「井純」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

井戸層が障壁層で挟まれて構成される化合物半導体の量子井戸構造において、障壁層にｎ型不純物をドープする。例文帳に追加

In the quantum well structure of a compound semiconductor in which an well layer is sandwiched by barrier layers, an n-type impurity is doped into the barrier layers. - 特許庁

1970年頃からは梶井純、石子順造、鶴見俊輔らによって詳細な評論が出始める。例文帳に追加

Around the 1970s, Jun KAJII, Junzo ISHIKO and Shunsuke TSURUMI started to deliver their commentaries.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

中院通純の猶子愛宕通福（実は桜井具堯の子有清三男）が祖。例文帳に追加

The original forefather was Michifuku ATAGO, another child considered to be Michisumi NAKAIN's own (actually, Michifuku was the third son of Arikiyo, a child of Tomohiro SAKURAI).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

量子井戸活性層１０７を第二導電型となる不純物を添加しながら成長させる。例文帳に追加

The quantum well active layer 107 is grown by adding an impurity becoming a second conduction-type. - 特許庁

光吸収層４は、ｎ型を与える不純物を有する第１の井戸層８と、この第１の井戸層８に接して形成された障壁層９と、この障壁層９に接して形成された第２の井戸層１０と、からなる、量子井戸対を、少なくとも一以上有する多重量子井戸構造である。例文帳に追加

A light absorbing layer 4 has a multiplex quantization well structure having at least one or more of quantization well pairs consisting of a first well layer 8 having impurity imparting an (n) type, a barrier layer 9 formed being in contact with the first well layer 8 and a second well layer 10 formed being in contact with the barrier layer. - 特許庁

障壁層２０１ａ〜２０１ｃが、井戸層２０２と接するＳｉ等のｎ型不純物がドープされたＧａＮ層である井戸近接層２０３ｙと、井戸近接層２０３ｙの間にｎ型不純物のドープされていないアンドープのＧａＮ層である中間層２０４とを備える。例文帳に追加

Barrier layers 201a-201c are provided with a well adjacent layer 203y which is a GaN layer 203y doped with an n-type impurity such as Si being in contact with a well layer 202, and an intermediate layer 204 which is an undoped GaN layer not doped with the n-type impurity disposed between the well adjacent layer 203y. - 特許庁

先代吉左衛門友純の実兄徳大寺実則公爵の三女奉子は、三井・室町家の三井高従に嫁いでおり、さらに実則の三男で分家した旧男爵徳大寺則麿の長女鶴子、つまり実則の孫娘が、やはり三井・新町家の三井高直に嫁いでいるので、住友と三井両本家は、四重、五重の閨閥関係にある。例文帳に追加

Tomoko, who was the third daughter of Duke Sanetsune TOKUDAIJI, who is the elder brother of the former generation of Kichizaemon, married Koju MITSUI of the Mitsui-Muromachi Family; and because Tsuruko, who was the eldest daughter of the former baron Norimaro Tokudaiji, who was the third son of Sanetsune and started the branch family, that is, the granddaughter of Sanetsune married Takanao MITSUI of the Mitsui-Shinmachi Family, which means Honke of the Sumitomo Family and Honke of the Mitsui Family have quadruple or quintuple Keibatsu, Keibatsu blood connections.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

元和8年（1622年）、宇都宮城釣天井事件で本多正純が改易された後、老中に選ばれた。例文帳に追加

When the rank of Masazumi HONDA changed due to the incident of drop ceiling at Utsunomiya-jo Castle in 1622, he was chosen to become the Roju (the highest ranking government official).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

伊藤謙著、柴田承桂、村井純之助校補『薬品名彙』増訂、島村利助、丸屋善七、1883年例文帳に追加

"Yakuhin Meii (List of Medicine Names)" new and revised edition, written by Risuke SHIMAMURA and Zenshichi MARUYA, proofread and assisted by Yuzuru ITO, Shokei SHIBATA and Junnosuke MURAI in 1883  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

第２隔壁を遮光体として前面側から露光することで、高さの異なる井桁状構造を単純なライン構造のマスクで形成する。例文帳に追加

A structure of parallel crosses shape having different heights is formed by exposing a front of a first layer using a simple linear mask and also a second layer as a light shield. - 特許庁

