「N IV」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Here, M in formula (1) is transition metal as an element in III group, IV group, or V group in the periodic table, b expresses 1-3, m expresses 1-4, n expresses 0-8, and q expresses 0 or 1.例文帳に追加

（Ｍは、遷移金属、周期律表のIII族、IV族、又はV族元素、ｂは１〜３、ｍは１〜４、ｎは０〜８、ｑは０又は１をそれぞれ表す） - 特許庁

An N-gram language model is prepared on the basis of information obtained by merging the frequency information of the N pieces of sets of words prepared in (iv) and (ii) with the frequency information of the N pieces of sets of words prepared in (iii) (process 8).例文帳に追加

（iv）（ii）で作成したＮ個組単語の頻度情報と、(iii)で作成したＮ個組単語の頻度情報をマージしたものを基に、Ｎ−ｇｒａｍ言語モデルを作成する（工程８）。 - 特許庁

2-MERCAPTO-PYRIDINE-N-OXIDE DERIVATIVE AND OXOVANADIUM (IV) COMPLEX例文帳に追加

２−メルカプト−ピリジン−Ｎ−オキサイド誘導体・オキソバナジウム（ＩＶ）錯体 - 特許庁

METHOD FOR SEPARATING/RECOVERING HIGH-CONCENTRATION U(VI) AND PU(IV) FROM NITRIC ACID SOLUTION USING N,N-DIOCTYL HEXANAMIDE (DOHA)例文帳に追加

Ｎ，Ｎ−ジオクチルヘキサナミド（ＤＯＨＡ）を用いて硝酸溶液から高濃度Ｕ（ＶＩ）及びＰｕ（ＩＶ）を分離・回収する方法 - 特許庁

The nitride semiconductor wafer includes a p-type conductive nitride semiconductor containing group IV impurity atoms as an acceptor, or at least a p-type conductive nitride semiconductor layer containing a group IV impurity as an acceptor and an n-type conductive nitride semiconductor layer on a substrate.例文帳に追加

IV族の不純物原子をアクセプタとして含むｐ型伝導性の窒化物半導体、又は基板上に、IV族の不純物をアクセプタとして含むｐ型伝導性の窒化物半導体層と、ｎ型伝導性の窒化物半導体層を少なくとも有する窒化物半導体ウェハの構造とする。 - 特許庁

The methods for producing N-[1-(S)-ethoxycarbonyl-3- phenylpropyl]-L-alanine N-carboxyanhydride represented by formula (I) comprise reacting a compound represented by formula (IV) (R is a 1-6C alkyl group) with an acyl group activation reagent and then bringing the resultant substance into contact with water.例文帳に追加

下記式（I）で表されるN−[1−(S)−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピル]−L−アラニン N−カルボキシアンハイドライドの製造方法であって、下記一般式（IV）で表される化合物（但し、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基である）をアシル基活性化試薬と反応させた後、水と接触させる工程を含む前記方法及び下記式（IV）で表される化合物。 - 特許庁

This metal complex is a uniform cerium (IV) complex capable of substantially hydrolyzing DNA, comprising cerium (IV) and polyamine-N- polycarboxylic acid or its derivative.例文帳に追加

ＤＮＡを実質的に加水分解する均一セリウム（ＩＶ）錯体において、該錯体がセリウム（ＩＶ）と、ポリアミン−Ｎ−ポリカルボン酸あるいはその誘導体よりなることを特徴とするセリウム（ＩＶ）錯体によって解決された。 - 特許庁

In the formula (1), M is a transition metal or a group III, IV or V element in the periodic table; and (b), (m), (n) and (q) are 1 to 3, 1 to 4, 0 to 8, and 0 or 1, respectively.例文帳に追加

