「露許り」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

多面取りプロセスにおいて、露光位置の精度許容範囲を拡大できる製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method capable of expanding an accuracy allowable range at an exposure position in a multiple-production process. - 特許庁

これは首露王と王妃許氏の間に10人の息子がおり、そのうち2人に許姓を名乗らせたと言う事から来ている。例文帳に追加

This stems from the fact that King Suro-wang and his wife from the Heo clan had ten sons, two of which were given the family name of Heo.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

一回の露光中の像振れが許容範囲内に収まるようになるまで（Ｓ９のＮＯ）、露光と電荷掃き捨てを繰り返す。例文帳に追加

The exposure and the sweeping-out of the electric charge are repeated until the image blurring during one exposure becomes within an allowable range (no in S9). - 特許庁

像ぶれ量を所定のぶれ許容値と比較し（Ｓ１２０）、ぶれ許容値を超える場合、再度露光を開始する。例文帳に追加

The amount of the image blur is compared with a prescribed blur permissible value (S120) and when the quantity exceeds the blur permissible value, the exposure is started again. - 特許庁

そして、空気ダクト（21）内での結露を許容することによって、ヒータ（26）での加熱量を削減する。例文帳に追加

By allowing the condensation of the saturated air in the air duct 21, the heating amount by a heater 26 is reduced. - 特許庁

露出制御装置１は、イメージセンサ１１のシャッタ速度およびＰＧＡ１２の利得の補正量を、露出誤差の大きさに応じて変化させながら、露出誤差が露出許容範囲に収まるように調整する。例文帳に追加

An exposure control apparatus 1 adjusts an exposure error so that the exposure error settles within an exposure permissible range while changing the shutter speed of an image sensor 11 and the amount of gain correction of a PGA 12 depending on the magnitude of the exposure error. - 特許庁

フォトリソグラフィ法における露光は２回行い、１回目の露光と２回目の露光との間で、フォトマスク２２を露光パターンのずれの許容範囲内で移動させる。例文帳に追加

Exposures in the photolithography method are performed twice, and a photomask 22 is moved between the first exposure and the second exposure within an allowable range of deviation of an exposure pattern. - 特許庁

事前露光部２３と未露光部２２との境界部分２６に臨む遮光マスク２５の端面に湾曲部２８を設けることにより、境界部分２６への光の回り込みを許容する光回り込み許容処理を施す。例文帳に追加

By providing a curved part 28 at the end surface of the mask 25 facing a boundary part 26 between the pre-exposure part 23 and the unexposed part 22, light sneaking permission processing for permitting the sneaking of light into the boundary part 26 is executed. - 特許庁

光源から放射された光の通過を許す基準領域と光の一部の通過を許す振幅位相変調領域とを有するハーフトーン型位相シフトマスク（１４）を用いて露光対象面を露光する方法である。例文帳に追加

An object plane for exposure is exposed by using a halftone phase shift mask 14 having a reference region where the light from a light source can be transmitted and an amplitude phase modulation region where part of the light is transmitted. - 特許庁

また、露出制御装置１は、露出誤差が露出許容範囲内に収束した後、フリッカ現象が発生している場合には、制御感度を低く設定する。例文帳に追加

Moreover, if flicker takes place after the exposure error is converged in the exposure permissible range, the exposure control apparatus 1 sets control sensitivity low. - 特許庁

露光パラメータ決定装置１００は、前記評価値が所定の許容範囲に含まれるまで、露光パラメータの変更及び変更後の露光パラメータを用いたリソグラフィシミュレーションの実行を繰り返し、当該領域に露光パラメータを割り当てる。例文帳に追加

The light exposure parameter deciding device 100 repeats change of the light exposure parameter, and execution of the lithography simulation using the changed light exposure parameter until the evaluation value falls in a predetermined tolerance, and allocates the light exposure parameter to the region. - 特許庁

