「異方性結晶」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

結晶異方性ウェットエッチングは結晶面によりエッチング速度が異なることが知られており、結晶異方性エッチングを行うことで特定の結晶面のみを表出することが出来る。例文帳に追加

The crystal anisotropic wet etching is known to have different etching rates depending on crystalline planes, and only a specific crystalline plane can be exhibited by crystal anisotropic etching. - 特許庁

界面近傍の磁性相の結晶磁気異方性が高められている。例文帳に追加

The crystallomagnetic anisotropy of the magnetic phase is enhanced near the boundary. - 特許庁

シリコンの結晶異方性ドライエッチング方法、および装置例文帳に追加

CRYSTALLINE ANISOTROPIC DRY ETCHING METHOD FOR SILICON AND DEVICE THEREOF - 特許庁

多結晶集合型異方性粒子を含む複合磁石の再生方法例文帳に追加

METHOD FOR REGENERATING COMPOUND MAGNET CONTAINING POLYCRYSTALLINE AGGREGATED ANISOTROPIC PARTICLES - 特許庁

この機能素子２６を結晶異方性エッチングにより平滑化処理を行う。例文帳に追加

The function element 26 is smoothened by a crystal anisotropic etching. - 特許庁

有機微結晶の直交する３つの結晶軸に関して異方性を制御する方法を提供すること有機微結晶の配向制御法および有機微結晶の配向制御法装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for controlling orientation of organic microcrystals which controls anisotrophy of three orthogonalizing crystal axes of the organic microcrystals, and to provide an apparatus for controlling orientation of the organic microcrystal. - 特許庁

これまでとは異なる構造で結晶層の異方性を高めることができる多結晶構造膜を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a film having polycrystal structure in which the anisotropy of a crystal layer is increased with structure different from that in a conventional product. - 特許庁

有機化合物の微結晶が分散媒中に分散されている有機微結晶分散系に、磁場と電場を同時に印加することにより、直交する３つの結晶軸に関して結晶が異方性配向させる。例文帳に追加

The invention relates to the method for anisotropical orientation of the crystals relating to the orthogonalizing three crystal axes by simultaneously applying a magnetic field and an electric field to the organic microcrystal dispersion dispersing the microcrystals of an organic compound in a dispersing medium. - 特許庁

所望の方位を持つ種結晶１７を用いて、該種結晶１７から成長させることにより、結晶方位が或る特定の方向、例えば結晶の抵抗が低いC面方向（又はA軸方向）に制御された、異方性の結晶構造を持った熱電素子を得ることが可能になる。例文帳に追加

Since the thermoelectric element is grown from a seed crystal 17 having a desired orientation by using the crystal 17, the thermoelectric element having the anisotropic crystal structure can be obtained in which the crystal orientation is controlled in a certain specific direction, for example, in the C-face direction (or A-axis direction), in which the resistance of the crystal is low. - 特許庁

熱電素子の製造方法において、異方性の結晶構造を持った熱電素子の結晶方位を所望の方位に制御できるようにする。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing thermoelectric element by which the crystal orientation of a thermoelectric element having an anisotropic crystal structure can be controlled to a desired orientation. - 特許庁

ハードマスクＨＭを用いて単結晶シリコン膜について異方性エッチング処理を実施し、単結晶シリコンパターンを形成する。例文帳に追加

An anisotropic etching is performed to a single-crystal silicon film using a hard mask HM to form a single-crystal silicon pattern. - 特許庁

異方性エッチング処理では、結晶の｛１１１｝面よりもエッチング速度が遅い結晶面を有する凹凸が形成される。例文帳に追加

Projections/ recessions having a crystal surface which is slower in an etching velocity than the (111) surface of the crystal are formed by the anisotropic etching processing. - 特許庁

この異方性によって、アンチフェーズバウンダリー(APB)を含まない結晶欠陥の少ない単相のSiC単結晶薄膜を形成可能とした。例文帳に追加

An SiC single crystal thin film of a single phase which comprises no anti-phase boundary (APB) and has less crystal defect can be formed on account of this anisotropy. - 特許庁