（但し、Ｍは、遷移金属、周期律表のIII族、IV族、又はV族元素、ｂは、１〜３、ｍは１〜４、ｎは０〜８、ｑは０又は１をそれぞれ表す） - 特許庁

In the formula, M denotes transition metal, an element of III, IV, or V group of the periodic table, A^a+ denotes a metal ion, proton, or onium ion, a denotes 1 to 3, b denotes 1 to 3, p denotes b/a, m denotes 1 to 4, n denotes 1 to 8, and q denotes 0 or 1.例文帳に追加

（但し，Ｍは，遷移金属，周期律表のIII族，IV族，又はV族元素，Ａ^a+は，金属イオン，プロトン，又はオニウムイオン，ａは１〜３，ｂは１〜３，ｐはｂ／ａ，ｍは１〜４，ｎは１〜８，ｑは０又は１を表す） - 特許庁

The first region 4g is formed of SiGe having a group IV element, i.e., Si, and a different group IV element, i.e., Ge.例文帳に追加

nチャネルMISFETＱｎのゲート電極４Ｎが、少なくとも２種類の第１及び第２四族元素で形成された第１領域４ｇと第１四族元素で形成された第２領域４ｎとで構成される。 - 特許庁

In formula (1), M is a transition metal or a group III, IV or V element in the periodic table; and (b), (m), (n) and (q) are 1 to 3, 1 to 4, 0 to 8, and 0 or 1, respectively.例文帳に追加

（但し、Ｍは、遷移金属、周期律表のIII族、IV族、又はV族元素、ｂは、１〜３、ｍは１〜４、ｎは０〜８、ｑは０又は１をそれぞれ表す） - 特許庁

In the high carrier concentration region, a laminated structure, composed of the n-type or p-type impurity layer and a group IV semiconductor layer which are successively repeatedly laminated by vapor phase growth, for example, is formed.例文帳に追加

高キャリア濃度領域は例えば気相成長により順次繰返して積層されるｎ型またはｐ型いずれかの一方の不純物層とIV族半導体層とからなる積層構造の形成により行なわれる。 - 特許庁

The optically active substituted indenes of formula (V) are prepared by reacting an α,β-unsaturated-β-arylcarbonyl compound of formula (I) with an arylboronic acid of formula (II): Ar^2-BX_mM_n in the presence of a palladium complex catalyst of formula (IV): PdY_oL^1_p(Chiraphos)_q.例文帳に追加

一般式（I）で表されるα,β-不飽和-β-アリールカルボニル化合物と、一般式（II）Ar^2-BX_mM_nで表されるアリールボロン酸とを、一般式（IV）ＰｄＹ_ｏＬ^１_ｐ（Ｃｈｉｒａｐｈｏｓ）_ｑで表されるパラジウム錯体触媒の存在下で反応させ、一般式（V）で表される光学活性置換インデン類を製造する。 - 特許庁

The reaction is carried out in a polar aprotic solvent selected from pyridine, lutidine, collidine, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylformamide and acetonitrile when reacting the glutamine with a phthaloylation agent to provide N-phthaloylglutamine (IV), and adding a condensation agent to the product to directly convert the N-phthaloylglutamine into the thalidomide (I).例文帳に追加

グルタミンをフタロイル化剤と反応させ、Ｎ−フタロイルグルタミン（ＶＩ）を得、次いで、縮合剤を添加し、Ｎ−フタロイルグルタミンをサリドマイド（Ｉ）へ直接転換するに際し、反応を、ピリジン、ルチジン、コリジン、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドおよびアセトニトリルから選択される極性非プロトン性溶媒中で実施する。 - 特許庁

Citalopram can be manufactured by reacting a compound represented by formula [IV] with 3-(dimethylamino)propyl chloride in the presence of at least one condensing agent selected from N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine and 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone.例文帳に追加

Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミンおよび１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンから選ばれる少なくとも１つと縮合剤の存在下、下記式[VI]で示される化合物を３−（ジメチルアミノ）プロピルクロリドと反応させることによりシタロプラムを製造できる。 - 特許庁