プロセス工程の少なくとも一部で電子ビーム露光を用いる半導体集積回路装置の製造工程において、ダミーチップ領域を露光する際に、電子ビーム露光装置で許容される最大開口面積以下のサイズのダミーチップ用パターンを有するマスクを用いて露光する。例文帳に追加

In a manufacturing process for a semiconductor integrated circuit device using electron beam exposure at least in part of the process, a dummy chip area is exposed to light using a mask having a dummy chip pattern of a size equal to or smaller than a maximum opening area allowable in an electron beam exposure device. - 特許庁

ＣＰＵ３１が、測距部２０の計測結果が、カメラに装填されたフィルム感度に応じた適正露出値を基準として定めた許容露出範囲に基づいた距離範囲外であるとき、露出オーバまたは露出アンダを検出する。例文帳に追加

A CPU 31 detects overexposure or underexposure when the measurement result of the range finding part 20 is not within a distance range based upon a permissible exposure range determined on the basis of a proper exposure value corresponding to the speed of a film loaded in a camera. - 特許庁

排水路３９に迷路状の気液分離構造４１を形成して、結露水の流下は許しながら、冷気の流動を困難化する。例文帳に追加

A labyrinth shaped gas/liquid separating structure 41 is formed in the water discharging channel 39 to allow the dew condensation water to flow down and make the flow of cold gas difficult. - 特許庁

露光精度の低下を許容できる場合にのみスループットをより重視した状態（又は値）となるように前記制御ファクタを変更する。例文帳に追加

The factor is changed so that a state in which the throughput is regarded most important (or value) is obtained, only in the case that a decrease in the exposure accuracy is allowed. - 特許庁

露光される基板の特性に基づいて、液浸流体を制御する流体閉じ込め構造に対する基板の最高許容速度が割り出され、露光プロセス中に、流体閉じ込め構造に対する基板の速度がこの最高許容速度未満に制限される、液浸リソグラフィ装置が提供される。例文帳に追加

The immersion lithography system determines an allowable maximum speed of a substrate with respect to an immersion-liquid trapping structure controlling the immersion liquid on the basis of characteristics of the exposure target substrate, and limits the speed of the substrate to the liquid trapping structure to the allowable maximum speed or below during an exposure process. - 特許庁

遮光層を露光形成する際の許容ずれ量のマージンを大きくし、且つ、画素有効面積の減少を防止できる。例文帳に追加

To increase a margin for allowable deviation in forming a light shielding layer with exposure and besides to prevent an effective pixel area from decreasing. - 特許庁

工程によって寸法変化を示す試料について、重ね合わせたパターンのずれを許容範囲内に収めることが可能な投影露光機を提供する。例文帳に追加

To provide a projection exposing machine which can suppress deviation of a superposed pattern of a sample having size variation with processes within a permissible range. - 特許庁

ブレが小さいときに露光許可を行うブレ軽減機能付きカメラにおいて、発生するレリーズタイムラグが短くなるようにすること。例文帳に追加

To shorten a release time lag, as for a camera with a shake reducing function allowing the exposure when a shake is small. - 特許庁

遠隔操作装置を用いてエンジンの始動を許可する自動二輪車における盗難防止装置において、配線が外部に露出しないようにする。例文帳に追加

To prevent exposure of a wire to the outside in an anti-theft device in a motorcycle for permitting engine start using a remote controller. - 特許庁

また、レジスタ４２４内の自動露光領域のずれ幅を示す値を適宜に設定することにより、セレクタ４２９からラインメモリ４１２への書き込み許可信号をアクティブにするタイミング（自動露光処理の開始タイミング）、つまり自動露光領域の開始位置を指定することができる。例文帳に追加

Also, by appropriately setting a value indicating the shift width of the automatic exposure area inside the register 424, the timing of activating write permission signals from a selector 429 to a line memory 412 (the start timing of an automatic exposure processing), that is the start position of the automatic exposure area, is specified. - 特許庁

この露出部分を利用して最短許容長さＬ１及び最長許容長さＬ２にそれぞれ対応して設定・位置決めされた２つの光センサ４２、４４によりタブレットＴの長さＬを検出する。例文帳に追加

