| 意味 | 例文 |
Gate Lineの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2345件
Here, the pixel electrode 82 has a repair part 85 which projects and overlaps the pre-stage gate line 22, and in the repair part 85, the pixel electrode 82 and the pre-stage gate line 22 can be shorted.例文帳に追加
ここで、画素電極82は、突出して前段のゲート線22と重なっている修理部85を有しており、修理部85において、画素電極82と前段のゲート線22とを短絡することができる。 - 特許庁
This device has a pixel substrate 2, in which provided at least are a scanning line 5 connected to a gate electrode 18 of a switching element 8, a pixel electrode 9 connected to a drain electrode 19b, a reference signal line 6 connected to a source electrode 19a, and a gate insulating film 16 that insulates/protects the gate electrode 18 and the scanning line 5 or the reference signal line 6.例文帳に追加
スイッチング素子8のゲート電極18に接続された走査線5と、ドレイン電極19bに接続された画素電極9と、ソース電極19aに接続された基準信号線6と、ゲート電極18と走査線5または基準信号線6を絶縁保護するゲート絶縁膜16とが少なくとも設けられた画素基板2を有する。 - 特許庁
First to forth gate driver ICs (G1 to G4) to be connected to a gate line 18 of a drive element 21 are arranged along a side of a liquid crystal display part 2.例文帳に追加
液晶表示部2の側方に駆動素子21のゲートライン18に接続される第1〜第4ゲート用ドライバーIC(G1〜G4)が配置される。 - 特許庁
In the MFMISFET, a switch 10 for turning connection between a control gate 8 and a signal line 9 'on/off' is disposed in the control gate 8.例文帳に追加
本発明のMFMISFETでは、コントロールゲート8に、当該コントロールゲート8と信号線9との間の接続をオン/オフするスイッチ10が配されている。 - 特許庁
SELF-ALIGNING METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELLS HAVING EMBEDDED SOURCE LINE AND FLOATING GATE, AND MEMORY ARRAY FOAMED BY USING THE SAME例文帳に追加
埋設ソースライン及びフローティングゲートを伴うフローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレーを形成する自己整列型方法及びそれにより作られたメモリアレー - 特許庁
The gate line drive circuit 30 includes an odd driver 30a to drive odd rows of a plurality of gate lines GL, and an even driver 30b to drive even rows thereof.例文帳に追加
ゲート線駆動回路30は、複数のゲート線GLの奇数行を駆動する奇数ドライバ30aと、偶数行を駆動する偶数ドライバ30bとから成る。 - 特許庁
A gate insulating film in a large number of the thin-film transistor arrayed and formed on the glass substrate is made slightly thicker than other sections, only in the section directly under the gate line layer.例文帳に追加
ガラス基板の上に多数配列して形成された薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を、ゲート線層の直下部のみ他部より少し厚くする。 - 特許庁
The gate line drive circuit includes multiple stage shift registers to drive the gate lines, and dummy stages SRD1, SRD2 formed on their front and back stages.例文帳に追加
ゲート線駆動回路は、ゲート線を駆動する多段のシフトレジスタと、その前段および後段にそれぞれ設けられたダミー段SRD1,SRD2とを備える。 - 特許庁
A signal line group Y is patterned and a gate 21g of a transistor 21 and an electrode 24a of the capacitor 24 are patterned and then a gate insulating film 31 is formed.例文帳に追加
信号線群Yをパターニングするとともにトランジスタ21のゲート21g及びキャパシタ24の電極24aをパターニングし、ゲート絶縁膜31を成膜する。 - 特許庁
A pull up drive section (53) outputs a first clock signal (CLK) as the gate signal (GOUT_M-1) to a corresponding gate line through an output terminal (OUT) in response to the control signal (CNTR_M).例文帳に追加
プルアップ駆動部(53)は制御信号(CNTR_M)に応じて第一のクロック信号(CLK)をゲート信号(GOUT_M-1)として出力端子(OUT)を通してゲートラインに送出する。 - 特許庁
A 1st capacitor is connected between power supply voltage and the gate of the driving transistor and a 2nd capacitor is connected to the gate of the driving transistor and a scanning line.例文帳に追加
第1キャパシタは電源電圧と駆動トランジスタのゲートの間に連結され、第2キャパシタは駆動トランジスタのゲートと走査線に連結されている。 - 特許庁
A control electrode 20 which covers the gate lines 16 when viewed from above is provided below the gap 26 and above the gate line 16.例文帳に追加
間隙26の下方であって、かつ、ゲート線16の上方において、上方から見たときに、ゲート線16を覆う制御電極20が設けられている。 - 特許庁
