「D film」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The maximum opening diameter a of the hole and the maximum film thickness d of the coating film satisfy 0.01≤d/a≤10.例文帳に追加

空孔の最大開口径ａと被覆膜の最大膜厚ｄとが、０．０１≦ｄ／ａ≦１０を満たす。 - 特許庁

A protection film DP which is not recognized as any dot D is formed on the upper face of the dots D so that the protection film DP covers the whole surface of the dots D.例文帳に追加

そしてドットＤの上面には、ドットＤと認識されない保護膜ＤＰがドットＤの表面全体を覆うように形成されている。 - 特許庁

A step (d) laminates a reflection film 22 on the recording layer 20.例文帳に追加

（ｄ）で記録層２０に反射膜２２を積層する。 - 特許庁

A crust part of the sacrifice film G is melted (Fig.7(d)).例文帳に追加

犠牲膜Ｇの表層部を溶解させる（図７（ｄ））。 - 特許庁

A resist film 107 is formed on the polysilicon film 106 (d).例文帳に追加

ポリシリコン膜１０６上にレジスト膜１０７を形成する（ｄ）。 - 特許庁

The polysilicon film 4 is patterned with the oxide film 5 as a mask (d).例文帳に追加

酸化膜５をマスクにポリシリコン膜４をパターニングする（ｄ）。 - 特許庁

In addition, the optical film thickness nd is the refractive index×the physical film thickness d.例文帳に追加

なお、光学膜厚ｎｄは、屈折率ｎ×物理的膜厚ｄである。 - 特許庁

In process D, the mold film 2 is removed from the counter electrode film 1.例文帳に追加

工程Ｄでは、鋳型フィルム２を対極フィルム１から剥がす。 - 特許庁

Thereafter, the oxidized film 16 is removed (e) by exposing the surface to hydrofluoric acid (d).例文帳に追加

その後、この表面をフッ酸に晒す(d)ことにより酸化膜１６を除去する(e)。 - 特許庁

The film thickness d of the recording layer lies within the range indicated by an inequality: 10 nm≤d≤30 nm.例文帳に追加

前記記録層の膜厚ｄは、好ましくは、次の式 １０ｎｍ≦ｄ≦３０ｎｍ で示される範囲にある。 - 特許庁

The biodegradable film laminate is constituted by laminating the transparent inorganic film layer (A), an anchor layer (3) containing an aliphatic polyester wherein a molar ratio (L/D) of L-lactic acid and D-lactic acid is 1-9 and a biodegradable film layer (C).例文帳に追加

透明無機薄膜層（A）、L-乳酸とD-乳酸のモル比（L/D）が1〜9である脂肪族ポリエステルを含むことを特徴とするアンカー層（B）、生分解性フィルム層（C）、が積層されたことを特徴とする生分解性フィルム積層体。 - 特許庁

A pressure sensitive adhesive layer 31 of width d is formed on a 2nd step film 12 of width c (c ≥ d, a ≥ d > b).例文帳に追加

別途、幅ｃの第二の工程フィルム１２に幅ｄで感圧接着剤層３１を形成する（ｃ≧ｄ、ａ≧ｄ＞ｂ）。 - 特許庁

Ni is interposed between the substrate 11 and the base soft magnetic film 13.例文帳に追加

また、基板と前記下地軟磁性膜の間に、(NiaAl1-a)100-b-c-d-eTibMocVdWe (at. %)とするNiAl合金膜を有し、前記aは、0.20≦a≦0.80の範囲とし、また、0≦b≦40、0≦c≦40、0≦d≦40、0≦a≦40、かつ0.1≦b+c+d+e≦40の範囲とすることを特徴とする。 - 特許庁

The ratio l/d of the thickness (l) of the piezoelectric layered film 10 to the cross-sectional diameter (d) of the second piezoelectric film 4 is 20 to 60.例文帳に追加

第２圧電体膜４の断面径ｄに対する圧電体積層膜１０の厚みｌの比ｌ／ｄは２０以上６０以下である。 - 特許庁

The film thickness (d) of the first end-face film nearly satisfies d=(1/2+j)*(λ1+λ2)/2 (where j represents an integer).例文帳に追加

第１の端面膜の膜厚ｄは、ほぼ、ｄ＝（１／２＋ｊ）＊（λ１＋λ２）／２（ただし、ｊは整数）を満たす。 - 特許庁

In this film, the ratio t/d is 1-2, wherein t is the thickness of the film 5 and d is the mean diameter of the electrically conductive particles 6.例文帳に追加

フィルム５の厚さｔと導電性粒子６の平均粒径ｄとの比ｔ／ｄが１〜２である。 - 特許庁

United States film actress who appeared in films by D. W. Griffith (1896-1993) 例文帳に追加