The exposed part of each of the tablets T is utilized to detect the length L of each of the tablets T by two optical sensors 42 and 44 set and positioned corresponding to the shortest allowable length L1 and the longest allowable length L2. - 特許庁

この算出結果が予め設定された許容値以上である場合には、許容値以下になるまで露光動作を中断し、又は照明条件の切り替えを遅らせる。例文帳に追加

When the measured value exceeds a preliminarily set allowable value, exposure operation is suspended or switching-over of lighting conditions is delayed until the measured value becomes the allowable value or below. - 特許庁

そして、上記露出モード釦３０の操作により特定の露出モードが設定されている場合にのみ、上記イメージセレクト釦３４の操作による撮影モードの設定が、メインＣＰＵ４０で許可される。例文帳に追加

Only when the specified exposure mode is set by the operation of the button 30, the setting of the photographing mode by the operation of the button 34 is permitted by a main CPU 40. - 特許庁

１回の露光中の像振れが、許容範囲に収まったまま（Ｓ９のＮＯ）、適正な露光時間に達した場合（Ｓ６のＹＥＳ）は、露光動作を終了して電荷を転送路に送り（Ｓ１１）、通常の画像データの処理を行って記録する（Ｓ１３）。例文帳に追加

In the case of reaching the proper exposure time (yes in S6) while the image blurring during one exposure is kept in the allowable range (no in S9), the electric charge is fed to a transfer path by completing exposure operation (S11), and recording is performed by carrying out the usual processing of image data. - 特許庁

露光強度にむらを生ずる微小要素図形に対する拡大と隣接要素図形への重ね合わせを行い、重ね合わせ部分に対する２重露光を許容したパターン描画を可能にする（２、３）。例文帳に追加

Enlargement of a microelement figure generating unevenness in exposure intensity and superposition onto an adjacent element figure are performed so that a pattern can be written while allowing double exposure at a superposed part (2, 3). - 特許庁

煙層の曝露限界時間の算定方法、該曝露限界時間を用いた許容避難時間の算定方法、これらの算定方法を実行するプログラム、およびこのプログラムを記録した記録媒体例文帳に追加

CALCULATING METHOD OF EXPOSURE LIMIT TIME OF SMOKE LAYER, CALCULATING METHOD OF ALLOWABLE ESCAPE TIME USING EXPOSURE LIMIT TIME THEREOF, PROGRAM FOR EXECUTING CALCULATING METHODS THEREOF, AND RECORDING MEDIUM FOR RECORDING PROGRAM THEREOF - 特許庁

装着部位に高い精度を要することなく露光装置を所定の許容精度内に設定することができ、露光装置の位置誤差に起因する画像不良を生ずることのない画像形成装置および感光体ユニットを提供する。例文帳に追加

To provide an image forming apparatus capable of setting an exposure device within predetermined allowable accuracy without requiring high accuracy on an attaching part, and preventing an image defect caused by the positional error of the exposure device, and a photoreceptor unit. - 特許庁

複数枚のウェーハ１４に対するパターン形成が実行されるごとにパターン寸法の変動を監視し、その監視結果から露光量・フォーカス許容領域を求め、その露光量・フォーカス許容領域の中心を露光量およびフォーカスに対する新たな目標値として逐次に更新していく。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor includes steps of: supervising the variation of the pattern dimension whenever the pattern forming is performed to a plurality of wafers 14, measuring the light exposure/focal permission region from the monitor result, and sequentially updating the center of its light exposure/focal permission region as a new target value over the light exposure and the focus. - 特許庁

この電子カメラは、手振れセンサ９０により検出された手振れ値が許容範囲外の場合には、撮像素子の感度を補正し、当該感度と被写体の輝度値とに基づいて露出値を算出するシステムコントローラ３を備えているシステムコントローラ３は、算出した露出値から適正な露光制御を実行するための絞り値と露出時間とを決定する。例文帳に追加

