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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Film processingの意味・解説 > Film processingに関連した英語例文

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Film processingの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 4803



例文

The third substrate product E3 is removed from the film formation furnace 8b of the processing apparatus 8, then a pattern of the conductive film 89 is formed.例文帳に追加

第3の基板生産物E3を処理装置8の成膜炉8bから取り出した後に、導電膜89のパターン形成を行う。 - 特許庁

An operation part for calculating a thermal diffusivity of the thin film from the analysis model that takes into consideration the film thickness is integrated into the information processing device.例文帳に追加

情報処理装置は、膜厚を考慮した解析モデルから、薄膜の熱拡散率を算出する演算部が組み込まれている。 - 特許庁

The resin film J, formed as an inner surface, has a thin-walled part 20 formed through an additional score processing, at a part of the resin film J on the peripheral side of the main score 1.例文帳に追加

そして、主スコア1の外周側一部の樹脂フィルムJにおいて、追加スコア加工により、薄肉部20を形成する。 - 特許庁

An image processing device 15 inspects for a defect such as a blur or flaw of the transparent film 11 on the basis of an image of the transparent film 11.例文帳に追加

画像処理装置15は、透明フィルム11の画像に基づいて、透明フィルム11の色むらや傷等の欠陥を検査する。 - 特許庁

例文

A GaN film is formed by performing a carrying-in step of carrying a substrate into a processing chamber, an initial film formation step of supplying an organic metallic compound gas containing a gallium atom and an ammonia gas into the processing chamber to form an initial film, and an epitaxial film formation step of simultaneously supplying a gallium chloride gas and the ammonia gas into the processing chamber to form an epitaxial film after the initial film formation step.例文帳に追加

基板を処理室内に搬入する搬入工程と、ガリウム原子を含有する有機金属化合物ガスとアンモニアガスとを前記処理室内に供給し、初期膜を形成する初期膜形成工程と、前記初期膜形成工程の後に、前記処理室内にガリウム塩化物ガスと前記アンモニアガスを同時に供給し、エピタキシャル膜を形成するエピ膜形成工程とによりGaN膜を形成する。 - 特許庁


例文

To provide a processing method and a processor for forming a reliable insulating film without much damage in the film with a high throughput.例文帳に追加

高いスループットで膜中のダメージが少なく、高い信頼性を有する絶縁膜を形成する処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

A surface processing of a semiconductor film is performed prior to the second irradiation, and after the oxide film is eliminated, the irradiation is made in vacuum.例文帳に追加

2回目の照射の前には半導体膜の表面処理を行い酸化膜除去をした後、照射を真空中にて行う。 - 特許庁

After irradiating locally a metal film forming a spacer layer 6 with an Ar ion beam, the metal film is subjected to an oxidation processing.例文帳に追加

スペーサ層6を形成する金属膜に局所的にArイオンビームを照射し、そののちに当該金属膜を酸化処理する。 - 特許庁

The crystal structure of the film is changed by bringing the formed film into contact with acidic or basic gas or performing aging processing.例文帳に追加

成膜された膜を酸または塩基のガスと接触させる、或いは、エージング処理することにより膜の結晶構造を変化させる。 - 特許庁

例文

To provide a graphite composite film ground-processing graphite without impairing heat dissipation characteristics, and to provide a compact electronic apparatus including the graphite composite film.例文帳に追加

放熱特性を損なわずにグラファイトのグランド処理を可能としたグラファイト複合フィルムと、それを含む小型電子機器を提供する。 - 特許庁

例文

The laminated film has peeling liners laminated on both the sides of the protective film for laser processing.例文帳に追加

他の発明である積層フィルムは、このレーザー加工用の保護膜の双方の面に積層された剥離ライナーを有する積層フィルムである。 - 特許庁

More specifically, the ground plane film 1 is subjected to FIB processing (Ga ion irradiation) to remove a part of the film to make a structure having a recess.例文帳に追加

具体的には、グランドプレーン膜1に、FIB加工(Gaイオン照射)により、膜の一部を除去して凹部を有する構造とする。 - 特許庁

To provide a method for processing a film capable of manufacturing a processed film with high productivity, fineness, high quality reproducibility, and high uniformity.例文帳に追加

高生産性、緻密さ、高品質再現性、高い均一性を有する加工フィルムを形成可能なフィルム加工方法を提供する。 - 特許庁

To rationalize the constitution of a film processing apparatus which facilitates handling of the film discharged from the apparatus and the installation area of which is reduced.例文帳に追加

排出されたフィルムの取り扱いが容易で、装置の設置面積も小さくし得るフィルム処理装置を合理的に構成する。 - 特許庁

To provide a transparent gas-barrier laminated film whose gas-barrier properties are not deteriorated even when the film is subjected to usual processing as a packaging material.例文帳に追加