活性層１６は不純物として炭素（Ｃ）を含有しており、この不純物としての炭素により、井戸層においてインジウムの偏析が抑えられ、活性層１６の基板１１に対する格子不整合性が大きくても、井戸層内で濃度が局所的にばらつくことが抑制される。例文帳に追加

The activated layer 16 contains carbon (C) as an impurity and the segregation of indium is suppressed in the well layer by the carbon as an impurity whereby the local variability of density in the well layer is suppressed even when the lattice inconsistency with respective to the substrate 11 of activated layer 16 is large. - 特許庁

不純物の濃度の最も大きい部位が、量子井戸活性層の半導体基板と対向する側の端から第１上クラッド層側に離れて位置し、かつ量子井戸活性層に含まれる不純物濃度が２×１０^17cm^-3以上１×１０^18cm^-3以下である。例文帳に追加

A part having the largest impurity concentration is located so as to be separated from the end of the opposite side of the active layer 104 which is opposed to the substrate 101 to the 1st upper clad layer side and the impurity concentration contained in the active layer 104 is 2×10^17 cm^-3 to 1×10^18 cm^-3. - 特許庁

更に、不純物を含有する前記障壁層と前記井戸層の間に不純物を添加しない半導体薄層を有することが実用的に好ましい。例文帳に追加

Moreover, it is preferable practically that the element has a semiconductor thin layer to which impurities are not added between the well layer and the barrier layer which contain the impurities. - 特許庁

また、ｐ型不純物濃度（ｃｍ^−３）を１．４×１０^１７以上１．４×１０^１８以下の範囲、量子井戸層６からｐ型不純物ドーピング層までの距離（ｎｍ）を１００以上３５０以下の範囲で適宜調整する。例文帳に追加

Furthermore, a p-type impurity concentration (cm^-3) is regulated in a range of 1.4×10^17-1.4×10^18, and a distance (nm) from the quantum well layer 6 to a p-type impurity doping layer is adjusted in a range of 100-350. - 特許庁

多重量子井戸構造からなる活性層の井戸層又は障壁層の単一層中にｎ型不純物を変調ドープすることで素子特性を悪化させることなく順方向電圧を低減することが可能な窒化物半導体素子が得られる。例文帳に追加

Forward voltage of a nitride semiconductor element can be lowered without sacrifice of the element characteristics by subjecting the well layer of an active layer having multiple quantum well structure or the single layer of a barrier wall layer to modulation doping with n-type impurities. - 特許庁

坩堝中に粗クロムを入れ、該粗クロムに電子ビームを照射してクロムを溶解揮発させ、凝縮容器の天井等に凝縮した高純度クロムを回収し、これをさらに還元性ガスにより脱ガスすることを特徴とする高純度クロムの製造方法。例文帳に追加

In the method for producing high purity chromium, crude chromium is charged into a crucible, and is irradiated with an electron beam to melt and vaporize chromium, and high purity chromium condensed, e.g., on the ceiling of a condensation vessel is recovered, and is further degassed by using reducing gas. - 特許庁

7月11日には現地の松井久太郎大佐（北平特務機関長）と秦徳純（第二十九軍副軍長）との間で停戦協定が締結されたにもかかわらず、内地三個師団を派兵する「北支派兵声明」を発表。例文帳に追加

On July 11, the deployment of three divisions of troops from Japan was announced in the 'proclamation of troop dispatch to China,' even though there was an armistice being concluded between Colonel Kyutaro MATSUI, head of the secret service in Peiping (Beijing), and Qin Dechun, Deputy Commander of the 29th Army.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

現在、自筆とみなされている有馬直純宛書状・松井興長宛書状には「宮本武蔵玄信」と記し、長岡佐渡守宛書状には「二天」の号も書いている。例文帳に追加

At present there remain a few letters which are confirmed being in his handwriting; his letter to Naozumi ARIMA and to Okinaga MATSUI are signed as "Miyamoto Musashi Harunobu," and another letter to Sado no kami (Governor of Sado Province) Nagaoka signed as "Niten."  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