米国の映画女優で、D.W.グリフィスによる映画に出演した（1896年−1993年） - 日本語WordNet

Further, a nitride film 6 is formed on the silicon substrate 1 (Fig.1(d)).例文帳に追加

次に、シリコン基板１上に窒化膜６を形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁

The insulating film is etched back to form a sidewall 18 (d).例文帳に追加

絶縁膜をエッチバックして側壁１８を形成する（ｄ）。 - 特許庁

Further, the composition for resist lower-layer film formation may contain (D) an acid forming agent and (E) a crosslinking agent.例文帳に追加

更に、（Ｄ）酸発生剤、（Ｅ）架橋剤等を含有することができる。 - 特許庁

A depth D of the recessed section 15 is larger than a thickness T of the multilayered film 16.例文帳に追加

凹所１５の深さＤは、多層膜１６の膜厚Ｔよりも深い。 - 特許庁

Subsequently, the thin-film material 3 is deposited thereon (d), and then the dissolved material 2 is deposited thereon (e).例文帳に追加

続いて、その上に、薄膜材料３を成膜する（ｄ）。 - 特許庁

The insulation film 10 is disposed so as to form a gap d with the flange part 12.例文帳に追加

絶縁膜１０は、フランジ部１２と間隔ｄを空けて配置されている。 - 特許庁

The resultant thin film is heat-treated at a high temperature (selection figures (b)-(d)).例文帳に追加

そして、生成した薄膜を高温加熱処理する（選択図（ｂ）〜（ｄ））。 - 特許庁

Lastly, the stripping film 2 is dissolved and the multilayer film is separated from the substrate (Fig.(d)).例文帳に追加

最後に、剥離膜２を溶解させて多層光学膜を基板から分離する（図（ｄ））。 - 特許庁

A film thickness calculation part 63 calculates the film thickness d from a period T which is one of the coefficients.例文帳に追加

膜厚計算部６３は係数の１つである周期Ｔから膜厚ｄを算出する。 - 特許庁

Then, the sacrificial oxide film 5 is removed (process (d)) and a gate oxide film 6 is formed (process (e)).例文帳に追加

そして、犠牲酸化膜５を除去し（（ｄ）工程）、ゲート酸化膜６を形成する（（ｅ）工程）。 - 特許庁

The contact holes 25a are arranged on a thin film section on the lower section of the level difference d of film thickness.例文帳に追加

接続孔２５ａは、膜厚段差ｄ下部の薄膜部分に設けられている。 - 特許庁

The photoabsorption layer is made of a single metal film or an alloy film and preferably an Ag single film or an Ag alloy film having its film thickness d lying within the range indicated by an inequality: 12 nm≤d≤24 nm.例文帳に追加

前記光吸収層は、金属単体膜又は合金膜からなり、好ましくは、Ａｇ単体膜又はＡｇ合金膜からなり、その光吸収層の膜厚ｄが、次の式 １２ｎｍ≦ｄ≦２４ｎｍ で示される範囲にある。 - 特許庁

(a) A silicon oxide film 41, (b) an amorphous silicon film 42A, (c) a silicon oxide film 43, and (d) an amorphous silicon film 44A are laminated on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上に、（ａ）酸化珪素膜４１、（ｂ）非晶質珪素膜４２Ａ、（ｃ）酸化珪素膜４３、（ｄ）非晶質珪素膜４４Ａを積層する。 - 特許庁

A relation between a diameter D of a nozzle communication hole of a rigid substrate 61 and the diameter d of a nozzle hole of a resin film 62 is set to hold D/d of 1.3-8.例文帳に追加

剛性基板６１のノズル連通穴径Ｄと樹脂フィルム６２のノズル穴径ｄとの関係をＤ／ｄが１．３〜８の間の値を取るように設定した。 - 特許庁

A rubber ring 6 in a concaved section having an indented part 5 at the inside with the inner diameter d at its upper part being smaller than the inner diameter D at the front end of a throw-in port 7 of a throw-in container is fitted into a discharge port 2 or fitted from the outside to a cylindrical resin film 4.例文帳に追加

投入容器の投入口7先端内径Dよりも上部内径dが小径で内面に凹部5を形成した断面凹状のゴム製リング6を、排出口2または円筒状樹脂フィルム4に外はめする。 - 特許庁

To provide an A/D converting circuit which uses a polysilicon thin film transistor, the A/D converting circuit being capable of having a sufficient A/D conversion dynamic range and suitable to the polysilicon thin film transistor.例文帳に追加

ポリシリコン薄膜トランジスターを用いたＡ／Ｄ変換回路において、十分なＡ／Ｄ変換ダイナミックレンジをとることを可能にする。 - 特許庁

An Al_z1Ga_1-z1N film, a GaN film, and a GaN layer 5 of the mirror satisfy d_a=λ/4n_a, d_g=λ/4n_g, and d_c=λm/2n_c (where (m) is a positive integer).例文帳に追加