包装材料としての通常の加工を施してもガスバリア性が劣化しない透明なガスバリア性積層フィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a heat-shrinkable polyester film which has an appearance of a ground glass tone even without the film being subjected to printing and processing.例文帳に追加

印刷や加工を施さなくともすりガラス調の外観を有する熱収縮性ポリエステル系フィルムを提供することにある。 - 特許庁

The plasma processing method includes the steps of: preparing a silicon substrate where a silicon oxide film is formed; performing plasma processing by introducing nitrogen gas on the silicon oxide film to generate plasma; and nitrifying an upper part of the silicon oxide film with the plasma to change the upper part of the silicon oxide film into a silicon nitride film.例文帳に追加

シリコン酸化膜が形成された前記シリコン基板を準備する工程と、前記シリコン酸化膜上に窒素ガスを導入してプラズマを生成して該プラズマ処理する工程と、前記シリコン酸化膜の上部を前記プラズマにより窒化して、該シリコン酸化膜の上部をシリコン窒化膜に変化させる工程とを有する。 - 特許庁

The substrate processing method includes a forming process for forming a thermoplastic film on a substrate, a pressing process for pressing the film after heating the film or pressing while heating the film, and a cooling process for cooling the film together with the maintaining of the state of pressing the film.例文帳に追加

本発明の基板処理方法は、基板上に熱可塑性の被膜を形成する形成工程と、被膜を加熱した後に押圧する、または被膜を加熱しつつ押圧する押圧工程と、被膜に対する押圧状態を維持すると共に、被膜を冷却する冷却工程とを含む。 - 特許庁

The die attach film with dicing sheet function comprises a substrate film (I); an adhesive layer; a substrate film (II); and a film like adhesive layer arranged in this order, wherein an interface of the substrate film (II) on the side of the film like adhesive layer has been subjected to release processing.例文帳に追加

本発明は、基材フィルム(I)、粘着剤層、基材フィルム(II)およびフィルム状接着剤層がこの順に構成されてなるダイアタッチフィルムであって、基材フィルム(II)のフィルム状接着剤層側の界面が離型処理されていることを特徴とするダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a vinyl alcohol polymer film for stretch processing with such advantages that the film is useful as a raw material for manufacturing cheese cloth or polarizing film and the generation of defects such as air bubbles or liquid droplets in the film is inhibited and the breaking of the film due to the defects hardly occurs during stretching, with the easy uniform stretching of the film.例文帳に追加

寒冷紗や偏光フィルムやの製造原料として有用で、フィルム中に気泡または液滴などの欠点の発生を抑え、延伸時にこれらの欠点に起因するフィルムの破断が少なく均一な延伸が容易な、延伸加工用ビニルアルコール系重合体フィルムを得る。 - 特許庁

The cured coating film is formed by producing a composition comprising a heat-resistant resin precursor and a compound containing a carboxylic acid anhydride group and an alkoxysilyl group in one molecule, applying the composition to a substrate, drying the coating film, heating the coating film or a coating film obtained by subjecting the coating film to pattern processing to form the cured coating film.例文帳に追加

耐熱性樹脂前駆体並びに1分子中にカルボン酸無水物基とアルコキシシリル基有する化合物を含有する組成物を製造し、それを基板上に塗布、乾燥した後、その被膜又はその被膜をパターン加工した被膜を、加熱し硬化被膜を形成する。 - 特許庁

The method of an SiOC film comprises (a) a process of forming a silicone polymer film on a substrate, (b) a process of converting the silicone polymer film to the SiOC film by irradiating the silicone polymer film with a high energy beam, and (c) a process of applying dehydration processing to the second film.例文帳に追加

本発明のSiOC膜の形成方法は、 (a)基体上にシリコーンポリマー膜を形成する工程と、 (b)前記シリコーンポリマー膜に高エネルギー線を照射することによりSiOC膜に変える工程と、 (c)前記第2の膜に脱水処理を施す工程と、を含む。 - 特許庁

To suppress aggregation of a nickel film due to heat not only after aggregation suppression processing but also during a processing process (e.g., temperature raising process) when processing (e.g., cap film deposition) for suppressing aggregation of the nickel film on a substrate to be processed is performed.例文帳に追加

被処理基板上のニッケル膜の凝集を抑制するための処理(例えばキャップ膜成膜)を行う際に,その凝集抑制処理後のみならず,その処理過程(例えば昇温工程)においても,ニッケル膜の凝集を抑制するニッケル膜の熱による凝集を抑制する。 - 特許庁

In performing film development newly when the feed length of the films measured heretofore has been reached the length of one film stored into a film cartridge 12, a liquid feed pump 29 is operated, and processing liquids are refilled from processing liquid storage vessels 22 to 25 into respective processing tanks 15, 18, 19, 20.例文帳に追加

