「MBE」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ACTIVITY CONTROL TYPE FORMING METHOD AND APPARATUS OF NITRIDE COMPOUND MBE FILM例文帳に追加

活性度制御式窒素化合物ＭＢＥ成膜方法及び装置 - 特許庁

A CaF_2 buffer layer 3 is formed on a CaF_2(111) substrate 2 with an MBE method.例文帳に追加

ＣａＦ_２（１１１）基板２上に、ＭＢＥ法によってＣａＦ_２ｂｕｆｆｅｒ層３を形成する。 - 特許庁

A substrate (12) having a III-V semiconductor surface is positioned in the MBE equipment (50 or 150).例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ半導体表面を有する基板（１２）をＭＢＥ装置（５０、１５０）内に位置決めする。 - 特許庁

Further, for example, use of the MBE such as plasma-assisted MBE enables the much more accurate control of the thickness and the composition of the nitride semiconductor layer 2.例文帳に追加

さらに、例えばプラズマアシストＭＢＥ等のＭＢＥを用いることによって、窒化物半導体層２の厚さおよび組成を遥かに正確に制御することができる。 - 特許庁

To provide an MBE(molecular beam epitaxial) apparatus, which can increase the used rate of a molecular beam material, enhance crystallization and stabilize the growth conditions of a growth layer, and to provide a method for manufacturing a semiconductor element using the apparatus.例文帳に追加

分子線材料の利用率を向上でき、結晶性を高めることができて、しかも、成長層の成長条件を安定させることができるMBE装置およびそれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor structure 19 is fabricated by growing a gallium nitride-based semiconductor on a nitrified surface of a sapphire substrate by an MBE method.例文帳に追加

半導体構造物１９はサファイア基板の窒化した表面上に窒化ガリウム系半導体をＭＢＥ法で成長して作製される。 - 特許庁

To solve problems in the MBE method involving the control of crystal structure accuracy, interchangeability between apparatuses, and reproducibility of the setup conditions.例文帳に追加

ＭＢＥ法における、精密な結晶組成の制御および装置ごとの互換性、設定の再現性の問題点を解決する。 - 特許庁

After a lower-part DBR mirror is formed on a GaAs substrate in the MOCVD device, the substrate is transported into the MBE device.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ装置内で、ＧａＡｓ基板上に、下部ＤＢＲミラーを形成した後、その基板をＭＢＥ装置内に搬送する。 - 特許庁

Generally, nonpolar 4 H-AlN is grown up on 4 H-SiC (11-20) by molecular beam epitaxy (MBE).例文帳に追加

一般に、無極性４Ｈ−ＡｌＮは分子線エピタキシー（ＭＢＥ）により４Ｈ−ＳｉＣ（１１−２０）上に成長させる。 - 特許庁

Next, stripes of grooves 54 are formed on the GaAs layer 53 by photo-lithography, and an InAs layer is then formed by MBE.例文帳に追加

次に、フォトリソグラフィ法により、ＧａＡｓ層５３にストライプ状の溝５４を形成した後、ＭＢＥ法によりＩｎＡｓ層を形成する。 - 特許庁

To provide equipment of catalytic molecule beam epitaxy (cat-MBE), and to provide a method of growing a group III nitride material using it.例文帳に追加

本発明は、触媒分子線エピタキシ（ｃａｔ−ＭＢＥ）の装置、及びそれを用いてIII族窒化物材料を成長させる方法に関する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING QUANTUM WELL STRUCTURE, SEMICONDUCTOR LASER, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD OF CONTROLLING MBE (MOLECULAR BEAM EPITAXY) DEVICE例文帳に追加

量子井戸構造、半導体レーザ、化合物半導体層を製造する方法及びＭＢＥ装置の状態を管理する方法 - 特許庁

After that, the CuCl thin film is grown with the MBE method, in a state with the electron beam irradiation-stopped to form a non-electron-irradiated film 1b.例文帳に追加

その後、電子線の照射を止めた状態で、ＣｕＣｌ薄膜をＭＢＥ法によって成長させ、電子線非照射膜１ｂを形成する。 - 特許庁

A high concentration semiconductor layer 16 which turns into a source/drain region is epitaxially grown by MOCVD or MBE.例文帳に追加

