FLASH-LESSの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 66件
On the other hand, the CPU 15 allows the image processing section 6 to generate a simple image of with the number of pixels is less than that of the basic image from the photographed image or the basic image and allows the image recording section 14-2 to record the simple image in the flash memory 14.例文帳に追加
その一方で、CPU15は、撮影画像若しくは基本画像からその画素数が基本画像よりも少ない簡易画像を画像処理部6に作成させ、フラッシュメモリ14内の画像記録部14−2に記録させる。 - 特許庁
An upper chamber window 63 through which flash light from the flash lamp FL is transmitted into the chamber 6 is produced by performing surface roughening such as sand blasting on the surface of a quartz plate to have a mean surface roughness of 0.1-10 μm and then by dipping the quartz plate in a hydrofluoric acid solution of 3-10 wt.% or less in hydrofluoric acid concentration for eight hours or more.例文帳に追加
フラッシュランプFLからのフラッシュ光をチャンバー6の内部に透過する上側チャンバー窓63は、石英板の表面をサンドブラストなどの粗面化加工によって平均表面粗さを0.1μm以上10μm以下とした後、その石英板をフッ酸濃度3wt%以上10wt%以下のフッ酸溶液中に8時間以上浸漬して製造している。 - 特許庁
An unsaved log processing part 205 temporarily saves an input log into a memory being the volatile storage element when a passage time from the last log recording time into a flash memory to the input time of the input log is less than a prescribed time interval.例文帳に追加
未保存ログ処理部205は、前回のフラッシュメモリへのログ記録時刻から入力されたログの入力時刻までの経過時間が所定の時間間隔未満であるとき、入力されたログを揮発性記憶素子であるメモリに一時保存する。 - 特許庁
b. Besides the lamp units prescribed under "a", flash lights may be installed in addition to the lamp units prescribed under "a" that are installed within the zone on the extended line of runway centerline from the runway threshold to 60 to 420 meters or more to 900 meters or less. 例文帳に追加
b aの灯器のほか、滑走路末端から滑走路中心線の延長線上六十メートルから四百二十メートル以上九百メートル以下までの間に設けるaの灯器に附加して閃光灯を設置することができる。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
An under-exposure area is detected based on the flash photographed image, and only for the detected under-exposure area (equal to or less than -1 Ev), photographed images obtained by three times of the sequential shooting afterward are overlapped to obtain twice of light quantity (a step S414).例文帳に追加
このフラッシュ撮影画像に基づいて露出アンダー領域を検出し検出した露出アンダー領域(−1Ev以下)についてのみ、以降3回の連写により得られた撮影画像の重ね合わせを行なわせて2倍の光量を得る(ステップS414)。 - 特許庁
A metal plate of stainless steel is processed, in which a nickel plate layer 3 is formed on the surface of a substrate 2, a copper plate layer 4 of thickness 0.5 μm or less is formed on the nickel plate layer 3 by flash-plating, and a silver plate layer 5 is formed on the copper plate layer 4.例文帳に追加
基板2表面に、ニッケルメッキ層3を形成し、ニッケルメッキ層3上にフラッシュメッキによって0.5μm厚以下の銅メッキ層4を形成し、銅メッキ層4上には銀メッキ層5を形成したステンレス鋼からなる金属板を加工して形成する。 - 特許庁
A light measuring/range finding CPU 140 detects luminance values of the main subject area and its peripheral area respectively and decreases the irradiation angle when the luminance of the main subject area is less than a specified value smaller than that of the peripheral area to irradiate the subject with the flash light.例文帳に追加
測光・測距CPU140で主被写体領域と周辺領域それぞれの領域の輝度をそれぞれ検出して、主被写体領域の輝度が周辺領域よりも所定の値以下であったら、照射角度が狭められて閃光が被写体に向けて照射される。 - 特許庁
Code patterns are registered in a code book storage part 604 beforehand by sorting them in order of power, and a fixed parameter presenting a size of code pattern selection range (a value recordable by an analog flash memory 603 or less) and a fluctuation parameter presenting an offset value from the code book starting end in the selection range are prepared.例文帳に追加
コードブック格納部604にコードパタンをパワー順にソートして登録しておき、コードパタンの選択範囲の大きさ(アナログフラッシュメモリ603で記録できる値以下)を示す固定パラメータと、この選択範囲のコードブック始端からのオフセット量を示す変動パラメータを用意する。 - 特許庁
Preferably, the softener comprises the vacuum distillation residual oil of 30-80 mass% and a mineral oil of 20-70 mass% having a DMSO extract content by the IP346/92 method of less than 3 mass%, a flash point of ≥200°C and an aniline point of ≤100°C.例文帳に追加
