「研摩機」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

研磨プラテンを有する化学機械研摩装置で使用する研摩パッド・アセンブリを記載した。例文帳に追加

A polishing pad assembly to be used in a chemical machinery polishing device having a polishing platen is provided. - 特許庁

ベルト式研摩装置のベルト交換機構例文帳に追加

BELT CHANGING MECHANISM OF BELT GRINDING DEVICE - 特許庁

電気化学的機械研摩の為の導電性研磨物例文帳に追加

CONDUCTIVE POLISHING OBJECT FOR ELECTROCHEMICAL MECHANICAL POLISHING - 特許庁

ブレード表面研摩装置のブレード固定機構例文帳に追加

BLADE-FIXING MECHANISM FOR BLADE SURFACE POLISHER - 特許庁

レンズ研摩装置に用いる計測機構であって、研摩部位近傍の構造を簡易に構成可能な、或いは、上軸揺動式の研摩装置においても採用することが可能なレンズ研摩量の計測機構を提供する。例文帳に追加

To provide a structure for measuring the ground amount of a lens by which the constitution in the vicinity of a grinding position can be formed simply, or can be used for the grinding device of the an upper axis swinging type as this is the measuring structure using the device for grinding lens. - 特許庁

極薄のワークをキャリアを使用することで両面同時研摩することを可能にしたオスカータイプ両面研摩機を提供すること。例文帳に追加

To provide an Oscar type double-sided grinder capable of simultaneously grinding both sides of an extremely thin work by using a carrier. - 特許庁

極性のデッドゾーンによる研磨ムラを解消し、一定以上の大きさの被研摩材に対しても研摩可能な磁気研磨機を提供すること。例文帳に追加

To provide a magnetic grinding machine which can eliminate grinding irregularities caused by a dead zone in polarity, and grind a work of the size larger than the predetermined value. - 特許庁

研摩装置の個々の調整作業を簡易化するとともに、研摩装置間或いは研摩ユニット間の機械的構造や調整特性のばらつきを低減することにより、高品位の製品を安定的に製造することを可能にした研摩装置の提供。例文帳に追加

To provide a polishing device capable of stably manufacturing a product of high quality by simplifying individual adjusting work of the polishing device and reducing dispersing of a mechanical structure and an adjusting characteristic between the polishing devices or polishing units. - 特許庁

砥粒および水酸化セシウムを含有する化学的機械研摩用組成物、ならびに水酸化セシウム含有研摩用組成物を用いて集積回路に関連する誘電体層を研摩する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical mechanical polishing composition including an abrasive and cesium hydroxide, and a method for polishing a dielectric layer associated with an integrated circuit using cesium hydroxide containing a polishing composition. - 特許庁

半導体の化学機械研摩プロセス中の金属除去レ—トを増大させる方法及びＣＭＰ方法例文帳に追加

METHOD FOR INCREASING METAL-REMOVAL RATE DURING CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING PROCESS FOR SEMICONDUCTOR, AND CMP METHOD - 特許庁

歯車伝達機構を使用しない新たな概念の高圧・高速両面研摩加工法と装置の提供。例文帳に追加

To provide a high pressure and high speed double-side polishing method without a gear transmission mechanism. - 特許庁

本発明は、アルミニウムを含有する基材を研摩する研摩スラリーにおいて、砥粒と、２０℃での水に対する溶解度が０．１ｇ／１００ｇ−Ｈ_２Ｏ以上である無機ホウ素化合物と、水を含有することを特徴とする研摩スラリーに関する。例文帳に追加

A polishing slurry for polishing the base material containing aluminum contains abrasive grains, an inorganic boron compound whose solubility in water at 20°C is 0.1 g/100 g-H_2O or more, and water. - 特許庁

本発明装置を用いることによって研摩機またはバフ加工機の操作が容易になり、パッチを取付けるための研摩深さと表面積を正確に制御できる。例文帳に追加

The tire surface treating device facilitates operation of an abrasive machine or buffing machine whereby a depth of abrasion and surface area required for attaching the patch are accurately controlled. - 特許庁

本発明の、銅の層又は銅の合金の層を研摩する化学的−機械的研摩（ＣＭＰ）スラリーは、エッチャントと、酸化抑制剤と、銅及び酸化抑制剤の間の錯化を調整する添加剤とを含む。例文帳に追加

The chemical - mechanical polishing(CMP) slurry for polishing the layer of copper or that of the alloy of copper contains an etchant, an oxidation suppression agent, and an additive for adjusting the complexing between the copper and the oxidation suppression agent. - 特許庁