異種単結晶基板の上に成長したダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜の特性を改善し、単結晶に近づける方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for improving characteristics of a diamond heteroepitaxial film grown on the substrate of a different kind of single crystal and making the film like a single crystal. - 特許庁

一軸圧力を加えた面に（１１１）面を多く配向させた独自の結晶異方性を有する多結晶ＭｇＯ焼結体である。例文帳に追加

The polycrystal MgO sintered compact has original crystal anisotropy in which a (111) face is oriented large to a face with monoaxial pressure applied thereto. - 特許庁

工程数の増加を伴うことなく、結晶の異方性が異なる複数の領域を有する結晶化半導体膜を形成することができる結晶化半導体膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a crystallized semiconductor film allowing to form the crystallized semiconductor film having a plurality of regions of different crystal anisotropic properties without increasing the number of steps. - 特許庁

本発明の繊維シートは、異方性ポリマー繊維と結晶性樹脂とを含み、結晶性樹脂は結晶性樹脂が本来有する溶融点よりも５℃以上高い融解ピーク温度を有する。例文帳に追加

The fiber sheet contains an anisotropic polymer fiber and a crystalline resin, and the crystalline resin has a melting peak temperature higher than the characteristic melting point of the crystalline resin by ≥5°C. - 特許庁

結晶化されたシリコンの結晶粒界の数を最小化するための、垂直方向に対する特性の向上はもとより水平方向及び垂直方向に対する異方性をも改善するシリコン結晶化用のマスク、これを用いたシリコン結晶化方法及び表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a mask for silicon crystallization, a silicon crystallizing method using it, and a display device, for improving characteristics in vertical direction and improving anisotropy in both horizontal direction and vertical direction, for minimizing the number of grain boundaries of the silicon which is crystallized. - 特許庁

新規酸化チタン製造方法によって、特異な結晶面をもつ、結晶性の高い5nm〜100nmの粒子径の、高結晶性アナターゼ単相酸化チタン超微粒子、およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high-crystallinity anatase-single phase titanium oxide ultra-fine particle having a specific crystal face and a particle size of 5 nm to 100 nm with high crystallinity according to a novel production method of titanium oxide, and a production method of the high-crystallinity anatase-single phase titanium oxide ultra-fine particle. - 特許庁

フェライト系ステンレス鋼線、線材における結晶方位の異方性を除去する製造方法例文帳に追加

PRODUCTION METHOD FOR REMOVING ANISOTROPY OF CRYSTAL ORIENTATION IN FERRITIC STAINLESS STEEL WIRE OR WIRE ROD - 特許庁

ＭＩＣＲトナー用途のための磁気結晶異方性を有する強磁性ナノ粒子例文帳に追加

FERROMAGNETIC NANOPARTICLE HAVING MAGNETIC CRYSTALLINE ANISOTROPY FOR MICR TONER USE - 特許庁

異方性が少なく、球状に近い形状の高結晶性黒鉛粒子を提供する。例文帳に追加

To provide highly crystalline graphite particles which have low anisotropy and a nearly spherical shape. - 特許庁

性能の高い、多結晶異方性の高密度圧縮成形磁歪材料を得ること。例文帳に追加

To obtain a high-performance, high-density pressed magnetostrictive material having polycrystal anisotropy. - 特許庁

核粒子は、結晶構造に異方性があり、１つの軸方向への結晶成長が他の軸方向への成長よりも速い材料を用いて、単結晶が成長する条件下で作製する。例文帳に追加

The core particle is produced under conditions which bring the growth of a single crystal by using a material which has anisotropy in the crystal structure and in which crystal growth in one axial direction is more rapid than growth in another axial direction. - 特許庁

外筒部１４の薄板１４Ａは結晶磁気異方性を有する化合物の結晶粒４４を含み、結晶粒４４の磁化容易方向を板面に対し垂直な方向に配向する。例文帳に追加

In the thin plate 14A of the outer cylinder portion 14, crystal grains 44 of the compound having a crystal magnetic anisotropy are contained and their directions of easy magnetization are oriented toward the vertical direction to the surface of the thin plate 14A. - 特許庁