好ましくは、ゴム用軟化剤は、上記の減圧蒸留残渣油30〜80質量%と、IP346/92法によるDMSO抽出物の含有量が3質量%未満で、引火点が200℃以上で、アニリン点が100℃以下である鉱油20〜70質量%とを含む。 - 特許庁
1. Electron accelerators or flash X-ray generators with a beam pulse duration of 1 microsecond or less, and with a value of 0.25 or more when 1,700 is multiplied by the result of multiplying the peak value of electron kinetic energy expressed in megaelectron volts raised to the 2.65 power by the total charge quantity of accelerated electrons, expressed in coulombs 例文帳に追加
(一) ビームのパルスの持続時間が一マイクロ秒以下であって、一、七〇〇にメガ電子ボルトで表した電子の運動エネルギーのせん頭値の二・六五乗を乗じたものに、クーロンで表した加速された電子の全電荷量を乗じた値が〇・二五以上のもの - 日本法令外国語訳データベースシステム
To provide a discharge lamp lighting device capable of stably lighting a discharge lamp without generating the unpleasant flash in the moment when a condition is transferred to a deep-dimming lighting condition of a dimming ratio of approximately 0.5 or less or under a condition of the deep-dimming lighting in a constitution of a simple control circuit.例文帳に追加
簡単な制御回路の構成にて、調光比略0.5%以下の深調光点灯状態に移行した瞬間又は深調光点灯状態において、放電灯に不快な閃光が発生することなく、安定点灯させることのできる放電灯点灯装置を提供する。 - 特許庁
The detergent composition includes (a) 70% by mass or more of an ethyl lactate and (b) 30% by mass or less of a fluorine-containing compound, in which compound the halogen content is 60% by mass or more, based on the total mass of the detergent composition and shows no flash point.例文帳に追加
洗浄剤組成物の総質量を基準として、(a)乳酸エチルを70質量%以上、及び、(b)化合物中のハロゲン含有分が60質量%以上であるフッ素含有化合物を30質量%以下の量で含み、引火点を示さない、洗浄剤組成物。 - 特許庁
If the white blemish correction information is recorded in a flash memory 20d and the temperature of a CCD type image pickup element 13 is not less than a predetermined value, a control unit 20 uses the data of a pixels for correction to correct the data of pixels of the white blemish in an RAW system image data written into a buffer memory 16.例文帳に追加
フラッシュメモリ20dに白キズ補正情報が記録されており、且つCCD型撮像素子13の温度が所定値以上である場合、制御部20は、バッファメモリ16に書き込まれたRAW形式の画像データ中の白キズにかかる画素のデータを補正用画素のデータを用いて補正する。 - 特許庁
According to embodiments, there is provided a semiconductor device, including: a first area 100 including plural transistors formed therein; and a second area 200 including plural dummy transistors formed therein, the second area surrounding the first area 100, wherein a pitch p of the dummy transistors formed in the second area 200, is equal to or less than a central wavelength λc of a flash lamp light used to form the plural transistors.例文帳に追加
複数のトランジスタが形成された第1領域100と、第1領域100の周囲に配置され、複数のダミートランジスタが形成された第2領域200とを備え、第2領域200に形成された複数のダミートランジスタのピッチpが、複数のトランジスタを形成する際に用いるフラッシュランプ光の中心波長λc以下である。 - 特許庁
When the multi-exposure night-scene mode is selected, the flash light means 15 is made to periodically emit light for alarming with a light quantity much less than the quantity of light emitted for photography between the start of the 1st photographing operation and the start of the 2nd photographing operation to alarm the photographer and the object of the photographing operation state of the camera 20 in an identifiable state.例文帳に追加
多重夜景モードが選択された時には第1の撮影動作開始から、第2の撮影動作が開始されるまで閃光手段15を警告報知の為に撮影用の発光量より十分に少ない微少光量で周期発光させてカメラ20の撮影動作状態の警告を撮影者、被写体に識別可能な警告報知をする。 - 特許庁
At a part where there are relatively less actual wiring patterns 15 connecting a first bonding pad 10c for a controller chip and a second bonding pad 10m for a flash memory chip and the adjacent actual wiring patterns 15 are separated for 0.5 mm or more, dummy wiring patterns 17 are arranged at almost equal intervals in the same direction as one direction where the actual wiring patterns 15 are extended.例文帳に追加
コントローラチップ用の第1ボンディングパッド10cとフラッシュメモリチップ用の第2ボンディングパッド10mとを繋ぐ実配線パターン15が相対的に少なく、隣接する実配線パターン15が0.5mm以上離れている箇所に、ダミー配線パターン17を実配線パターン15の延在する一つの方向と同じ方向にほぼ等間隔で配置する。 - 特許庁
| ※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。 |
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