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自発磁場発生の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
本発明による磁気ランダムアクセスメモリは,基板(1)と、反転可能な自発磁化を有する強磁性層(8)を含み,自発磁化の方向に応じて抵抗が変化し,且つ,前記基板(1)の上方に形成された磁気抵抗素子(5)と,磁気抵抗素子(5)に印加される磁場を発生する電流を流すための配線(11)とを備えている。例文帳に追加
This magnetic random access memory comprises a substrate (1), a magnetoresistive element (5) which includes a ferromagnetic layer (8) having reversible spontaneous magnetization and whose resistance changes according to the direction of the spontaneous magnetization and which is formed above the substrate (1), and wiring (1) through which a current for generating a magnetic field applied to the magnetoresistive element (5) flows. - 特許庁
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