新規酸化チタン製造方法によって、特異な結晶面をもつ、結晶性の高い5nm〜100nmの粒子径の、高結晶性アナターゼ単相酸化チタン超微粒子の分散液を提供する。例文帳に追加

To provide a high-crystallinity anatase single phase titanium oxide ultrafine particle dispersion of which the ultrafine particles have a specific crystal face, have high crystallinity, and have particle diameters of 5-100 nm, according to a new method for producing titanium oxide. - 特許庁

一方、本発明では、湿式の結晶異方性加工が行なわれるためエッチングストッパが不要になる。例文帳に追加

In the present invention, however, since wet crystalline anisotropy treatment is performed, etching stoppers become unnecessary. - 特許庁

電気伝導異方性を有する多結晶セラミックス焼結体とその製造方法例文帳に追加

POLYCRYSTALLINE SINTERED CERAMIC HAVING ANISOTROPIC ELECTRIC CONDUCTIVITY AND ITS PRODUCTION PROCESS - 特許庁

その結晶構造の差異に応じて、一方では残留分極が極端に少ない結晶が得られ、他方では飽和分極が高く顕著なヒステリシス特性を示す結晶が得られる。例文帳に追加

A crystal having extremely less remnant polarization on the one hand and a crystal exhibiting hysteresis characteristics with an extremely high saturation polarization on the other hand are obtained, depending on differences in the crystalline structure. - 特許庁

針状体製造方法は、単結晶シリコン基板１０に針状体形状１１を形成し、針状体形状が形成された単結晶シリコン基板に結晶異方性ウェットエッチング処理を施す。例文帳に追加

The method of manufacturing the needle-shaped material includes the steps of forming a needle shape 11 on a monocrystal silicon substrate 10 and crystal-anisotropic-wet-etching the silicon substrate having the needle shape formed. - 特許庁

ＹＬＦ結晶のような異方性結晶をレーザ結晶として用い、側面の多方向から効率よく励起ができ、これにより大出力化を可能にする側面励起型固体レーザ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a solid-state laser device that is provided with an anisotropic crystal such as a YLF as a laser crystal and capable of efficiently exciting a laser crystal by applying exciting rays to its side face from all directions and outputting a high power. - 特許庁

酸化物結晶Ｂを含むスラリーを得る工程と、前記酸化物結晶Ｂに磁場を印加するとともに前記酸化物結晶Ｂの成形体を得る工程と、前記成形体を酸化処理して、前記酸化物結晶Ｂの一部もしくは全体とは異なる結晶系を有する酸化物結晶Ｃからなる配向性酸化物セラミックスを得る工程を有する配向性酸化物セラミックスの製造方法。例文帳に追加

The method for producing oriented oxide ceramics includes: a step of obtaining slurry including oxide crystals B; a step of applying a magnetic field to the oxide crystals B, and further obtaining the formed body of the oxide crystals B; and a step of subjecting the formed body to oxidation treatment to obtain oriented oxide ceramics made of oxide crystals C having a crystal system different from a part or the whole of the oxide crystals B. - 特許庁

結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性を混在させた結晶において少なくとも表面において極性の単結晶としてデバイスをその上に製造するに適した単結晶基板を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a single crystal substrate, the method being suitable for manufacturing the single crystal substrate in which a single crystal of a polarity A is formed on at least the surface of a crystal in which parts having different polarities A and B and having opposite structure with respect to the crystal orientation coexist, and a device is fabricated on the single crystal of the polarity A. - 特許庁

結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性Ａ、Ｂを混在させた結晶において少なくとも表面において極性Ａの単結晶としてデバイスをその上に製造するに適した単結晶基板およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a single crystal substrate which is suitable for producing a device thereon as a single crystal of a polarity of A in at least its surface, in a crystal in which parts having different polarities A and B and having opposite structure with respect to the crystal orientation coexist, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、該多結晶体を構成する擬立方｛１００｝面が配向する結晶配向セラミックスを製造するためのテンプレートとして用いられる異方形状粉末及びこれを用いた結晶配向セラミックスの製造方法である。例文帳に追加

