「Film processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a high-quality polysilicon film and high-performance transistor at a low processing temperature.例文帳に追加

低いプロセス温度で高品質のポリシリコン膜及び高性能トランジスタを提供する。 - 特許庁

BIOCOMPATIBLE FILM PROCESSING METHOD AND SENSOR MOLECULE-MOUNT TYPE BIOCOMPATIBLE INTERFACE ELEMENT例文帳に追加

生体適合性膜加工方法及びセンサ分子搭載型生体適合性インターフェイス素子 - 特許庁

To provide a color developing solution suitable for rapid processing of a bromoiodide negative film.例文帳に追加

臭ヨウ化物系ネガフィルムの迅速処理に適した発色現像液を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of depositing a high quality film efficiently.例文帳に追加

効率的に高品質な膜を成膜することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

This embossing roll is used to apply embossing processing to the surface of the intermediate film for the glass laminate.例文帳に追加

このエンボスロールを用いて、合わせガラス用中間膜の表面にエンボス加工を施す。 - 特許庁

The preprocessing step and film forming step are carried out through low-frequency plasma processing.例文帳に追加

これらの前処理工程および成膜工程は低周波プラズマ処理により行う。 - 特許庁

In the case of the diluted developer, the substantial development processing of the resist film does not progress.例文帳に追加

また、希釈現像液であればレジスト膜の実質的な現像処理は進行しない。 - 特許庁

In a substrate processing method, rinse liquid containing water is provided to a substrate having a metal film formed thereon (S2).例文帳に追加

水を含むリンス液が、金属膜が形成された基板に供給される（Ｓ２）。 - 特許庁

A ruthenium film as an anode and a processing electrode as a cathode are arranged with a prescribed interval, and while supplying an electrolytic solution 15 containing halide to a gap between the ruthenium film and the processing electrode 22, voltage is impressed between the ruthenium film and the processing electrode 22.例文帳に追加

陽極としたルテニウム膜と陰極とした加工電極２２とを所定の間隔をおいて配置し、ルテニウム膜と加工電極２２との間にハロゲン化物を含む電解液１５を供給しながらルテニウム膜と加工電極２２との間に電圧を印加する。 - 特許庁

To improve processing capacity of an ion doping device and mobility of a thin-film transistor.例文帳に追加

イオンドーピング装置の処理能力向上と薄膜トランジスタの移動度向上を図る。 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR ELECTROCHEMICAL PROCESSING OF THIN FILM ON RESISTIVE SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

抵抗性半導体ウェハ上に薄膜を電気化学処理するための装置及び方法 - 特許庁

After that, the base film is cut together with the cover lay along the outer shape processing line 34.例文帳に追加

その後、外形加工線３４に沿ってベースフィルムをカバーレイなどとともに切断する。 - 特許庁

VACUUM PROCESSING APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM, AND METHOD OF MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE例文帳に追加

真空処理装置、薄膜の製造方法、及び光電変換装置の製造方法 - 特許庁

METHOD OF PROCESSING SEMICONDUCTOR THIN FILM, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体薄膜の加工方法、半導体装置の製造方法および半導体装置 - 特許庁

Then, a metallic layer formed at the removal section of the SiO2 film 13 by the same processing.例文帳に追加

その後、同様の処理により、ＳｉＯ_2膜１３の除去部分に金属層を形成する。 - 特許庁

REWORK METHOD FOR RESIST FILM, MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM例文帳に追加

レジスト膜のリワーク方法および半導体装置の製造方法ならびに基板処理システム - 特許庁

A polyolefin film subjected to stretch processing has a C-axis orientation function of 0.1-0.4.例文帳に追加

延伸処理されたポリオレフィンフィルムにおいて、Ｃ軸配向関数が０.１〜０.４のものとした。 - 特許庁

A sheet for processing semiconductor wafer has an adhesive layer on one side of the substrate film.例文帳に追加

基材フィルムの片面に粘着剤層が設けられた半導体ウエハ加工用シートである。 - 特許庁

Afterwards, the image on a photographic film on the slide mount is read by fine scanning processing.例文帳に追加

この後、ファインスキャン処理によってスライドマウント中の写真フイルムの画像を読み取る。 - 特許庁

A processing object formed a thin film on a surface of a base substrate is provided.例文帳に追加

下地基板の表面上に薄膜が形成された加工対象物を準備する。 - 特許庁

To provide a film processing apparatus capable of reducing its manufacturing cost by reducing the number of parts, and delivering a film to a film scanner while preventing the emulsion surface of the film from being inverted.例文帳に追加