書としては、「長岡興長宛書状」（八代市立博物館蔵）「有馬直純宛書状」（吉川英治記念館蔵）「独行道」（熊本県立美術館蔵）「戦気」（松井文庫蔵）が真作と認められている。例文帳に追加

Following are some calligraphy confirmed as genuine; Yatsushiro Municipal Museum keeps "Nagaoka Okinaga ate shojo" (Letter to Okinaga NAGAOKA); Yoshikawa Eiji House and Museum keeps "Arima Naozumi ate shojo" (Letter to Naozumi ARIMA); Kumamoto Prefectural Museum of Art keeps "Dokkodo" (means 'the way of walking alone'); Matsui-Bunko Incorporated Foundation keeps "Senki" (means 'spirit of fight').  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

渋沢が三井八郎右衛門8代高福・岩崎弥太郎・安田善次郎・住友友純・古河市兵衛・大倉喜八郎などといった他の明治の財閥創始者と大きく異なる点は、「渋沢財閥」を作らなかったことにある。例文帳に追加

SHIBUSAWA did not form 'Shibusawa Zaibatsu' which was largely different from other zaibatsu (company syndicate) founders in the Meiji period such as eighth Hachiroemon MITSUI, Takayoshi, Yataro IWASAKI, Zenjiro YASUDA, Tomoito SUMITOMO, Ichibe KOGA and Kihachiro OKURA.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

天文13年、越前に逃れてきていた土岐頼純（土岐頼武嫡男）を美濃守護とするため、尾張の織田信秀と共闘し、美濃の斎藤道三および土岐頼芸を攻め、井口城（稲葉山城）下を焼き払う。例文帳に追加

In 1544, in order to get Yorizumi TOKI (the legitimate son of Yoritake TOKI), who had escaped into Echizen Province, appointed as Shugo (Governor) of Mino Province, Takakage enlisted the help of Nobuhide ODA from Owari Province and attacked Dosan SAITO and Yorinari TOKI of Mino Province, then proceeded to burn down the town surrounding Inokuchi-jo Castle (Inabayama-jo Castle).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

しかし家康死後の二元政治廃止に伴う本多正純と土井利勝らの幕府内権力争いにまきこまれたという説も提示されている。例文帳に追加

However, there is also a theory that he got involved in the power struggle between Masazumi HONDA and Toshikatsu DOI which was caused by the abolition of the dual-power system in the bakufu after the death of Ieyasu.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

4月21日(旧暦)、秀忠は無事二条城に到着し、翌22日、家康と秀忠は本多正信・正純父子、土井利勝、藤堂高虎らと軍議を行った。例文帳に追加

On April 21 (the old calendar) Hidetada arrived at Nijo-jo Castle safely and on 22nd, the next day Ieyasu and Hidetada held a war council with Masanobu/Masazumi HONDA (father and son), Toshikatsu DOI, Takatora TODO and others.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

量子井戸を活性層とする半導体レーザ素子においてアンドープ光ガイド層への不純物の拡散を防止することによって、高出力で信頼性の良好な半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element of high output and satisfactory reliability by preventing diffusion of impurity to an undoped optical guide layer, in the semiconductor laser element containing a quantum well as an active layer. - 特許庁

したがって、この２つの元素ＭｇとＺｎの混合比を調整することで、赤外レーザ活性層(量子井戸層)１２への不純物の拡散条件をコントロールすることができる。例文帳に追加

Consequently, a diffusion condition of impurities to the infrared laser active layer (quantum well layer ) 12 can be controlled by adjusting a mixture ratio of the two elements Mg and Zn. - 特許庁

粒子、細線又は井戸状のシリコン・ナノ構造１７にIVb族、III-V族又はII-VI族不純物を発光センタとして含んだものを発光材料として用いる。例文帳に追加

This light emitting material uses particle, and thin-line or well- shaped silicon nanostructure 17 made of a light emitting material containing group IVb, III-V or II-VI impurities. - 特許庁

活性層(量子井戸層)へ光の出射部となる窓構造を形成するための不純物の拡散条件のコントロールを容易にすることができる半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element in which a diffusion condition of impurities for forming a window structure becoming a light irradiation part for an active layer (quantum well layer) can be easily controlled. - 特許庁