該ミラーのＡｌ_ｚ１Ｇａ_１−ｚ１Ｎ膜、ＧａＮ膜およびＧａＮ層５において、ｄ_ａ＝λ／４ｎ_ａ、ｄ_ｇ＝λ／４ｎ_ｇ、およびｄ_ｃ＝λｍ／２ｎ_ｃ（ただし、ｍは正の整数）の関係が満たす。 - 特許庁

The film thickness of the organic compound layer satisfies a relationship of the following equation (1): d_1<d_2< ..., <d_n, wherein d_1 denotes the film thickness of a first organic compound layer, d_2 denotes the film thickness of a second organic compound layer, and d_n denotes the film thickness of an n-th organic compound layer.例文帳に追加

ｄ_1＜ｄ_2＜・・・＜ｄ_n （１）（式（１）において、ｄ_1は、第１有機化合物層の膜厚を表す。ｄ_2は、第２有機化合物層の膜厚を表す。ｄ_nは、第ｎ有機化合物層の膜厚を表す。） - 特許庁

The reflection preventing film 151 is so formed that a ratio R_n=n_D/n_C of a refractive index n_D of an outer peripheral part D through which an outer edge of an effective luminous flux passes to a refractive index n_C of a center part C through which light on an optical axis passes satisfies R_n<1.0.例文帳に追加

反射防止膜１５１は、有効光束の外縁が透過する外周部Ｄにおける屈折率ｎ_Dの、光軸上の光線が透過する中央部Ｃにおける屈折率ｎ_Cに対する比Ｒ_n＝ｎ_D／ｎ_CがＲ_n＜１．０となるよう形成されている。 - 特許庁

A conductive thin film includes: a conductive polymer (A) having an acidic group; carbon nanotubes (B); a binder polymer (C); and an electrolyte (D).例文帳に追加

酸性基を有する導電性ポリマー(A)と、カーボンナノチューブ(B)と、バインダーポリマー(C)と、電解質(D)とを含んで構成される導電性薄膜。 - 特許庁

A film containing not less than 50 wt.% of a cellulose derivative satisfying all of the following conditions (A)-(D) can solve the above problem.例文帳に追加

下記（Ａ）から（D）の全てを満たすセルロース誘導体を５０重量％以上含有するフィルムは上記課題を解決し得る。 - 特許庁

The shortest distance (d) from the opening end of the ferrule 4 to the end of the vapor deposition film 10 on the ferrule 4 side satisfies a relationship equation of 3≤d≤40.例文帳に追加

フェルール４の開口端から蒸着膜１０のフェルール４側の端までの最短距離ｄが、３≦ｄ≦４０なる関係式を満たす。 - 特許庁

Desirably, the size (d) of a circumferential mouthpiece gap and the thickness (t) of the film satisfy the relationship: t<d<20t.例文帳に追加

前記円周状の口金間隙（ｄ）とフィルム厚（ｔ）はｔ＜ｄ＜２０ｔなる関係を満足することが望ましい。 - 特許庁

In a case of magnetization in an in-plane direction, the torque gradient dT/dHex of the film has a dependence of the dimension ratio L/D stronger than the flake-shaped powders.例文帳に追加

面内方向磁化の場合、フレーク状粉末よりも膜のトルク勾配dT/dHexの方が、寸法比L/Dの依存性が強い。 - 特許庁

The capacitor element (11) is formed so as to have a diameter (D) larger than the dimension of the width (L) of the film (13).例文帳に追加

コンデンサ素子（11）は、フィルム（13）の幅（L）の寸法よりもコンデンサ素子（11）の直径（D）が大きく形成されている。 - 特許庁

Contribution of an inner surface of an aperture as a shielding part is d×sinθ, where d denotes the thickness of a film thickness correction plate, and θ denotes an angle of inclination.例文帳に追加

膜厚補正板の厚さをｄ、傾斜角をθとする場合、開口部内側面の遮蔽部としての寄与はｄ×ｓｉｎθである。 - 特許庁

Next, a gate oxide film 21 is formed and then a polycrystalline silicon film 221P is formed on the gate oxide film 21 (step D).例文帳に追加

次に，ゲート酸化膜２１を形成した後，そのゲート酸化膜２１上に多結晶のシリコン膜２２１Ｐを形成する（Ｄ）。 - 特許庁

In the formula, R expresses optical retardation, n_XY expresses the in-plane birefringence of the thin film, and d expresses the film thickness of the thin film.例文帳に追加

Ｒ＝Δｎ_ＸＹ×ｄ （１）（式中、Ｒは光学遅延を表わし、ｎ_ＸＹは、薄膜の面内複屈折を表わし、ｄは薄膜の膜厚を表わす。） - 特許庁