新たにフイルム現像を行おうとしたときに、それまでに測定されたフイルム給送長がフイルムカートリッジ12に収納された一本分のフイルム長さに達していたら、給液ポンプ29を作動させて処理液収容容器22〜25から各処理槽15,18,19,20に処理液を補充する。 - 特許庁

A coating film formation device (SOD system), where a coating- liquid is applied on a substrate W to form a coating film, comprises a processing part 1 for processing the substrate W with a series of processes for forming a coating film and a substrate transfer mechanism 18 for transferring the substrate in the processing part.例文帳に追加

基板Wに塗布液を塗布して塗布膜を形成するための塗布膜形成装置(SODシステム)は、基板Wに対して塗布膜を形成するための一連の処理を施す処理部1と、処理部内で基板を搬送する基板搬送機構18とを具備する。 - 特許庁

In a process of executing development processing for an exposed resist film formed on the surface of a substrate W, a developing liquid mixed with a hydrophobing agent is supplied from a development liquid supply nozzle 28 onto the resist film, and the resist film is subjected to rinse processing, after the development processing and spin-dried.例文帳に追加

基板Wの表面に形成された露光後のレジスト膜を現像処理する工程において、現像液供給ノズル28から疎水化剤が混合された現像液を基板表面のレジスト膜上へ供給し、現像処理後にリンス処理しスピン乾燥する。 - 特許庁

To provide an electroprocessing method which is capable of leveling the surface of a metallic film on a substrate with fine irregularities at a low processing pressure and capable of processing the metallic film at a uniform processing rate over the entire surface of the metallic film, in the formation of wirings on the substrate by the damascene process.例文帳に追加

ダマシーン法による基板上の配線形成において、微細な凹凸を有する基板上の金属膜の表面を低い加工圧力で平坦化することができ、かつ金属膜をその全面に亘って均一な加工速度で加工することができる電解加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a biaxially stretched polyester film roll for vapor deposition which is excellent in gas barrier property and adhesiveness with a vapor deposition layer up to a winding core part of the film roll before vapor deposition processing in the long-size wound film roll after vapor deposition processing.例文帳に追加

蒸着加工された長尺巻きのフィルムロールにおいて、蒸着加工前のフィルムロールの巻芯部まで、ガスバリアー性及び蒸着層との密着性に優れた蒸着用二軸延伸ポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of film forming the low dielectric constant interlayer insulating film having the source of the hole on a semiconductor substrate, and plasma processing to remove the source of the hole from the low dielectric constant interlayer insulating film by the plasma processing.例文帳に追加

半導体基板上に空孔源を有する低誘電率層間絶縁膜を成膜する成膜工程と、プラズマ処理により低誘電率層間絶縁膜中から空孔源を除去するプラズマ処理工程とを有する。 - 特許庁

In the substrate processing method, freezing processing (step S5), frozen film decompression and removal (step S6) and substrate dehydration (step S7) are executed on the substrate, only when the film thickness of a liquid film formed on the substrate surface is within a prescribed range.例文帳に追加

基板の表面に形成される液膜の膜厚が所定範囲内となっている場合のみ、その基板に対して凍結処理(ステップS5)、凍結膜の解凍除去(ステップS6)および基板乾燥(ステップS7)を実行している。 - 特許庁

The temperature of the air to be sprayed is controlled by comprehensively judging the processing method of the synthetic resin film by utilizing the slackening quantity of the synthetic resin film after stretch processing and the temperatures of the film at the inlet and outlet of the stretching roll.例文帳に追加

伸展加工後の合成樹脂フィルムの弛み量を利用して、伸展ロールの入口及び出口のフィルム温度を利用して、さらには上記を総合的に判断して、吹き付ける気体の温度を制御する特徴を有す。 - 特許庁

To provide a conveying method of an optical film capable of properly conveying the optical film with which a conveyor belt and a roll have contact in a large nip area in order to convey the optical film and to perform a predetermined processing through a processing part.例文帳に追加

光学フィルムを搬送して処理部で所定の処理を行うために、搬送用ベルトとロールが、広いニップ面積で光学フィルムと接触してこれを良好に搬送することができる光学フィルムの搬送方法を提供する。 - 特許庁

This metal like decorative film is constituted by applying hairline processing to one side of the polyester film, providing the metal vapor deposition layer on the hairline processing surface of the polyester and providing a thermoplastic resin film on the surface of the metal vapor depostion layer.例文帳に追加

本発明の化粧フィルムは、ポリエステルフィルムの片面にヘアライン加工が施され、該ヘアライン加工面に金属蒸着層が設けられ、その金属蒸着面に熱可塑性樹脂フィルムが設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a microfabrication processing agent capable of selectively microfabricating a high permittivity film only and a microfabrication processing method using the same when a substrate is microfabricated where the high permittivity film and a silicone oxide film are laminated.例文帳に追加