A method for preparing 8-hydroxyquinoline N-oxide or its salt includes reacting 8-hydroxyquinoline or its salt with an oxidizing agent in the presence of a catalyst containing group IV-VII transition metal elements is provided.例文帳に追加

４〜７族の遷移金属元素を含む触媒の存在下で８−ヒドロキシキノリンまたはその塩に酸化剤を反応させることを特徴とする８−ヒドロキシキノリンN−オキシドまたはその塩の製造方法。 - 特許庁

METHOD FOR BACK-EXTRACTING Am (III), Pu (IV) IN ORGANIC SOLVENT BY USING NITRIC ACID SOLUTION HAVING CONCENTRATION NOT LOWER THAN 0.1 M AND CONTAINING DISSOLVED N,N-DIPROPYL-DIGLYCOLAMIDE ACID (PDGAA) COMPOUND例文帳に追加

有機溶媒中のＡｍ（ＩＩＩ），Ｐｕ（ＩＶ）をＮ，Ｎ−ジプロピルジグリコールアミド酸（ＰＤＧＡＡ）化合物を溶解した０．１Ｍ以上の濃度の硝酸溶液を用いて逆抽出する方法 - 特許庁

The resin composition for optical fiber coating contains a radical polymerizable silicone compound expressed by Formula (I), wherein A represents a group having a structure where n pieces of structural units expressed by Formula (II) and m pieces of structural units expressed by Formula (IV) are connected.例文帳に追加

式Ｉ（式中、Ａは式IIで表されるｎ個の構造単位及び式IVで表されるｍ個の構造単位が連なった構造の基を表す。）で表されるラジカル重合性シリコーン化合物を含有する光ファイバー被覆用樹脂組成物を用いる。 - 特許庁

This aromatic liquid crystal polyester comprises a structural unit represented by formula (I), a structural unit represented by formula (II) (wherein, n denotes 0 or 1), a structural unit represented by formula (III) and a structural unit represented by formula (IV) (wherein, M denotes sodium or potassium) and mutually bound with ester linkages.例文帳に追加

下記式（Ｉ） ・・・（I） で示される構造単位、下記式（II） ・・・（II） （ｎは、０または１を表す。）で示される構造単位、下記式（III） ・・・（III） で示される構造単位、及び下記式(IV) ・・・(IV) （Mは、ナトリウムまたはカリウムを表す。）で示される構造単位が互いにエステル結合してなることを特徴とする芳香族液晶ポリエステル。 - 特許庁

This method for synthesizing the objective citalopram of formula I comprises reacting a compound of general formula IV (where, R is a 1-6C alkyl, acyl, 1-6C alkylsulfonyl or arylsulfonyl) with a 3-(N,N-dimethylamino) propylmagnesium halide.例文帳に追加

一般式ＩＶ ［式中、ＲはＣ_１−６アルキル、アシル、Ｃ_１−６アルキルスルホニル又はアリールスルホニルを示す］で表される化合物を３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピルマグネシウムハライドと反応させて、式Ｉで表されるシタロプラムを製造する。 - 特許庁

In a state wherein phosphorus occupying holes of boron is present higher than the atom density of boron occupying holes of phosphorus of boron in the undoped state, n-type impurities of a group IV or VI element to obtain an n-type boron-phosphide based compound semiconductor layer.例文帳に追加

また、アンドープ状態で硼素のリンの空孔を占有する硼素の原子濃度以上に、硼素の空孔を占有するリンが存在する状況下で、更に第ＩＶ族元素または第ＶＩ族元素のｎ形不純物を添加してｎ形のリン化硼素系化合物半導体層を得る。 - 特許庁

The precursor of the polyimide is a polyamic acid which has repeating units of formula IV and has an inherent viscosity of 0.2 to 2.0 dl/g (in N,N-dimethylacetamide solvent in a concentration of 0.5 g/dl at 35°C).例文帳に追加