この水洗工程は、第１水洗槽１２には井水Ｌ１を貯留し、第２水洗槽１４には純水Ｌ２を貯留した洗浄システム１０を用いる。例文帳に追加

The water wash process uses a cleaning system 10 which reserves well water L1 in a first water wash tank 12 and pure water L2 in a second water wash tank 14. - 特許庁

そして、前記ｐ形半導体層に隣り合う前記量子井戸を構成する第１の障壁層および第２の障壁層のうちの前記ｐ形半導体層に近い前記第１の障壁層にｐ形不純物がドープされる。例文帳に追加

A p-type impurity is doped in a first barrier layer nearer to the p-type semiconductor layer, among the first barrier layer and a second barrier layer included in the quantum well adjacent to the p-type semiconductor layer. - 特許庁

底面部１７ａが傾斜し、且つ、下端部１７ｂが側面不凍液槽１６の上端部１６ａと連通する天井不凍液槽１７を、純水槽１５及び側面不凍液槽１６の上面を覆うように設ける。例文帳に追加

A ceiling antifreeze solution tank 17, where the bottom surface 17a thereof is inclined and the low end 17b thereof is connected to the upper end 16a of the antifreeze solution tank 16 on a side surface, is arranged so as to cover a pure water tank 15 and the upper surface of the antifreeze solution tank 16. - 特許庁

ハマリゾーンにおいて、天井ゲーム数に到達するとＲＴ状態を終了して純ハズレの当選確率をアップさせ、ハマリ状態から抜け易くする。例文帳に追加

An RT state is finished when reaching to the ceiling game number, in the interest zone, to increase a winning probability of the blank, so as to be easily escaped from the interest state. - 特許庁

ハマリゾーンにおいて、天井ゲーム数に到達するとＲＴ状態を終了して純ハズレの当選確率をアップさせ、ハマリ状態から抜け易くする。例文帳に追加

In a pit zone, when the game reaches the upper limit number of games, an R-T state is completed to raise a hitting probability of failure and the non-hit state is easier to leave. - 特許庁

難環境、特に油井での多重搬送波データ通信の利用に関する技術的困難さにも拘わらず、或る最大許容因子により飽和の確率を低減して伝送速度を向上可能な単純解決策を提供する。例文帳に追加

To provide a simple means for increasing the transmission rate while reducing the probability of saturation with a given crest factor, despite the technical difficulties associated with using multi-carrier transmission in the different environment, especially in oil wells. - 特許庁

電導度の高い飲料水、工業用水、井戸水や河川水を被処理水としたケースにおいても、安定な水質の純水を低コストにて製造する運転方法を提案するものである。例文帳に追加

To provide a method of operation for manufacturing pure water with stabilized water quality at a low cost, even when drinking water, industrial water, well water or river water high in conductivity is used as water to be treated. - 特許庁

電導度の高い飲料水、工業用水、井戸水や河川水を被処理水としたケースにおいても、安定な水質の純水を低コストにて製造する運転方法を提案する。例文帳に追加

To provide an operation method for making pure water of stable quality at a low cost even in a case using drinking water having high electric conductivity, industrial water, well water or river water as water to be treated. - 特許庁

不凍液が側面不凍液槽１６と天井不凍液槽１７を自然対流して、純水槽１５の上面側の温度が高く保たれるため、凍結時の体積膨張により発生する応力が低減される。例文帳に追加

Since the temperature at the upper surface of the pure water tank 15 is maintained high by an antifreeze solution circulating, by natural convection between the antifreeze solution tank 16 and ceiling antifreeze solution tank 17, stresses generated by the volume expansion at freezing are reduced. - 特許庁

光出力端面の近傍では、歪量子井戸活性層１２に不純物が導入され、組成が無秩序化された窓領域４ａが設けられている。例文帳に追加

Near the light output end faces, impurities are introduced into the strained quantum well active layer 12 and a window region 4a is provided whose composition is disordered. - 特許庁

そして、この際、側部材４０は単純な形状であるから、側部材４０を一体もので製作する場合に比して手間がかからず、従って、高さレベルの異なる他の天井Ａにも容易に対応できる。例文帳に追加