The gate is configured as a gate transmission line having a first characteristic impedance, and has an input at a first end thereof and an output at a second end thereof.例文帳に追加
ゲートは、第1特性インピーダンスを有するゲート伝送ラインとして構成され、その第1端に入力を、その第2端に出力を有する。 - 特許庁
A gate driver successively selects, in each frame, a gate line to be set to a prescribed on potential or a prescribed off potential.例文帳に追加
各フレームにおいて、ゲートドライバは、所定のオン電位に設定するか所定のオフ電位に設定するかを定める対象となるゲートラインを順次選択する。 - 特許庁
The width of the silicide film 22 in the extending direction of the gate electrode 19 is formed so as to be gradually increased in accordance with a distance from the gate bus line 23.例文帳に追加
ゲート電極19のシリサイド膜22の延伸方向の幅は、ゲートバスライン23からの距離が大きいほど次第に大きくなるように形成されている。 - 特許庁
The facsimile machine is equipped with VoIP gate way unit 12, having a VoIP gate way function for transmission via PSTN line or IP network.例文帳に追加
PSTN回線あるいはIP網を介して通信するためにVoIPゲートウェイ機能を有するVoIPゲートウェイ部12を備えたファクシミリ装置。 - 特許庁
Each pixel has a thin film transistor (TFT), a gate of the thin film transistor of the pixel is connected to the gate line GL and the thin film transistor is driven by a scanning signal.例文帳に追加
各画素は、薄膜トランジスタ(TFT)を有しており、この画素の薄膜トランジスタのゲートはゲート線GLに接続され、走査信号により駆動される。 - 特許庁
Second terminals of the gate resistances 50, 51, 52, 53 disposed for the respective MOSFETs 30, 31, 32, 33 are connected to a pulse generation circuit 60 via a gate voltage application line L3.例文帳に追加
MOSFET30,31,32,33毎に設けられたゲート抵抗50,51,52,53の第2の端子がゲート電圧印加ラインL3を介してパルス発生回路60と接続されている。 - 特許庁
The temple's design resembled that of Shitenno-ji Temple, with the Nanmon (South Gate), Chumon (Central Gate), pagoda, kondo (main hall) and kodo (lecture hall) running in a straight line from south to north. 例文帳に追加
伽藍は、ほぼ南北に通る中軸線上に南から南門・中門・塔・金堂・講堂が一直線上に並んでいる四天王寺式である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The standard cell structure is constituted by using the gate electrodes 1 in the basic shape and gate electrodes 2, 1A, 1B, 1C, 2A, 2B, and 2C obtained by inverting symmetrically about a line and rotating them.例文帳に追加
この基本形状のゲート電極1と、それをミラー反転または回転させたゲート電極2,1A,1B,1C,2A,2B,2Cを用いてスタンダードセル構造を構築する。 - 特許庁
Capacitances (Cgd) between gate and drain lines of transistor steps on the side near to a data line are increased and those on the side near to a pixel electrode are decreased in the multi-gate type transistor.例文帳に追加
マルチゲート・トランジスターにおいてデータ線に近い側のトランジスター段のゲート・ドレイン間容量(Cgd)を多く、画素電極に近い側を少なくする。 - 特許庁
A data line 1-1 is formed on the same layer as a gate metal layer in which gate electrodes 2-1 and 4-1 of transistors 6 and 7 provided to each element are formed.例文帳に追加
各画素に設けられるトランジスタ6,7のゲート電極2−1、4−1を形成するゲートメタル層と同じ層にデータライン1−1を形成する。 - 特許庁
An integration circuit 40 is formed in a connection line for connecting a gate terminal of a MOS transistor 33 to gate terminals of MOS transistors 31a-31d.例文帳に追加
MOSトランジスタ33のゲート端子と、MOSトランジスタ31a〜31dのゲート端子間を接続する接続ラインに、積分回路40を設けた。 - 特許庁
Thereby, the diode 10 is electrically conducted, an electric current is supplied to the gate line end from the Vdc, and the delay of the gate signal can be compensated.例文帳に追加
これにより、ダイオード10が導通してVdcからゲートライン端部に電流が供給されることにより、ゲート信号の遅延を補償できる。 - 特許庁
To provide a gate drive circuit which further improves reliability by more surely protecting an inverter section of each stage from noise generated on an output terminal and a gate line of a gate signal.例文帳に追加
ゲート信号の出力端子及びゲート線に生じたノイズから各ステージのインバータ部を更に確実に保護することにより、信頼性の更なる向上を実現できるゲート駆動回路を提供する。 - 特許庁