保持機構３は、第一研摩ユニット４３側に配置された第一チャックテーブル３１１と、第二研摩ユニット４４側に配置された第二チャックテーブル３１２とを有する。例文帳に追加

A holding mechanism 3 includes a first chuck table 311 arranged on the first polishing unit 43 side and a second chuck table 312 arranged on the second polishing unit 44 side. - 特許庁

半導体ウエハの平面化の均一性を改良するため、研摩パッド／ベルトの選択的な加熱を使用した、化学機械研摩（ＣＭＰ）装置及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide chemical-mechanical polishing(CMP) equipment and its method, which use selective heating of a polishing pad/a belt in order to improve uniformity of planarizing a semiconductor wafer. - 特許庁

仮設足場本体に、荷物移動用のローラ２を装着し、ローラ上に移動用の台３に研摩機４を研摩デイスク面５が壁面に接するように載せ、往復させることを特徴とする。例文帳に追加

A roller 2 for moving a load is attached to the main body of a temporary scaffold, a polishing machine 4 is placed on a moving base 3 on the roller so as to bring a polishing disk surface 5 into contact with the wall surface and is subjected to reciprocating motions. - 特許庁

第１島タンク１１５からの玉と打込み玉とが合流された第２島タンク１２３内の玉は研摩リフト上方にリフトされ、かつ研摩された後、各弾球遊技機に供給される。例文帳に追加

The balls within the second island tank 123 to which the balls are gathered from the first island tank 115 and the shot balls are lifted onto the upper part of a polishing lift while being polished and then, supplied to the individual pachinko game machines. - 特許庁

同時にこの改質層８０を研摩部材３０と研摩スラリー７０によって機械的に除去加工し、これによって樹脂材料ウエハＷの表面を平坦化する。例文帳に追加

The modified layer 80 is mechanically removed and processed by a grinding member 30 and the grinding slurry 70 at the same time, and thereby the surface of the resin material wafer W is flattened. - 特許庁

砥石周辺に配置した複数の治具を用いて順次研磨工程を実行してドリルの研摩を行うドリル研磨機において、前記治具の取り付けの自由度を増し、作業性の向上、研摩工程の増加を図ることである。例文帳に追加

To provide a drill polishing machine to polish a drill by sequentially carrying out polishing processes by using a plurality of jigs arranged in the periphery of a grinding wheel, capable of increasing freedom of mounting the jigs, improving work efficiency and increasing the polishing processes. - 特許庁

ポリシリコン・マスクと化学機械研摩（ＣＭＰ）平坦化を使用して２通りの異なるゲート誘電体厚を製作するためのプロセス例文帳に追加

PROCESS FOR MANUFACTURING TWO KINDS OF DIFFERENT GATE DIELECTRIC THICKNESSES USING POLYSILICON MASK AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING(CMP) PLANARIZATION - 特許庁

フォトレジストは化学機械研摩プロセスで平坦化されて、基板１０全体にわたって均一な厚さを達成する。例文帳に追加

The photoresist is planarized by chemical-mechanical polishing process, and an uniform thickness is realized over the entire substrate 10. - 特許庁

化学機械研摩法において、窒化ケイ素に対する二酸化ケイ素の高選択度を示しかつ広いｐＨ実施範囲を有するスラリーを提供する。例文帳に追加

To provide an aqueous slurry which exhibits a higher selectivity to silicon dioxide than to silicon nitride in a chemomechanical polishing method and has a wide pH execution range. - 特許庁

高品質で能率的かつ経済的な両面研磨を可能とする両面研摩装置用ドレッサ収納機構を提供する。例文帳に追加

To provide a dresser accommodating mechanism for a double-faced polishing device capable of performing an efficient/economical double-faced polishing with high quality. - 特許庁

フュ−ムド砥粒ならびに約０．０１〜約５．０wt％の少なくとも１つのＣｓ＋塩基性塩からなる化学的機械研摩用組成物。例文帳に追加

A composition for chemical mechanical polishing composition comprises fumed abrasive grains and about 0.01 to about 5.0 wt.% of at least one Cs+ basic salt. - 特許庁

ドレッサ７００は、上下面に設けられる多数の研削部を外周部に限定的に有することにより、両面研摩装置のキャリア吸着搬送機構により、両面研摩装置に対するドレッサ７００の自動搬送、自動排出を可能とする。例文帳に追加

