「揮発性メモリー」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ノンポーラ型不揮発性メモリー素子例文帳に追加

NON-POLAR TYPE NONVOLATILE MEMORY ELEMENT - 特許庁

不揮発性半導体メモリーの構造例文帳に追加

STRUCTURE OF NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY CELL - 特許庁

ＮＡＮＤ型不揮発性メモリー装置例文帳に追加

NAND TYPE NONVOLATILE MEMORY DEVICE - 特許庁

非揮発性メモリーとその製造方法例文帳に追加

NON-VOLATILE MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

不揮発性メモリー装置の製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING NONVOLATILE MEMORY DEVICE - 特許庁

不揮発性メモリー素子の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING NON-VOLATILE MEMORY DEVICE - 特許庁

不揮発性メモリー４と、前記不揮発性メモリー４とは識別可能な初期化用不揮発性メモリー１１と、前記不揮発性メモリー４と前記初期化用不揮発性メモリー１１を識別して複写するデータを判別する不揮発性メモリー複写手段５を備えた制御装置としたものである。例文帳に追加

This control device comprises the nonvolatile memory 4, a nonvolatile memory 11 for initialization capable of being discriminated from the nonvolatile memory 4, and a nonvolatile memory duplicating means 5 for discriminating the nonvolatile memory 4 and the nonvolatile memory 11 for initialization, and distinguishing the duplicated data. - 特許庁

低電圧不揮発性メモリーアレイ及び不揮発性メモリー並びにそのデバイス例文帳に追加

LOW VOLTAGE NONVOLATILE MEMORY ARRAY, NONVOLATILE MEMORY, AND DEVICE THEREOF - 特許庁

不揮発性メモリー素子及びその製造方法例文帳に追加

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME - 特許庁

不揮発性メモリーの電気抵抗値設定方法例文帳に追加

ELECTRIC RESISTANCE SETTING METHOD OF NONVOLATILE MEMORY - 特許庁

不揮発性メモリー装置及び該形成方法例文帳に追加

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME - 特許庁

不揮発性メモリー構造及び該形成方法例文帳に追加

NONVOLATILE MEMORY STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME - 特許庁

不揮発性メモリー装置は、複数個のメモリーブロックを有するメモリーを含む。例文帳に追加

The nonvolatile memory device includes a memory having a plurality of memory blocks. - 特許庁

非揮発性メモリーとその製造方法および操作方法例文帳に追加

NONVOLATILE MEMORY, ITS MANUFACTURING METHOD AND ITS OPERATING METHOD - 特許庁

量子点を用いた非揮発性メモリーの製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING NON-VOLATILE MEMORY USING QUANTUM DOT - 特許庁

ＮＣ装置の揮発性メモリー保護方法および装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR PROTECTING VOLATILE MEMORY OF NC DEVICE - 特許庁

不揮発性メモリーとその製造方法および操作方法例文帳に追加

NON-VOLATILE MEMORY, ITS MANUFACTURING METHOD AND OPERATION METHOD - 特許庁

不揮発性メモリーとその製造方法および操作方法例文帳に追加

NONVOLATILE MEMORY, ITS MANUFACTURING METHOD, AND OPERATING METHOD - 特許庁

不揮発性メモリー構造は複数の電荷貯蔵のパターンを含む。例文帳に追加

This nonvolatile memory structure comprises a plurality of charge storage patterns. - 特許庁

不揮発性メモリー４を制御部３から着脱自在としてある。例文帳に追加

A nonvolatile memory 4 is set detachable from the control part 3. - 特許庁

垂直ＮＡＮＤチャンネルとこれを含む不揮発性メモリー装置、及び垂直ＮＡＮＤメモリー装置例文帳に追加

VERTICAL NAND CHANNEL, NONVOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING SAME, AND VERTICAL NAND MEMORY DEVICE - 特許庁

電源投入時、不揮発性メモリー１より不揮発性メモリー読み込み手段２により機種特定コード１０を読み込み機種特定コード判定手段３により不揮発性メモリーの種類を判定する。例文帳に追加

At power-on, this control device uses an nonvolatile memory reading means 2 for reading the type specifying code 10 from the nonvolatile memory 1 and uses a type specifying code determining means 3 for determining the type of the nonvolatile memory. - 特許庁

不揮発性メモリーと揮発性メモリーの構成において、瞬断、α線等によって不揮発性メモリーの記憶情報が変化し誤動作した場合に、誤動作検知の有無に関わらず、正常動作に復帰する。例文帳に追加

To return to a normal operation regardless of existence of a malfunction detecting device when memory information of the nonvolatile memory is changed and the malfunction is effected due to a momentary break, α-rays, etc., in a configuration of nonvolatile memory and volatile memory. - 特許庁

制御装置内に不揮発性メモリーを実装しても該当機種と不揮発性メモリーが一致しているか否かを確認できるようにする。例文帳に追加

To obtain a controller, in which matching of a nonvolatile memory with a relevant machine type can be confirmed, when mounting the controller a nonvolatile memory. - 特許庁

不揮発性メモリー１に識別コードを記憶させ、特殊操作判定手段４より不揮発性メモリー１の識別コードを表示させる操作の判定をおこなうと、表示手段３は不揮発性メモリー読み込み手段２により読み込んだ不揮発性メモリー１の識別コードを表示することで該当機種と、不揮発性メモリーが一致していることを確認できる。例文帳に追加