A gate insulating film 121 is formed on the upper layer side of the base protective film and the semiconductor film 109a, while a scanning line 163 and a gate electrode 143 are formed on the gate insulating film 121.例文帳に追加
下地保護膜および半導体膜109aの上層側にはゲート絶縁膜121が形成され、ゲート絶縁膜121上には走査線163およびゲート電極143が形成されている。 - 特許庁
The first gate driving circuit includes a first stage that is formed in a first peripheral area of the display region and that provides a gate signal for a first gate line disposed on the first side part of the pixel row.例文帳に追加
第1ゲート駆動回路は表示領域の第1周辺領域に形成され、画素行の第1側部に配置された第1ゲートラインにゲート信号を提供する第1ステージを含む。 - 特許庁
A second bus line 16 which is branched between the third and fourth gate driver ICs (G3, G4) connects the gate low terminals 11a, 11b of the third and forth gate driver ICs (G3, G4) to the FPC 5.例文帳に追加
第3、第4ゲート用ドライバーIC(G3、G4)間で分岐する第2バスライン16により第3、第4ゲート用ドライバーIC(G3、G4)のゲートLow端子11a、11bがFPC5に接続される。 - 特許庁
A first bus line 15 which is branched between the first and second gate driver ICs (G1, G2) connects the gate low terminals 11b, 22a of the first and second gate driver ICs (G1, G2) to the FPC 5.例文帳に追加
第1、第2ゲート用ドライバーIC(G1、G2)間で分岐する第1バスライン15により第1、第2ゲート用ドライバーIC(G1、G2)のゲートLow端子11b、11aがFPC5に接続される。 - 特許庁
The gate electrode GT is partially overlapped on the gate line GL and film-deposited directly on the inner surface of the substrate SUB at a part (the gate electrode) to be an underlayer of a semiconductor film of the thin film transistor.例文帳に追加
ゲート電極GTはゲート配線GLの上に一部が重畳し、薄膜トランジスタの半導体膜の下層となる部分(ゲート電極)では基板SUBの内面に直接成膜される。 - 特許庁
The ladder type gate electrode 4 is connected to the word line 1 through a gate contact 7 provided on a common connection part 4d electrically connecting the gate electrodes 4a, 4b.例文帳に追加
はしご型のゲート電極4は、ゲート電極4aとゲート電極4bとを電気的に接続する共通接続部4d上に設けられたゲートコンタクト7を介してワード線1に接続されている。 - 特許庁
The light intensity value near the gate edge of the gate pattern is calculated and the dimension shift quantity of the gate line width by a proximity effect is calculated in accordance with the light intensity value in a dimension shift quantity calculating section 605.例文帳に追加
ゲートパタンのゲートエッジ近傍における光強度値を計算し、寸法シフト量計算部605で光強度値に基づいて近接効果によるゲート線幅の寸法シフト量を計算する。 - 特許庁
In this memory, the gate of an n-channel transistor 21 is connected to the word line of the side of an output of each word line driver 4 and the source of the n-channel transistor 21 is connected to the gate of the replica transistor 23 which is connected to a dummy bit line 25 via a switching element 22 for selection.例文帳に追加
各ワード線ドライバ4の出力側のワード線20にn-chトランジスタ21のゲートが接続され、ダミービット線25に接続のレプリカトランジスタ23のゲートにn-chトランジスタ21のソースが選択用スイッチング素子22を介して接続されている。 - 特許庁
The gate electrode and the source electrode of TFT 152 are connected to an on voltage power supply line 161, the source electrode of TFT 154 is connected to an off voltage power supply line 163, and the gate voltage is connected to a scanning line 112 of an i-th row.例文帳に追加
TFT152のゲート電極及びソース電極はオン電圧給電線161に接続され、TFT154のソース電極はオフ電圧給電線163に接続され、そのゲート電極はi行目の走査線112に接続される。 - 特許庁
Then the FET 5 is mounted having the gate electrode G and drain electrode D across the second slot line 3, the drain electrode D and source electrode S across the third slot line 4, and the source electrode S and gate electrode G across the first slot line 2.例文帳に追加
そして、ゲート電極Gとドレイン電極Dとが第2スロット線路3を、ドレイン電極Dとソース電極Sとが第3スロット線路4を、ソース電極Sとゲート電極Gとが第1スロット線路2をそれぞれ挟むように、FET5を実装した。 - 特許庁
Reverse bias is applied between the gate and the cathode of the electron emission element connected to a scanning line of a non-selection state or the scanning line of the non-selection state is brought into a high impedance state.例文帳に追加