その課題は、部品点数を少なくして製造コストを安価にし、さらに、フィルムの乳剤面が反転せずにフィルムスキャナー側にフィルムを受渡し可能なフィルム処理装置を提供することである。 - 特許庁

A film deposition apparatus 13 for performing the film deposition on a substrate has a first film deposition mechanism 35 for depositing a first layer and a second film deposition mechanism 36 for depositing a second layer in a processing container 30.例文帳に追加

基板に成膜する成膜装置１３であって、処理容器３０の内部に、第１の層を成膜させる第１成膜機構３５と、第２の層を成膜させる第２成膜機構３６を備える。 - 特許庁

The antirust film is formed on the external conductor of the insulating substrate, and a fluorescent film is formed on the antirust film using a fluorescence processing solution used for the formation of the antirust film.例文帳に追加

絶縁基板の外部導体上に防錆膜を形成し、防錆膜の形成で用いた処理液に蛍光剤を微量添加した蛍光処理液を用いて、防錆膜上に蛍光膜を形成する。 - 特許庁

DATA PROCESSING AND MANAGEMENT EQUIPMENT AND METHOD FOR DATA INSPECTION/ANALYSIS OF PARTICLE IN SURFACE PROCESSING TREATMENT DEVICE OR FILM FORMING TREATMENT DEVICE例文帳に追加

表面加工処理装置又は成膜処理装置の異物検査・解析のためのデータ処理及び管理装置及び方法 - 特許庁

Further, the molding processing sheet is made by providing a rugged shape to the surface of such a biaxially stretching lamination film for fine processing.例文帳に追加

また、該成形加工シートは、かかる微細加工用二軸延伸積層フィルムの表面に凹凸形状を賦形したものである。 - 特許庁

Damages made on the exposed surface of the lower layer metal film by the oxygen-based plasma processing are removed by performing hydrogen-based plasma processing.例文帳に追加

酸素系プラズマ処理によって下層金属膜の露出面にできたダメージを、水素系プラズマ処理を行って取り除く。 - 特許庁

The thin-film processing and cross section exposing processing by the focused ion beam are automated and yields can be improved.例文帳に追加

本発明によれば、集束イオンビームによる薄膜加工や、断面出し加工を自動化し、歩留りを向上させることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a resin coated metal plate excellent in film processing adhesiveness even in a severe forming processing.例文帳に追加

厳しい成形加工時においても、フィルム加工密着性に優れた樹脂被覆金属板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a flexible film processing apparatus which shortens the processing time, improves the throughput, and starts up the apparatus early.例文帳に追加

処理時間を短縮し、スループットを向上させ、早期に装置を立ち上げることができる可撓性フィルム処理装置を提供する。 - 特許庁

To enable film formation processing, etc. to be excellently executed on a processing target by making process gas become plasma at an early stage.例文帳に追加

プロセスガスが早期にプラズマ化することで、被処理体に対する成膜などの処理が良好になされないのを改善する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method which can form an embedded SiN film by applying a bias power, and to provide a plasma processing system.例文帳に追加

バイアスパワー印加によるＳｉＮ膜の埋め込み成膜が可能なプラズマ処理方法、及び、プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In an etching method for a film being the target of etching made on a substrate arranged within a processing chamber, the processing gas introduced into an air-tight processing chamber 104 consists of CF4, N2, and Ar, and the film being the target of etching consists of an upper organic polysiloxane film and a lower organic SiO2 film.例文帳に追加

気密な処理室１０４内に処理ガスを導入し，処理室内に配置された基板上に形成されたエッチング対象膜に対するエッチング方法において，処理ガスはＣＦ_４とＮ_２とＡｒとからなり，エッチング対象膜は，上層の有機ポリシロキサン膜及び下層の無機ＳｉＯ_２膜からなる。 - 特許庁

To provide a silver halide photographic sensitive material and a processing method improved in adhesion of dirt to the film due to the film peeling of a film edge and micro-stripping of a film edge in processing at a line speed of an automatic processing machine of ≥1,500 mm/min or with a developing solution which does not substantially cause hardening.例文帳に追加

自動現像機のラインスピードが１５００ｍｍ／ｍｉｎ．以上、もしくは、実質的に現像硬膜がない現像液で処理する際に、フィルムエッジの膜剥がれや、フィルムエッジの微少剥離による、フィルムの汚れ付着が改善されたハロゲン化銀写真感光材料及び処理方法を提供する。 - 特許庁

The microparticles produced from a reaction by-product deposited film 20 in a reaction furnace are forcibly removed and discharged before the film deposition processing by removing particles with a purge gas to which an elastic wave 21 is applied, so production of the microparticles is suppressed in the film deposition processing and the film deposition processing of high quality is carried out.例文帳に追加