An identification code is stored in a nonvolatile memory 1, and when a special operation decision means 4 decides an operation for displaying the identification code of the nonvolatile memory 1, a display means 3 displays the identification code of the nonvolatile memory 1 read in by a nonvolatile memory read in means 2, thereby confirming matching of the nonvolatile memory with a relevant machine type. - 特許庁

不揮発性メモリー半導体素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile memory semiconductor device and a method of manufacturing the same. - 特許庁

マルチ-ビット不揮発性メモリー装置をプログラムする方法が提供されている。例文帳に追加

To provide a method for programming a multi-bit non-volatile memory device. - 特許庁

本発明は、不揮発性メモリー素子の製造方法を提供し、不揮発性メモリー素子において階段形態のゲートを具現できるパターニング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a non-volatile memory element and a patterning method to realize a stepped structure gate in the non-volatile memory element. - 特許庁

抵抗回路と不揮発性メモリーとを有する半導体装置の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING RESISTOR CIRCUIT AND NONVOLATILE MEMORY - 特許庁

アドレス判定機能を有する不揮発性メモリー１ａ、１ｂとアドレス設定手段４ａ、４ｂを新制御基板２ａと旧制御基板２ｂとに配置し、２個の異なる制御基板上の不揮発性メモリーのデータバスラインを接続し、異なるアドレスの不揮発性メモリー間で不揮発性メモリー内データの複写を行う。例文帳に追加

Nonvolatile memories 1a, 1b having an address discriminating function and address setting means 4a, 4b are arranged on the new control board 2a and the old control board 2b and data bus lines of the nonvolatile memories on the two different control boards are connected and the data on the nonvolatile memories is copied from one to the other between the nonvolatile memories having different addresses. - 特許庁

新規な不揮発性メモリー装置、及びそれを含むメモリーシステムが提供される。例文帳に追加

To provide a new nonvolatile memory device and a memory system including the same. - 特許庁

１ビットを消去するために電子を不揮発性メモリーのゲートに注入する。例文帳に追加

To erase one bit, electrons are injected into the gate of the nonvolatile memory. - 特許庁

不揮発性メモリー２６ａは、１つのディザマトリクス分のディザマトリクスデータ２６を記憶している。例文帳に追加

A non-volatile memory 26a stores dither matrix data 26 corresponding to one dither matrix. - 特許庁

簡易な方法で書き換え可能な不揮発性メモリーの内容を部分的に書き換える。例文帳に追加

To partially reload contents in a non-volatile memory which can be reloaded by a simple method. - 特許庁

キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置例文帳に追加

CARRIER SPIN INJECTED INVERTED MAGNETIZATION MAGNETORESISTIVE EFFECT FILM, NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT USING THE FILM, AND MEMORY DEVICE USING THE ELEMENT - 特許庁

不揮発メモリーへのアクセス時の信頼性を高めることが可能な画像形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide an image forming apparatus in which reliability during access to a nonvolatile memory is increased. - 特許庁

稀少元素や有害元素を含有しないノンポーラ型の不揮発性メモリー素子を提供する。例文帳に追加

To provide a non-polar type nonvolatile memory element containing neither rare element nor hazardous element. - 特許庁

ＬＥＤ電圧データ、ＬＥＤ発光時間データを調整前の不揮発性のメモリーに書き込む。例文帳に追加

The LED voltage data and LED light emission time data are written to a nonvolatile memory prior to adjustment. - 特許庁

不揮発性メモリー６への格納が完了したら、その旨を制御部８へ通知する。例文帳に追加

When completing the storage of the data to the nonvolatile memory 6, the analysis section 4 informs the control section 8 about it. - 特許庁

書戻しタスク部９２は第２記憶部１３２のデータＤを不揮発性メモリー５５に書き戻す。例文帳に追加

A write back task part 92 writes back the data D of the second memory 132 to the nonvolatile memory 55. - 特許庁

電圧印加により電気抵抗値が変化する抵抗変化材料を利用した不揮発性メモリー装置のメモリー素子及び、メモリー素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a memory element of a variable-resistance nonvolatile memory device using a variable-resistance material varying in electric resistance value when applied with a voltage, and to provide a method of manufacturing the memory element. - 特許庁

不揮発性メモリーにユニットの初期化動作終了を記憶させ、電源ＯＮ時に不揮発性メモリーの状態と実センサの状態が一致した場合には、初期化動作を実施しない。例文帳に追加

Completion of the initializing operation is stored in a non-volatile memory, and the initializing operation is not performed if the state of the non-volatile memory is agreed with the state of an actual sensor when the power supply is turned ON. - 特許庁

信頼できる不揮発性メモリーの電荷保持特性を有し、周辺回路と供給電源の低電圧化を可能とする不揮発性半導体記憶装置を得る。例文帳に追加

To provide a non-volatile semiconductor memory device, which has the reliable charge holding characteristics of a non-volatile memory and can lower the voltages of a peripheral circuit and a power source. - 特許庁

共通ソースラインのノイズを減少させる不揮発性メモリー装置及びその読出し方法が提供される。例文帳に追加

To provide a nonvolatile memory device and a reading method thereof that reduces noise on a common source line. - 特許庁

不揮発性メモリー装置は、セル領域、低電圧領域及び高電圧領域を持つ基板を含む。例文帳に追加

The non-volatile memory device includes a substrate having a cell region, a low voltage region, and a high voltage region. - 特許庁