次にソース／ドレイン領域となる高濃度の半導体層１６をＭＯＣＶＤ又はＭＢＥなどでエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a quantum dot in which the quantum dot is formed in an isotropic shape on an InP substrate by an MBE method.例文帳に追加

ＭＢＥによりＩｎＰ基板上に等方的な形状の量子ドットを形成することのできる量子ドットの製造方法を提供する。 - 特許庁

CVD-SiC EXCELLENT IN NH3 RESISTANCE, CVD-SiC COATED MATERIAL EXCELLENT IN NH3 RESISTANCE, AND TOOL FOR CVD OR MBE SYSTEM例文帳に追加

耐ＮＨ３に優れるＣＶＤ−ＳｉＣ、耐ＮＨ３に優れるＣＶＤ−ＳｉＣ被覆材及びＣＶＤまたはＭＢＥ装置用治具 - 特許庁

The growth direction and composition distribution of the p-GaN layer 23 can be controlled with good accuracy by using an MBE technique.例文帳に追加

また、ＭＢＥ法を用いることにより、ｐ−ＧａＮ層２３の成長方向や組成分布を精度良く制御できる。 - 特許庁

To provide an MBE device or the like that can maintain a constant film-formation rate regardless of a film-formation time.例文帳に追加

成膜時間に関係なく一定の成膜レートを維持することのできるＭＢＥ装置等を提供する。 - 特許庁

In an MBE apparatus 13, first to third III-V compound semiconductor layers 33, 35 and 37 are grown on the substrate 31 using metal As.例文帳に追加

ＭＢＥ装置１３で金属Ａｓを用いて、第１〜第３のIII−Ｖ化合物半導体層３３、３５、３７を基板３１に成長する。 - 特許庁

To stabilize the clusters, a C component as a nonmagnetic insulator is deposited thinly by the MBE method to form a film 3.例文帳に追加

この上に、クラスタを安定化するために、非磁性絶縁体であるＣ成分をＭＢＥ法により薄く堆積させ皮膜（３）を形成する。 - 特許庁

Well-known methods such as CVD, MBE and sublimation methods can be employed as a method for manufacturing the AlN crystal.例文帳に追加

またＡｌＮ結晶の製造方法としては、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法や昇華法等公知の方法に採用できる。 - 特許庁

The epitaxial substrate 11 for the MBE includes: a III-V compound semiconductor single crystal wafer 13 such as GaAs, InP; and a homoepitaxial film 15 having the surface 15a for depositing the III-V compound semiconductor film with the use of the MBE method.例文帳に追加

ＭＢＥ用エピタキシャル基板１１は、ＧａＡｓ、ＩｎＰといったIII−Ｖ化合物半導体単結晶ウエハ１３と、ＭＢＥ法を用いてIII−Ｖ化合物半導体膜を堆積するための表面１５ａを有するホモエピタキシャル膜１５とを含む。 - 特許庁

Clusters 1, having discoid bodies composed of a fine ferromagnetic component A and having diameter G and thickness T, spherical bodies having diameters G, or GxXGy (Gy>Gx) elliptic bodies are formed on the upper surface of an insulating substrate 2, composed of a nonmagnetic component B by using the molecular beam epitaxy(MBE) and lithography.例文帳に追加

非磁性体のB成分からなる絶縁基板（２）の上面に，微細な強磁性特性を持つA成分からなる、直径Gの円形と厚さTからなる円板体、直径Gの球体、あるいは、G_x×G_y（G_y＞G_x）の長円板体のクラスタ（１）を、モレキュラー・ビーム・エピタキシ（MBE）法とリソグラフィ法を用いて，形成する。 - 特許庁

To provide a light emitting element and a display element which can be manufactured in a safe and inexpensive process by making it unnecessary to contain any harmful material as a complete material and element and to provide a method for manufacturing the light emitting element and the display element.例文帳に追加

基板上に単結晶成長を行うために、分子線エピタキシャル成長（MBE）や有機金属化学的気相成長が用いられているが、MBE法は10^-11 Torrレベルの超高真空を必要とする上に成長速度が遅いため、作製プロセスのコストが高い。 - 特許庁

The nitride semiconductor layer 17 is formed, for example, by growing GaN added with Eu and Mg on the nitride semiconductor layer 16 by MBE method using NH_3 as a nitrogen source.例文帳に追加