高誘電率膜及びシリコン酸化膜が積層された基板を微細加工する際に、高誘電率膜のみを選択的に微細加工することが可能な微細加工処理剤及びそれを用いた微細加工処理方法を提供する。 - 特許庁

Plasma processing is applied to one surface side of a polyimide film comprising resin, and upon imparting hydrophilicity to the one surface side of the polyimide film the plasma processing is applied to the one surface side of the polyimide film to which sprayed water adheres.例文帳に追加

樹脂から成るポリイミドフィルムの一面側にプラズマ処理を施し、ポリイミドフィルムの一面側に親水性を付与する際に、該プラズマ処理を、噴霧した水が付着しているポリイミドフィルムの一面側に施すことを特徴とする。 - 特許庁

The transparent film 14 is used for detection of the end point of etch-back processing, so that the end point of etch-back processing can be easily predetermined.例文帳に追加

透明膜14をエッチバック処理の終点検出に用いることで、エッチバック処理の終点を容易に特定することができる。 - 特許庁

During reflow processing, the film thickness and/or the line width of a resist pattern is measured by means of a sensor 59 and the end point of reflow processing is detected.例文帳に追加

リフロー処理の間、センサ59によりレジストパターンの膜厚および/または線幅を測定し、リフロー処理の終点検出を行う。 - 特許庁

To provide a liquid processing method, a liquid processing device, and a thin film formation system, by which the periphery of an object can be cleaned in finely controllable state.例文帳に追加

被処理体の周縁の洗浄を微細に制御可能な液処理方法、液処理装置、薄膜形成システムを提供する。 - 特許庁

To provide a method of processing a workpiece, a processing apparatus, and a program that can remove a natural oxide film formed on the workpiece.例文帳に追加

被処理体に形成された自然酸化膜を除去することができる被処理体の処理方法、処理装置及びプログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a metal oxide film, whereby the reforming processing and crystallizing processing can be conducted continuously in the same chamber.例文帳に追加

改質処理と結晶化処理を同一チャンバ内で連続的に行なうことができる金属酸化膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing method and apparatus, capable of stably holding a liquid film of processing liquid on a substrate.例文帳に追加

安定して基板上に処理液の液膜を保持させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

After the correction, photolithography processing and etching processing are carried out to form the predetermined pattern on the film to be processed on the wafer (steps S9, S10).例文帳に追加

補正後、フォトリソグラフィー処理とエッチング処理を行い、ウェハ上の被処理膜に所定のパターンを形成する(ステップS9、S10)。 - 特許庁

To provide a method of processing a silicon wafer of which processing process is simplified by utilizing a thin film layer having different thicknesses.例文帳に追加

相異なる厚みを持つ薄膜層を利用することによって加工工程を単純化したシリコンウェーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

In addition, a post-processing step (P5) for performing the plasma processing of the surface of the substrate S may be performed after the thin film deposition steps (P3, P4).例文帳に追加

さらに、薄膜形成工程(P3、P4)の後に、基板Sの表面をプラズマ処理する後処理工程(P5)を行ってもよい。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus in which endpoint detection can be conducted accurately even in short etching for processing a thin film by multiple conditions.例文帳に追加

薄膜を複数条件で処理する短いエッチングにおいても正確に終点検出を実施できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

By this setup, the processing gases are made to blow against a work 5 as an object of processing through separate gas flow paths, and a film of high quality can be formed.例文帳に追加

これにより、各処理ガスが独立した流路を経て被処理物5に噴射され、良好な品質の成膜が形成される。 - 特許庁

Then, processing time is determined from the calculated result (S507), thermal processing time is controlled (S508) and thus the desired film thickness is obtained.例文帳に追加

そして、その算出結果から処理時間を決定し(S507)、熱処理時間を制御することにより(S508)、所望の膜厚を得る。 - 特許庁

IMAGE PROCESSOR, PRINTING DEVICE, IMAGE PROCESSING METHOD, PRINTING CONTROL METHOD AND STORAGE MEDIUM STORING PROCESSING PROCEDURE ASSOCIATED WITH MOVING IMAGE FILM例文帳に追加

画像処理装置,印刷装置,画像処理方法,印刷制御方法および動画ファイルに関連した処理手順を格納した記憶媒体 - 特許庁

A substrate processing system comprises a housing which demarcates a processing chamber that is used for forming a film on the surface of a substrate arranged inside the chamber.例文帳に追加

基板処理システムが、チャンバ内に配置された基板の基板表面上に膜を形成するためのチャンバを画定するハウジングを含む。 - 特許庁

例文

To actualize plasma cleaning which can remove a deposited film formed on the internal wall of a vacuum processing vessel, in a short time during RIE processing.例文帳に追加

RIE加工時に真空処理容器の内壁に形成された堆積膜を短時間で除去できるプラズマクリーニングを実現すること。 - 特許庁




  
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