The dresser 700 is allowed to automatically carry out and discharge the dresser 700 to the double-faced polishing device with a carrier-sucking carrying mechanism of the double-faced polishing device by limitedly having a number of grinding sections provided on the upper and lower surfaces at a circumferential section. - 特許庁

車両のパーキングブレーキ等に使用される静的制動用ブレーキにおいて、該ブレーキを構成する摩擦材１６の研摩面を平滑面とするように、前記研摩面に有機樹脂を主成分とする樹脂皮膜１８が形成されていると共に、前記有機樹脂には、樹脂皮膜１８の摩擦係数を向上し得るゴム等の摩擦材料が配合されていることを特徴とする。例文帳に追加

In a static damping brake to be used for the parking brake of a vehicle, a resin film 18 mainly formed out of organic resin, is formed over its ground surface so as to let the ground surface of friction material 16 consisting of a brake, be smooth, and the friction material capable of enhancing the friction coefficient of the resin film 18, is blended in the organic resin. - 特許庁

半導体ウエハ等の基材に設けた微細な凹みに導電性の金属材料を埋込み（工程１）、その後埋込み金属の最外層側から、金属材料表面を作業液（研摩液や薬液、洗浄液を含む）を用いて機械的・化学的作用によって研摩する（工程２）ことによって配線構造を製造する。例文帳に追加

This method comprises the steps of embedding a conductive metallic material into fine recesses formed in a substrate, such as a semiconductor wafer (step 1), polishing the surface of the metallic material by a mechanical and chemical operation using a working solution (including a polishing solution, a chemical solution and a cleaning solution) from the outermost layer of the buried metal (step 2), whereby an interconnection structure is prepared. - 特許庁

引き出し式架台３には、研磨工具５１を回転させる工具軸モータ５３および研摩工具５１を揺動させる加工具揺動機構６を含む引き出し側機構部５が搭載されている。例文帳に追加

The drawing type frame 3 is installed with a drawing side mechanism part 5 including a tool shaft motor 53 for rotating a grinding tool 51 and a machining tool rocking mechanism 6 for rocking the grinding tool 51. - 特許庁

尚、表面処理テープ１０の代わりに、ＣａＯとＴｉＯ_2と含有する無機質粉末、若しくはＣａＯとＴｉＯ_2とＮｉＯと含有する無機質粉末を混練成形して成る、研摩部材を、採用してもよい。例文帳に追加

The polishing member prepared by kneading and molding the inorganic powder containing the CaO and TiO_2 or the inorganic powder containing the CaO, TiO_2 and NiO may be adopted in place of the surface treating tape 10. - 特許庁

本発明における無機ホウ素化合物の含有量は、研摩スラリーに対して、ホウ素原子に換算して０．１質量％〜２０質量％であることが好ましい。例文帳に追加

The inorganic boron compound content is preferably from 0.1 mass% to 20 mass% relative to the polishing slurry in terms of boron atoms. - 特許庁

スチームインジェクタと研摩材からなる高速固液噴流により機器および構造材を除染でき、破砕され難いセラミックス粒子の適用による二次廃棄物発生量の低減と再汚染を抑制する。例文帳に追加

To decontaminate components and structures with high speed solid- liquid discharge flow of steam injector and abrasive and reduce secondary waste generation and suppress recontamination by applying hardly crashed ceramics particles. - 特許庁

半導体デバイスの研磨加工などに使用される化学機械研摩用の研磨液を調製するにあたり、一層高精度に濃度調整でき且つ効率的に調整できる研磨液の調製方法および調製装置を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing liquid preparation method and an apparatus capable of efficiently preparing polishing liquid more precisely regulated in concentration when a polishing liquid for chemically and mechanically polishing a semiconductor device is prepared. - 特許庁

本発明は、被加工物に反りを有していた場合であっても、極めて高精度なラップ加工、研摩加工ができるようにした真直度修正治具と真直度修正機と真直度修正方法の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a straightness correcting jig, machine and method implementing extremely highly precise lapping and polishing even in case of having warp in a work. - 特許庁

斜め研摩された光ファイバ端面の最大傾斜線方位の検出を高価な機材を用いることなく、安定かつ短時間で行える検出装置を提供する。例文帳に追加

To provide a detection apparatus by which the azimuth of a maximum inclination line at an obliquely polished end face of an optical fiber can be detected stably and in a short time without using a high-cost apparatus. - 特許庁