Since the side member 40 is simple in shape, the manufacturing labor is less than that when the side member 40 is integratedly manufactured, and thus, the side member can be easily adapted to other ceiling A with different height level. - 特許庁

井戸層は、Ｚｎと、Ｏと、Ｏ以外のＶＩ族元素であるＳとからなり、かつＺｎよりもイオン半径の小さいｎ型不純物元素である、Ｂ、Ａｌ、又はＧａがドーピングされている。例文帳に追加

The well layer is made of Zn, O, and another group VI element S, and is doped with B, Al, or Ga which is an n-type impurity element smaller than Zn in terms of ionic radius. - 特許庁

基板１上に積層されたバッファ層１１、２１、クラッド層１２、２２、量子井戸活性層１３、２３、およびクラッド層１４、２４を備え、ストライプ構造を有する第一および第二半導体レーザ１０、２０が同一基板上に集積化され、共振器端面近傍における量子井戸活性層は不純物拡散により無秩序化されている。例文帳に追加

First and second semiconductor lasers 10 and 20 comprising buffer layers 11 and 21, clad layers 12 and 22, quantum well active layers 13 and 23 and clad layers 14 and 24 laminated on a substrate 1 while having a stripe structure are integrated on the same substrate, and the quantum well active layer near a resonator end face is disordered by impurity diffusion. - 特許庁

障壁層２１と量子井戸層２２の各材料と各厚さを、電子が障壁層２１をトンネル効果により通過可能でありかつ量子井戸層２２の不純物による量子準位と障壁層２１のＸ準位とが所定のバイアス電圧で共鳴状態となるように選択的に設定される。例文帳に追加

In this case, the thickness of the materials of each barrier layer 21 and quantized well layer 22 is selectively set so that electrons can be transmitted through the barrier layers by tunnel effects, and a quantization level due to the impurity of the quntized well layers 22 and the X level of the barrier layers 21 can be turned into resonance states by a prescribed bias voltage. - 特許庁

土木建築の基礎工事、石油井戸や地熱井戸のボーリング等の地盤の掘削に使用される安定液（泥水）に添加することにより、セメント、海水、シルトなどの有害不純物が混入しても安定液の良好な状態が失われない、または既に劣化した泥水を再生させ、良好な状態を持続させる添加剤を提供する。例文帳に追加

To obtain an additive for a drilling slurry capable of keeping excellent dispersion stability of the drilling slurry even by the intrusion of harmful impurities such as cement and sea water by compounding a specific polycarboxylic acid polymer, a condensed polyphosphoric acid and an aminocarboxylic acid (salt). - 特許庁

共鳴トンネルダイオードは、不純物がドープされたＩｎＧａＡｓからなるエミッタ層９２と、ＡｌＡｓからなる第１の障壁層９４と、電気的に中性なＩｎＧａＡｓからなる井戸層９５と、ＡｌＡｓからなる第２の障壁層９６と、電子走行層９７〜９９と、不純物がドープされたＩｎＧａＡｓからなるコレクタ層１００とを有する。例文帳に追加

A resonance tunnel diode has an emitter layer 92 made of InGaAs doped with an impurity, a first barrier layer 94 made of AlAs, a well layer 95 made of electrically neutral InGaAs, a second barrier layer 96 made of AlAs, electron transit layers 97 to 99, and a collector layer 100 made of InGaAs doped with an impurity. - 特許庁

活性層端面領域に不純物を注入してアニールすることにより、量子井戸を無秩序化して窓構造を形成した構成において、端面破壊を生じる光出力が十分高く、しきい値電流の低い高効率な半導体レーザを得る。例文帳に追加

To obtain a highly efficient semiconductor laser having a sufficiently high optical output causing the generation of end-face destruction and reducing a threshold current in constituting disordering quantum wells and forming a window structure by injecting impurities into an active layer end face area and annealing the impurities. - 特許庁

単純な構成を備えた１種類の部材を主要資材として用いつつ、表装壁用内装下地構造、天井用内装下地構造、間仕切り壁用内装下地構造及び床用内装下地構造を容易に形成する技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique by which interior substrate structures for mounting walls, ceilings, partition walls and floors can be easily formed while one kind of member with a simple structure is used as a main material. - 特許庁