The electronic camera corrects the sensitivity of an image pickup element, when the hand shaking value detected by the sensor 90 lies outside an allowable range, and a system controller 3 calculating an exposure value on the basis of the sensitivity and the luminance value of a subject, decides a diaphragm value and exposure time for executing proper exposure control from the calculated exposure value. - 特許庁

幼児シミュレーター５は、幼児が供される虐待衝撃、虐待圧縮、不適切な位置、騒音への暴露、煙への暴露、直射日光への暴露、極端な温度への暴露からなる許容不可能な環境条件を感知し、そしてオシメ交換、哺乳、幼児のオクビ、幼児の休息および幼児の揺すりを生徒に周期的に請求することができる。例文帳に追加

The infant simulator 5 senses unallowable environmental conditions of ill-treatment, ill-treatment compression, an improper position, noise, smoke, the direct sunshine, and extremely high and low temperatures to which the infant is subjected, and periodically demands that the trainee changes the diaper, or feeds, burps, lays, or rocks the infant. - 特許庁

基板ステージのステッピング移動において基板ステージの停止すべき目標位置からの位置変動が所定の許容範囲内に収まった時点から感光性基板上の各露光領域へのマスクのパターンの像の露光を開始する時点までの待機時間を感光性基板上の各露光領域への露光時間に基づいて制御する。例文帳に追加

In the stepwise movement of the substrate stage, the stand-by time from the time when the position change from the target position where the substrate stage should stop is in a predetermined tolerance, until the time when exposure of the mask pattern image onto each exposure region of the photosensitive substrate is started is controlled depending on the time for exposure onto each exposure region on the photosensitive substrate. - 特許庁

工程ＳＴ０３において、各配置領域に対して、第１のレイアウトデータの製造後の仕上がり時の期待寸法が規準値の許容誤差範囲に収まる場合には、許容内領域として第１のＯＰＣマスクデータを露光用のマスクデータとして確定する。例文帳に追加

When the expected size of the 1st layout data of each arrangement are at the time of finishing after manufacturing it is included within an allowable error range of a reference value in a step ST03, 1st OPC mask data in the allowable area are defined as exposing mask data. - 特許庁

超微細加工が可能な短波長の露光光源及びポジ型化学増幅レジストを用いたリソグラフィー技術にあって、解像力が向上し、露光マージンや焦点深度等のプロセス許容性が改善され、現像欠陥の発生も少ないポジ型レジスト組成物を提供することにある。例文帳に追加

To provide a positive type resist composition having enhanced resolving power and improved process admissibility such as margin for exposure and focal depth and less liable to cause development defects in lithography using a short-wavelength light source for exposure capable of ultra- microfabrication and a positive type chemical amplification resist. - 特許庁

超微細加工が可能な短波長の露光光源及びポジ型化学増幅レジストを用いたリソグラフィー技術にあって、解像力が向上し、露光マージンや焦点深度等のプロセス許容性が改善されたポジ型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive type resist composition having enhanced resolving power and improved process admissibility such as an improved margin for exposure and an improved depth of a focus in lithography using a short- wavelength light source for exposure capable of ultra-microfabrication, and a positive type chemical amplification resist. - 特許庁

超微細加工が可能な短波長の露光光源及びポジ型化学増幅レジストを用いたリソグラフィー技術にあって、解像力が向上し、現像残査が低減し、露光マージンや焦点深度等のプロセス許容性が改善されたポジ型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive resist composition which is enhanced in resolving power, reduced in residue on development and improved in process admissibility such as a margin for exposure and a focal depth in lithography using a short- wavelength light source for exposure capable of ultra-microfabrication and a positive chemical amplification resist. - 特許庁

端子４０から離れた位置に電線６の芯線露出部を設け、インナプレート５０の移動に伴う電線６の変形を許容し得る位置で、コネクタハウジング３１内にポッティング剤１０を充填・硬化させることにより電線６の芯線露出部をシールする。例文帳に追加

A core wire exposed part of electric wire 6 is placed at a position away from the terminal 40, and is sealed by filling and hardening a potting agent 10 inside the connector housing 31, at a position where deformation of the wire 6 accompanied by movement of the inner plate 50 is allowed. - 特許庁