中性領域で用いても腐敗せず、且つスクラッチやディッシングといった被研磨面の表面欠陥の発生もほとんどなく、被研摩面を十分に平坦化することができる化学機械研磨用水系分散体を提供すること。例文帳に追加

To provide a water-based dispersing substance for chemical machinery polishing which does not corrode even when used in a neutral region, and scarcely generates such surface defects of a polished surface as scratch and dishing, and further, can flatten enough the polished surface. - 特許庁

好ましくは、本発明は水、約１〜約５０wt％のフュ−ムドシリカ、および約０．１〜２．０wt％のＣｓＯＨを含有する化学的機械研摩用組成物である。例文帳に追加

Preferably, the composition for chemical mechanical polishing comprises water, about 1 to about 50 wt.% of fumed silica, and about 0.1 to 2.0 wt.% of CsOH. - 特許庁

研磨粒子並びにカルボン酸官能基及びアミン類とハロゲン化物から選ばれる第二の官能基の両方を有する有機化合物を含んでなる、化学機械研摩法を用いて製品の表面から窒化ケイ素に優先して二酸化ケイ素を選択的に除去するのに用いる水性スラリー。例文帳に追加

This aqueous slurry contains polishing particles and an organic compound having a carboxylic-acid-functional group and a second functional group selected from among amine groups and halide groups and is used for removing silicon dioxide in preference to silicon nitride from the surface of a product by a chemomechanical polishing method. - 特許庁

半導体デバイスの製造工程において、銅又は銅合金からなる導体膜とバリア金属膜とを連続的に一つの金属研摩液で化学的機械的研磨する際に用いられ、下記成分（１）、下記成分（２）及び下記成分（３）の成分を含むことを特徴とする金属用研磨液。例文帳に追加

The metal polishing liquid is singly used to chemically and mechanically polish a conductor film made of copper or copper alloy and a barrier metal film continuously in the step of manufacturing a semiconductor device. - 特許庁

Ｎｉ−Ｐメッキを施したアルミニウム基板の研摩工程を経た後の洗浄工程において、酸化還元電位がプラス又はマイナスの機能水により所要時間処理することにより、前記基板の表面を改質し、耐食性能を向上させるようにした。例文帳に追加

In a washing process step after a polishing process step of the aluminum substrates subjected to Ni-P plating, the aluminum substrates are treated for a required time by function water of plus or minus oxidation reduction potential, by which the surfaces of the substrates are reformed and the corrosion resistance is improved. - 特許庁

タンデム式冷間圧延機１による冷延鋼板の製造方法において、砥石研摩後に粒径２４０〜４００μｍのグリットを用いてショットブラスト加工を施したダルロール７ｘを、冷間圧延機の少なくとも第１スタンドを含む前段スタンドのワークロールに用いて冷間圧延を行う。例文帳に追加

In the production method for the cold rolled steel sheet by a tandem cold rolling mill 1, a dull roll 7x to which a shot-blast work is applied with a grid having a particle diameter of 240-400μm after honing is used in a work roll at a preceding stand including at least a first stand of the cold rolling mill, and the cold rolling is carried out. - 特許庁

化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）装置において、キャリア１３４とメンブレン１７０を有しターンテーブルの研摩パッド上に位置するポリシングヘッド１３０は、マニホールド１３２と、リテーニングリング１４０と、キャリア１３４内の中央部に設けられるサポータ１５０と、キャリア１３４とサポータ１５０との間に位置するチャッキングリング１６０とを有する。例文帳に追加

In a chemical mechanical planarization(CMP) apparatus, a polishing head 130, that has a carrier 134 and a membrane 170 and is positioned on the polishing pad of a turntable, is equipped with a manifold 132, a retaining ring 140, a supporter 150 provided at a center section in the carrier 134, and a chucking ring 160 positioned between the carrier 134 and a supporter 150. - 特許庁

表面粗さＲｚが０．１μｍ以上１μｍ未満に粗面化した基材上に、鋭角形状の硬質粉末及び固体潤滑剤、極圧添加剤を含有し、さらに樹脂バインダーを含有して構成される研摩機能を有する摺動用コーティング皮膜材料を被覆形成することにより、動弁系摺動材料を得る。例文帳に追加

The surface of a base material roughened into the surface roughness Rz of 0.1 to <1 μm is coated and formed with a coating film material for sliding composed so as to incorporate acute hard powder, a solid lubricant and an extreme-pressure additive and further incorporated with a resin binder and having a polishing function to obtain the valve system sliding material. - 特許庁