ノルボルナン骨格を有する特定構造の脂肪族ジアミンを使用し、且つそのジアミンの純度が９９．５％以上に精製されたことを必須条件とし、それと一種以上のテトラカルボン酸二無水物とからポリアミド酸およびポリイミドを得る。 - 特許庁

To provide a method capable of simply, industrially and advantageously producing N-(2-amino-4,6-dichloropyrimidin-5-yl)formaldehyde [a compound represented by formula IV] which is a synthetic intermediate for antiviral agents.例文帳に追加

抗ウィルス剤の有用な合成中間体であるＮ−（２−アミノ−４，６−ジクロロピリミジン−５−イル）ホルムアミド〔化合物（ＩＶ）〕を簡便かつ工業的に有利に製造できる方法を提供すること。 - 特許庁

The compound of formula I can be obtained by condensing a compound of formula II with a halogen compound of formula III in a basic medium and condensing the obtained compound with a mono-substituted hydrazine of formula IV in the presence of a coupling agent.例文帳に追加

Ｒ−ＮＨ−Ａ−ＣＯ−ＮＨ−ＮＨ−（Ｗ)_n−Ｚ （Ｉ） 一般式Ｉの化合物の具体例にはベンジルＮ−［１−ベンジル−２−オキソ−２−（２−フェニルヒドラジノ）エチル］カルバメートがある。 - 特許庁

The path 6a has driving positions by an arrangement of at least a P range, an R range, an N range and a D range in the order, and is transversely located on three lines or a second line II, a third line III and a fourth line IV.例文帳に追加

経路６ａは、少なくともＰレンジ、Ｒレンジ、Ｎレンジ、及びＤレンジの順に配置した運転ポジションを備えて、左右横方向に３つの第２ラインＩＩ、第３ラインＩＩＩ、及び第４ラインＩＶ上に配置している。 - 特許庁

This controller obtains a three-phase voltage commands vu^*[V], vv^*[V], and vw^*[V], based on motor angular frequency ω[rad/s], a torque command T^*[N×m], and three-phase currents iu[A], iv[A], and iw[A].例文帳に追加

本制御装置では、モーター角周波数ω［ｒａｄ／ｓ］、トルク指令値Ｔ^＊［Ｎ・ｍ］および３相電流ｉｕ［Ａ］、ｉｖ［Ａ］、ｉｗ［Ａ］に基づいて、３相電圧指令値ｖｕ^＊［Ｖ］、ｖｖ^＊［Ｖ］、ｖｗ^＊［Ｖ］を求める。 - 特許庁

To provide a vapor deposition method for forming an atom layer by using a group IV metal precursor which employs N-alkoxy-β-keto iminate for a ligand of a group IV metal and has high reactivity with a reacting gas, along with having thermal-chemical stability in a carrier gas atmosphere, and can be easily removed of the ligand from the metal.例文帳に追加

Ｎ−アルコキシ−β−ケトイミネートをＩＶ族金属の配位子として適用し、移送気体雰囲気中で熱的−化学的安定性を有すると共に反応気体との反応性が大きくて金属からの配位子の除去が容易なＩＶ族金属前駆体を用いた原子層蒸着法を提供する。 - 特許庁

This dicing tape is used for this manufacturing method of a semiconductor device including a process (IV) of providing a plurality of segmented semiconductor chips with adhesive tapes by cutting the adhesive tapes, and characterized in that a yield point is not shown in tensile deformation of the dicing tape, and adhesive force between the dicing tape and the adhesive sheet is 20-100 N/m in the process (IV).例文帳に追加

ＩＶ）接着シートを切断することにより、複数の個片化された接着シート付き半導体チップを得る工程を備える、半導体装置の製造方法に使用するダイシングテープであって、ダイシングテープの引っ張り変形時に降伏点を示さず、且つ、工程ＩＶ）におけるダイシングテープと接着シートとの接着力が２０Ｎ／ｍ以上１００Ｎ／ｍ以下であることを特徴とするダイシングテープ。 - 特許庁