超微細加工が可能な短波長の露光光源及びポジ型化学増幅レジストを用いたリソグラフィー技術にあって、解像力が向上し、露光マージンや焦点深度等のプロセス許容性が改善されたポジ型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive type resist composition having enhanced resolving power and improved process admissibility such as an improved margin for exposure and an improved depth of a focus in lithography using a short- wavelength light source for exposure capable of ultramicro-fabrication and a positive type chemical amplification type resist. - 特許庁

超微細加工が可能な短波長の露光光源及びポジ型化学増幅レジストを用いたリソグラフィー技術にあって、解像力が向上し、露光マージンや焦点深度等のプロセス許容性が改善されたポジ型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive type resist composition which attains enhancement in resolving power and improvement in process tolerability such as exposure margin and focal depth in lithography using a short-wavelength light source for exposure capable of ultra-microfabrication and a positive type chemical amplification resist. - 特許庁

演算された順次の偏差を、現在から過去に向けて大きくなるようにそれぞれ設定された許容値とそれぞれ比較し、すべての偏差が許容値以内であればレベリングステージ１５の位置決めが収束したと判定し、露光を行なう。例文帳に追加

The successively calculated deviations are so compared with allowance values as to be ordered to increase from the present to the past and if all deviations are within the allowance values, the alignment of the leveling stage 15 is decided as being converged and exposure is made. - 特許庁

そして、管理装置１３０は、各計測点における投影露光装置間のディストーションの差の最大値が許容範囲内であるグループを各投影露光装置１１０_1〜１１０_Nの中から作成して記憶装置１４０内のデータベースに格納する。例文帳に追加

The management device 130 forms groups selected from the projection exposure devices 110_1 to 110N in which the maximum distortion difference among the projection exposure devices at the measuring points stays within a tolerance and stores the groups in the database in the storage device 140. - 特許庁

しかも、内層ベタパターン６にスルーホール１と同心の円からなる絶縁層露出部５を設け、絶縁層露出部５の直径は、検査用スルーホール１の直径に内層ベタパターン６のずれ許容量Ａを加えた大きさとなるようにする。例文帳に追加

A circular insulation layer exposing part 5 concentric to the through hole 1 is provided in the inner layer solid pattern 6 and the diameter of the insulation layer exposing part 5 is set equal to the sum of the diameter of the inspection through hole 1 and the shift allowance A of the inner layer solid pattern 6. - 特許庁

複数の撮影モードを有するカメラでは、開放寄りの絞り値を設定する撮影モードが設定されているときにのみ露光後の絞り込みを許可するようにする。例文帳に追加

In a camera with a plurality of photographing modes, only when a photographing mode with setting of an aperture value toward an open aperture is set, the aperture stopping after the exposure is permitted. - 特許庁

この露光量誤差が誤差許容値を超す場合に、撮影モードにおいて測光部で検出された被写体の輝度に応じて決定される露出パラメータ中に含まれるシャッタ開放時間が、制御目標ＥＶ値の大小によらず基準シャッタ開放時間よりも常に長くなるように露出プログラムを修正する処理を行う。例文帳に追加

In a case that the exposure amount error exceeds an error permissible value, processing is carried out to modify the exposure program so that the shutter exposure time included in the exposure parameters determined according to the luminance of the photographed object detected by the light measuring unit in a photographing mode, becomes always longer than the reference shutter exposure time regardless of largeness or smallness of control target EV. - 特許庁

供給されるシートＰの幅が許容の最大幅のシートＰｍａｘよりも狭い場合、露光器３により、感光体ドラム１の表面にシートＰに対応の静電潜像Ｘを形成する。例文帳に追加

When the width of a sheet P supplied is smaller than the width of a sheet Pmax having the allowable maximum width, an electrostatic latent image X corresponding to the sheet P is formed on the surface of the photoreceptor drum 1 by an exposure device 3. - 特許庁