弾性波２１を印加したパージガスによりパーティクルを除去することにより、成膜処理前に反応炉内の反応副生成堆積膜２０から発生する微細パーティクルを強制的に除去排出するので、成膜処理時には微細パーティクルの発生を抑制でき、高品質の成膜処理を行うことができる。 - 特許庁

An SiN film 8 is formed on the resultant entire substrate and then subjected to a full etch back processing, leaving the SiN film 8 on tops of the parts 7a of the SiO2 film within the grooves 6.例文帳に追加

全面にＳｉＮ膜８を形成した後、全面エッチバックを行うことにより、溝６の内部のＳｉＯ_2 膜の部分７ａの上部にＳｉＮ膜８を残す。 - 特許庁

After a side wall film is formed conformally, it is etched back, and also the core material film 31 is removed, to form a side wall pattern including the side wall film on the processing subject.例文帳に追加

側壁膜をコンフォーマルに形成した後、エッチバックし、さらに芯材膜３１を除去して、加工対象上に側壁膜からなる側壁パターンを形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a superconducting film for obtaining large film thickness and a high orientational property at a low cost, in heat processing formation of the superconducting film with thermal decomposition of a metal organic compound.例文帳に追加

金属有機化合物の熱分解による超電導膜の熱処理形成において、低コストで大きい膜厚と配向性を得るための製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a design-precoated metal sheet with no cracking on a coating film even by processing by adjusting elongation ratio of a plain color- base coating film and elongation ratio of a printed pattern coating film.例文帳に追加

単色ベース塗膜の伸び率と印刷柄模様塗膜の伸び率を調整することで、加工しても塗膜割れのない意匠プレコート金属板を提供する。 - 特許庁

Then, by performing CMP processing, the unwanted metal wiring film 6 on the seed film 5 and the seed film 5 on the outside of the recessed part 3 are polished chemically and physically.例文帳に追加

そして、ＣＭＰ処理を行うことにより、シード膜５上の不要な金属配線膜６および凹部３外のシード膜５を化学的および物理的に研磨していく。 - 特許庁

To provide a film scanner capable of performing scanning processing appropriate to the gray scale of an image and detecting a flaw formed on the film and dust deposited on the film with high accuracy while reducing the cost.例文帳に追加

コストを抑えつつ、画像の濃度に適したスキャニング処理ができると共にフィルムに形成された傷や付着した塵埃を精度よく検出できるようにする。 - 特許庁

PLASMA DISCHARGE PROCESSOR, PLASMA DISCHARGE PROCESSING METHOD, THIN FILM AND LAYERED PRODUCT MANUFACTURED BY THIS METHOD, OPTICAL FILM, POLARIZING PLATE AND DISPLAY DEVICE USING OPTICAL FILM例文帳に追加

プラズマ放電処理装置、プラズマ放電処理方法、その方法で製造された薄膜及び積層体、及び光学フィルム、光学フィルムを用いた偏光板及び表示装置 - 特許庁

To provide a film discriminating apparatus capable of improving the throughput of an equipment for processing a film by eliminating the setting of the film by an operator.例文帳に追加

オペレータによるフィルムの設定を無くすことによって、フィルムに対して処理を施す機器の処理能力を向上させることができるフィルム判別装置を提供する。 - 特許庁

A first gate insulating film 4, a conductive layer for a floating gate electrode 5, a silicon nitride film for processing and a silicon oxide film are formed on a silicon substrate 1, and then, trenches 1a are formed.例文帳に追加

シリコン基板１に第１ゲート絶縁膜４、浮遊ゲート電極５用の導電層、加工用のシリコン窒化膜、シリコン酸化膜を形成し、この後トレンチ１ａを形成する。 - 特許庁

A semiconductor device is manufactured in such a manner that a thin-film transistor is formed on an insulating substrate, and an insulating film is formed on the thin-film transistor and then subjected to an annealing processing.例文帳に追加

絶縁性基板上に薄膜トランジスタを形成し、その薄膜トランジスタ上に絶縁膜を形成し、その後アニール処理することによって、半導体装置を作製する。 - 特許庁

To provide a film feeding apparatus which can shorten a period of time required for the positioning in a film joining processing, and to provide a packaging apparatus equipped with the film feeding apparatus.例文帳に追加

フィルムの継ぎ合わせ処理における位置合わせに要する時間を短縮することが可能なフィルム供給装置およびこれを備えた包装装置を提供する。 - 特許庁