The invention relates to an anisotropically formed powder composed of a polycrystal having a main phase of an isotropic perovskite-type compound to use as a template for preparing a crystal oriented ceramic in which pseudo-cubic {100} planes composing the polycrystal are oriented, and to a method of manufacturing the crystal oriented ceramic using the same. - 特許庁

異方性レーザー結晶の結晶軸（ａ軸、ｃ軸）のうち、結晶極限強さの最大値が存在している方向の結晶軸（ａ軸）が、ポンピングビーム横断面のより小さな拡がりの方向にある最大温度勾配に沿って指向している。例文帳に追加

A crystal axis (axis a) in the direction where the maximum value of crystal limit strength is present between crystal axes (axes a and c) of the anisotropic laser crystal is directed along a maximum temperature gradient in the direction of a smaller spread in the pumping beam cross section. - 特許庁

表面が基板のある結晶面に対して分かった角度である単結晶基板を選択することにより、基板の異方性エッチングにより、特定の結晶面に対応する反射表面を有する回折格子の溝を形成できる。例文帳に追加

Diffraction grating grooves 110 having the reflection surface corresponding to a specific crystal plane is formed by the anisotropic etching of a substrate by selecting a single crystal substrate with a known angle to the crystal plane, on the surface of which the substrate exists. - 特許庁

次に第１多結晶Ｓｉ膜上の酸化膜上に第２（３層目）の多結晶Ｓｉ膜３３を形成後、受光部を開口したレジストを用い第２の多結晶Ｓｉ膜を異方性エッチングし、電極ＤＶ３を形成する。例文帳に追加

Subsequently, a second (third layer) poly-Si film 33 is formed on the oxide film on the first poly-Si film and the second poly-Si film is subjected to anisotropic etching using a resist opened at the light receiving part before an electrode DV3 is formed. - 特許庁

本発明の技術的課題は、異種結晶（超伝導特性を示さない結晶）の析出量が少なく、短時間の処理でＢｉ系超伝導結晶を析出させ得る超伝導材料の製造方法を創案することである。例文帳に追加

To discover a method for producing a superconducting material with which a Bi-based superconducting crystal can be precipitated by a short-time treatment while heterologous crystals (not indicating superconducting characteristics) are rarely precipitated. - 特許庁

異なった2方向から見たとき2つの違う色を示すような結晶の他色性例文帳に追加

pleochroism of a crystal so that it exhibits two different colors when viewed from two different directions  - 日本語WordNet

異方性レーザー結晶を利用したダイオードポンピングされたレーザー装置例文帳に追加

LASER DEVICE USING ANISOTROPY LASER CRYSTAL BY WHICH DIODE PUMPING WAS CARRIED OUT - 特許庁

ドープド・ペロブスカイト・マンガナイト単結晶を用いた巨大異方性磁気抵抗素子例文帳に追加

GIANT ANISOTROPIC MAGNETORESISTANCE ELEMENT USING DOPED PEROVSKITE MANGANITE SINGLE CRYSTAL - 特許庁

単結晶シリコン基板３１に対する異方性エッチングにより上記各Ｖ溝が形成されている。例文帳に追加

The V grooves are formed by an anisotropical etching conducted on a single crystal silicon substrate 31. - 特許庁

例えば、２枚の異方性結晶板の間にフィルム波長板をはさんで接合した。例文帳に追加

For example, the film wavelength plate is sandwiched and bonded between two anisotropic crystal plates. - 特許庁

異性化反応および結晶化工程を含む２，６−ジメチルナフタレンの分離および精製方法例文帳に追加

METHOD FOR SEPARATING AND PURIFYING 2,6-DIMETHYLNAPHTHALENE INCLUDING ISOMERIZATION REACTION AND CRYSTALLIZATION PROCESSES - 特許庁