非選択状態の走査線に結線された電子放出素子のゲート−陰極間に逆バイアスが印加されるようにする。 - 特許庁
To provide a display apparatus capable of suppressing the output of a signal to a gate line or a drain line with unintended timing.例文帳に追加
ゲート線やドレイン線に意図しないタイミングで信号が出力されるのを抑制することが可能な表示装置を提供することである。 - 特許庁
A display panel drive circuit equipped with a gate line 52, a data line 51, a first selector 3, a second selector 55, a pixel 40 and a driving part 1 is used.例文帳に追加
ゲート線52、データ線51、第1セレクタ3、第2セレクタ55、画素40及び駆動部1とを備える表示パネル駆動回路を用いる。 - 特許庁
A color filter 27 corresponding to each primary color is arranged in an area divided by the drain signal line 15 and the gate signal line 15.例文帳に追加
ドレイン信号線23及びゲート信号線15によって区画される領域に、各原色に対応したカラーフィルタ27が設けられている。 - 特許庁
To provide a display device capable of preventing a signal from being output to a gate line or a drain line with unexpected timing.例文帳に追加
ゲート線やドレイン線に意図しないタイミングで信号が出力されるのを抑制することが可能な表示装置を提供することである。 - 特許庁
To provide a gate for a pipe line, by which the reduction of the effective sectional area of the pipe line is prevented even when an upper membrane is brought down.例文帳に追加
上膜を倒伏させても管路の有効断面積が減少することを防止した管路用ゲートを提供することを課題とする。 - 特許庁
The P channel MOS TR 1 is connected across a bit line BLi and node N1 and receives the voltage on a word line WLj at its gate terminal.例文帳に追加
PチャネルMOSトランジスタ1は、ビット線BLiとノードN1との間に接続され、ワード線WLj上の電圧をゲート端子に受ける。 - 特許庁
The capacity value of the line capacity 314 formed between the video signal line 106HS and the gate wire 312 is made smaller than the conventional art.例文帳に追加
映像信号線106HSとゲート配線312と間に形成される線間容量314の容量値が従前よりも小さくできる。 - 特許庁
Similarly, the gate of a readout transistor in a second storage cell is connected with the second word line, and the other electrode of the capacitor is connected with the first word line.例文帳に追加
また、第2の記憶セルの書き込みトランジスタのゲートを第2のワード線に、キャパシタの他方の電極を第1のワード線に接続する。 - 特許庁
The word line 3 is connected to the first gate electrode of the memory cell transistor and extended to the semiconductor substrate 14 of a word line drawing region.例文帳に追加
ワード線3は、メモリセルトランジスタの第1ゲート電極に接続され、ワード線引き出し領域の半導体基板14上に延伸している。 - 特許庁
In one block, a control gate line CGL is disposed and memory cells are connected to this line CGL to form a page.例文帳に追加
1ブロックには、1本のコントロールゲート線CGLが配置され、1本のコントロールゲート線CGLに接続されるメモリセルにより1ページが構成される。 - 特許庁
A timing controller 18 controls the operation timing of a source driver 224 and a gate driver 226, which drive a data line or a scanning line of the display panel 222.例文帳に追加
タイミングコントローラ18は、ディスプレイパネル222のデータ線または走査線を駆動するソースドライバ224、ゲートドライバ226の動作タイミングを制御する。 - 特許庁
A data bus line is connected to the gate electrode of the corresponding 2nd search Tr, and a match line is connected to one terminal of the corresponding search circuit.例文帳に追加
データバスラインが、対応する第2サーチTrのゲート電極に接続され、マッチラインが、対応するサーチ回路の一方の端子に接続される。 - 特許庁
To provide a display device capable of suppressing output of a signal to a gate line or a drain line at an unintended timing.例文帳に追加
ゲート線やドレイン線に意図しないタイミングで信号が出力されるのを抑制することが可能な表示装置を提供することである。 - 特許庁
In a pixel circuit, an active switching element 410 is connected to a 1st gate line 211, a 1st data line 111, a red 1st source voltage line 311R, a green 1st source voltage line 311G, and a blue 1st source voltage line 311B.例文帳に追加
ピクセル回路において,アクティブスイッチング素子410は,第1ゲートライン211,第1データライン111,レッド第1電源電圧ライン311R,グリーン第1電源電圧ライン311G,及びブルー第1電源電圧ライン311Bに接続されている。 - 特許庁
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