This cigaret odor deodorizer comprises a cigaret odor deodorizing composition containing at least two component groups among five component groups consisting of (I) octanal, nonanal and/or decanal, (II) linalol, (III) carvone, (IV) methyl anthranilate and/or methyl N-methylanthranilate and (V) cinensal and/or orange peel essential oil cinensal fraction, and a carrier for carrying the composition.例文帳に追加

５つの成分群：（Ｉ）オクタナール、ノナナールおよび／またはデカナール、（II）リナロール、（III）カルボン、（IV）アントラニル酸メチルおよび／またはＮ−メチルアントラニル酸メチル、（Ｖ）シネンサールおよび／またはオレンジピール精油シネンサール画分のうち、少なくとも２つの成分群の成分を含有するタバコ臭気消臭組成物とこれを担持する担体からなる。 - 特許庁

This perfume composition for deodorizing the tobacco smell contains components of at least two component groups selected from five component groups consisting of (I) octanal, nanonal and/or decanal, (II) linalool, (III) carvone, (IV) methyl anthranilate and/or methyl N-methylanthranilate, and (V) sinensal and/or a sinensal fraction of an orange peel essential oil.例文帳に追加

５つの成分群：（Ｉ）オクタナール、ノナナールおよび／またはデカナール、（II）リナロール、（III）カルボン、（IV）アントラニル酸メチルおよび／またはＮ−メチルアントラニル酸メチル、（Ｖ）シネンサールおよび／またはオレンジピール精油シネンサール画分のうち、少なくとも２つの成分群の成分を含有するタバコ臭気消臭用香料組成物。 - 特許庁

The method for producing entacapone, in particular, entacapone in a polymorphic form A, comprises a step of preparing a compound of formula (V) by condensation of N,N-diethyl-cyano-acetamide with a compound of formula (IV) in the presence of a strong basic substance, a step of dealkylating the compound of formula (V) to obtain entacapone and a step of crystallizing thereof into the polymorphic form A.例文帳に追加

強塩基性物質存在下における、Ｎ，Ｎ−ジエチル−シアノ−アセトアミドと式（ＩＶ）の化合物との縮合による、式（Ｖ）の化合物の調製、エンタカポンを得るための式（Ｖ）の化合物の脱アルキル化、及び多形Ａへのその結晶化、を含む、エンタカポン、特に多形Ａのエンタカポンの製造方法。 - 特許庁

In an oxide semiconductor light emitting element where at least an n-type ZnO based semiconductor layer, an ZnO based semiconductor light emitting layer and a p-type semiconductor layer are formed on a substrate and the ZnO semiconductor light emitting layer is sandwiched by the ZnO based semiconductor layer and a p-type ZnO based semiconductor layer, the ZnO based semiconductor light emitting layer is doped with a group IV element, especially Si.例文帳に追加

基板上に、少なくともｎ型ＺｎＯ系半導体層、ＺｎＯ系半導体発光層およびｐ型半導体層が形成され、該ＺｎＯ半導体発光層は該ｎ型ＺｎＯ系半導体層およびｐ型ＺｎＯ系半導体層に挾持された酸化物半導体発光素子において、該ＺｎＯ系半導体発光層にＩＶ族元素、特にＳｉをドーピングする。 - 特許庁

The polymerization inhibitor composition of the aromatic vinyl compound contains (A) a nitrophenol compound having polymerization inhibiting effects, (B) a sulfonic acid compound, and (C) specific one or more kinds selected from (i) a cyclic compound having an oxo group, (ii) an N-substituted amide, (iii) a sulfoxide and (iv) an alcohol.例文帳に追加

芳香族ビニル化合物の重合抑制剤組成物において、（Ａ） 重合抑制効果を有するニトロフェノール化合物と、（Ｂ）スルホン酸化合物と、（Ｃ）特定の（ｉ） オキソ基を持つ環状化合物、（ｉｉ） Ｎ−置換アミド、（ｉｉｉ） スルホキシド、（ｉｖ） アルコールから選ばれる１種以上を含んでなる芳香族ビニル化合物の重合抑制剤組成物。 - 特許庁

