例文帳に追加
A control circuit 18 has a switching signal control circuit 31 including an oscillator, an overheat protection circuit 32, and a zap circuit 33 which stops the operation of a switching element 12 according to signals from the overheat protection circuit 32. - 特許庁
１０〜２０ｍＡ程度の低電流でザップして形成した細いＡｌフィラメント線から成るツェナーザップ素子を用いても、信頼性的に長寿命で、長期間にわたって使用が可能なツェナーザップＰＲＯＭ回路を提供する。例文帳に追加
To provide a reliable and long-life zener zap PROM circuit used for a long time even when a zener zap element including a thin Al filament formed by zapping at a low current of about 10 to 20 mA is used. - 特許庁
ザップ回路３３は、制御端子Ｔ_C と接続された電源端子ＶＣＣと、加熱保護回路３２のＲＳフリップフロップ回路３２ｃの反転出力端子と接続された入力端子ＩＮと、ＮＡＮＤ回路３４の一方の入力端子と接続された出力端子ＯＵＴとを有している。例文帳に追加
The zap circuit 33 includes a power supply terminal VCC connected with a control terminal TC, an input terminal IN connected with the inverting output terminal of the RS flip flop circuit 32c of the overheat protection circuit 32, and an output terminal OUT connected with one input terminal of a NAND circuit 34. - 特許庁
ザップトリミングするツェナーダイオードと、前記ツェナーダイオードの少なくともアノードコンタクト部２１及びカソードコンタクト部２２並びにザップ短絡部５を含む部分を絶縁膜７を介して覆うアルミニウムと同等もしくはそれよりも高い熱伝導率をもつ材質の放熱層２３と、放熱層２３の上層にポリイミド系絶縁膜９を備えたものである。例文帳に追加
This semiconductor device is provided with the Zener diode for zap trimming, a heat dissipating layer 23 whose material has thermal conductivity equal to or higher than that of aluminum, and a polyimide based insulating film 9 above the heat dissipating layer 23, which covers the part including at least an anode contact part 21 and a cathode contact part 22 of the Zener diode and the zap short-circuit part 5, via an insulating film 7. - 特許庁
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