窒化物半導体層１７の形成は、たとえば、窒化物半導体層１６上に、ＮＨ_３を窒素源として用いたＭＢＥ法によりＥｕ及びＭｇが添加されたＧａＮを成長させることにより行う。 - 特許庁

To provide a molecular beam epitaxy (MBE) apparatus which can discharge ammonia gas with high reliability and realizes reaction growth of a group III nitride compound semiconductor, and to provide a method of its operation.例文帳に追加

信頼性高くアンモニアガスを排出することができるＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の反応性成長を行うようにした分子線エピタキシー（ＭＢＥ）装置及びその操作方法を提供する。 - 特許庁

At the time of forming a nitride semiconductor 12 by using an MOCVD method, an MBE method or an MOMBE method, such a halogenated nitrogen gas as NF_3 is used as a material of nitrogen.例文帳に追加

窒化物半導体１２をＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法あるいはＭＯＭＢＥ法により形成する際に、窒素の原料としてＮＦ_3 などのハロゲン化窒素ガスを用いる。 - 特許庁

A substrate consisting of sapphire substrate, etc., is set on an MBE apparatus and is heated to a temperature lower than a growth temperature of the desired ZnO oxide semiconductor layer (S1).例文帳に追加

サファイア基板などからなる基板を、ＭＢＥ装置にセッティングし、目的とするＺｎＯ系酸化物半導体層の成長温度より低温度に昇温する（Ｓ１）。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a surface emitting semiconductor laser element capable of fully removing impurities on a re-growth interface, in a hybrid method which uses both an MOCVD device and an MBE device.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ装置とＭＢＥ装置をともに用いるハイブリッド法において、再成長界面の不純物を十分に取り除くことができる面発光半導体レーザ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Further, an electron beam irradiated film 1a is formed on the CaF_2 buffer layer 3 by irradiating an electron beam to make a CuCl thin film grown with MBE method.例文帳に追加

さらに、ＣａＦ_２ｂｕｆｆｅｒ層３上に、電子線を照射しながらＣｕＣｌ薄膜をＭＢＥ法によって成長させ、電子線照射膜１ａを形成する。 - 特許庁

To provide a crucible for a molecule beam epitaxial device, whose simple structure may surely prevent the leakage of molecule beam material, and provide a molecular beam epitaxy(MBE) device using the same.例文帳に追加

分子線材料の漏出を簡単な構造で確実に防止することができる分子線エピタキシ装置用ルツボおよびそれを用いたＭＢＥ装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a high raw material efficiency, without lowering crystallinity at manufacturing of a III-V compound semiconductor containing N and As by the MBE method, using an N compound.例文帳に追加

Ｎ化合物を用いたＭＢＥ法によってＮ,Ａsを含むIII‐Ｖ族の化合物半導体を作製する際に、結晶性の低下を招くことなく高い原料効率を得る。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor crystal and a method for growing the same, by which an interface of a δ dope layer is made sharper and the mobility of electrons is improved in either MOVPE method or MBE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法であれＭＢＥ法であれ、δドープ層界面をよりシャープにして電子移動度の向上を図った化合物半導体結晶及びその成長法を提供すること。 - 特許庁

A collector contact layer 33, a collector layer 34, a base layer 35, an emitter layer 36, an emitter cap layer 37, and an emitter contact layer 38 are laminated on the substrate 31 successively by the MBE method.例文帳に追加

この基板３１の上に、ＭＢＥ法によりコレクタコンタクト層３３、コレクタ層３４、ベース層３５、エミッタ層３６、エミッタキャップ層３７及びエミッタコンタクト層３８を順次積層する。 - 特許庁

The surface of a GaAs substrate is sulfur termination treated and on the termination-treated substrate, an MnAs dot is grown by an MBE method to manufacture the MnAs dot.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板表面を硫黄終端化処理し、ＭＢＥ法により、終端化処理された該基板上でＭｎＡｓドットを成長させることで、閃亜鉛鉱型の結晶構造を有するＭｎＡｓドットを作製する。 - 特許庁

To provide a technique for controlling a residual carrier to low concentration without changing characteristics of a semiconductor thin film when epitaxially growing the semiconductor thin film on a semiconductor substrate by an MBE (Molecular Beam Epitaxy) method or an MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method.例文帳に追加

ＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させる際に、半導体薄膜の特性を変えることなく、残留キャリアを低濃度に制御する技術を提供する。 - 特許庁

Then, in the MBE device, a current constriction layer, a lower part clad layer, an active layer, and an upper-part clad layer are formed, while an upper-part DBR mirror and a contact layer are formed in the MOCVD device.例文帳に追加

続いて、ＭＢＥ装置内で、電流狭窄層、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層を形成し、ＭＯＣＶＤ装置内で、上部ＤＢＲミラー、コンタクト層を形成する。 - 特許庁

Molecular beam epitaxy (MBE) equipment (50 or 150) including sources of group III elements (68 or 170), group II elements (72 or 92'), group V elements (70 or 172), and group VI elements is prepared.例文帳に追加

ＩＩＩ族元素ソース（６８、１７０）、ＩＩ族元素ソース（７２、９２’）、Ｖ族元素ソース（７０、１７２）、及びＶＩ族元素ソースを含む分子線エピタキシー（ＭＢＥ）装置（５０、１５０）を準備する。 - 特許庁

To provide a raw material supply device capable of forming a thin film consisting of a compound semiconductor on a surface of an object to be processed in a face-up state in a molecular beam epitaxy (MBE) film forming device.例文帳に追加

ＭＢＥ成膜装置において、フェイスアップ状態で被処理体の表面に化合物半導体よりなる薄膜を形成することができる原料供給装置を提供する。 - 特許庁

A buffer layer 22, an n-type clad layer 23, an MQW layer 24, a p-type clad layer 25, an intermediate layer 26, and a part of a p-type contact layer 27 are grown on a substrate 21 using an MBE method.例文帳に追加

基板２１上にバッファ層２２,ｎ型クラッド層２３,ＭＱＷ層２４,ｐ型クラッド層２５,中間層２６,ｐ型コンタクト層２７の一部をＭＢＥ法で成長する。 - 特許庁

To provide a unibody, multi-piece crucible for use in elemental purification, compounding, and growth of semiconductor crystals, e.g., in the process of molecular beam epitaxy (MBE) for melting silicon or the like at high temperature.例文帳に追加

半導体結晶の元素の精製、複合化および成長、例えば、高温でシリコン等を溶解する分子線エピタキ法（ＭＢＥ）において用いる一体もの、複数片のるつぼを提供する。 - 特許庁

In a raw material supply device 51 for MBE, an N radical gun 53 is held by a raw material chamber 55, which provides a space for plasma generation for the N radical gun 53.例文帳に追加

ＭＢＥ用の原料供給装置５１では、Ｎラジカルガン５３は原料チャンバ５５に保持されており、原料チャンバ５５はＮラジカルガン５３のためのプラズマ生成用の空間を提供する。 - 特許庁

Therefore, after formation of the catalyst material film 12, the growth substrate 11 can be transferred into an MOCVD apparatus or an MBE apparatus or the like without being exposed in an atmosphere to grow the nanocolumn.例文帳に追加

したがって、該カタリスト材料膜１２の形成後、成長基板１１を大気に暴露することなく、ＭＯＣＶＤ装置やＭＢＥ装置などに搬入して、ナノコラムを成長させることができる。 - 特許庁

To provide CVD-SiC excellent in corrosion resistance to NH3, to provide a CVD-SiC coated material obtained by coating the surface of a base material therewith and to provide a tool for a CVD or MBE system using them.例文帳に追加

ＮＨ_3 に対して耐食性に優れたＣＶＤ−ＳｉＣ、それにより基材表面を被覆されたＣＶＤ−ＳｉＣ被覆材及びこれらを用いたＣＶＤまたはＭＢＥ装置用治具を提供する。 - 特許庁

The axial directional outer end P of the layer 7 is positioned in a range between the axial directional outer end MBe of the ply MB having the maximum width and the axial directional outer end UBe of the ply UB.例文帳に追加

バンド層７の軸方向外端Ｐは、最大巾のベルトプライＭＢの軸方向外端ＭＢｅと、上のベルトプライＵＢの軸方向外端ＵＢｅとの間の範囲に位置している。 - 特許庁