The copolymer is produced by a method to react, e.g. a VEC-based monomer expressed by formula III with an N-vinyl amide monomer expressed by formula IV and, if needed, a monomer capable of copolymerizing with them.例文帳に追加

製造方法では、ＶＥＣ系単量体（ａ）とＮ−ビニルアミド類単量体（ｂ）とその他の単量体（ｃ）とを全単量体成分に対し（ａ）０．１モル％以上かつ５０モル％未満、（ｂ）９９．９モル％以下かつ０．１モル％超、（ｃ）０モル％以上かつ９９．８モル％以下の比率で共重合させる。 - 特許庁

The composition for conductive film formation contains (i) an N-alkoxy-alkilated polyamide resin with a part of nitrogen atoms substituted with alkoxy alkyl groups, (ii) a polymeric acidic phosphate compound, (iii) a silane compound and/or its (partial) hydrolytic substance containing a methacryloxy group or an acryloxy group or its condensation polymerization substance, and (iv) an organic solvent.例文帳に追加

（ｉ）窒素原子の一部がアルコキシアルキル基で置換されたＮ−アルコキシアルキル化ポリアミド樹脂と、（ｉｉ）重合性酸性リン酸化合物と、（ｉｉｉ）メタクリロキシ基又はアクリロキシ基を含有するシラン化合物及び／又はその（部分）加水分解物もしくはその縮重合物と、（ｉｖ）有機溶剤を含むことを特徴とする導電性膜形成用組成物。 - 特許庁

In the back electrode type photoelectric conversion element equipped with semiconductor layers 60, 62 and electrodes 80, 82 for collecting carriers only onto the back side of a semiconductor substrate 40 constituted of a principal constituent of a group IV material, a quantum well unit 50 is provided between a p-layer and an n-layer which constitute a pn junction unit on the back side of the substrate.例文帳に追加

ＩＶ属材料を主成分とする半導体基板４０の裏面側にのみキャリアを収集するための半導体層６０，６２及び電極８０，８２を備えた裏面電極型の光電変換素子において、基板裏面側のｐｎ接合部を構成するｐ層とｎ層との間に量子井戸部５０を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

For example, this is obtained by copolymerizing a vinyl-polymerizable silicone of formula IV with an Si-bonded hydrogen containing vinyl-polymerizable siloxane of formula V and, optionally, other polymerizable vinyl monomers.例文帳に追加

一般式（Ａ）： -(COO)_a-A-SiR_m[(OSiR_2)_pOSiR_2X]_3-m 一般式（Ｂ）： -(COO)_a-A-SiR_2O-[ R_2SiO ]_n -SiR_2-A^ -(OOC)_a- ［式中、Aは二価炭化水素基またはアルキレンオキシアルキレン基であり、Rは脂肪族不飽和結合を含まない一価炭化水素基であり、ａは０または１であり、ｎは１０以上の整数であり、ｐは０〜３０の整数であり、ｍは０〜２の整数であり、Ｘは水素原子または式：-A-(SiR_2O)_a-SiR_m[(OSiR_2)_pOSiR_2H]_3-m（式中、A，R，ａ，ｐおよびｍは前記と同じである。）で示される一価有機基である。 - 特許庁

(iv) The term "advanced clinical training" means the practices listed in the following (a) to (n) inclusive, conducted by foreign medical practitioners or dental practitioners, or foreign nurses, etc. (excluding a person who has a license which corresponds to the license for a emergency life-saving technician in a foreign country (hereinafter referred to as a "foreign emergency life-saving technician"); hereinafter the same shall apply in this item), who have entered Japan for the purpose of learning medical knowledge and skills, which are conducted at a hospital designated by the Minister of Health, Labour and Welfare (hereinafter referred to as a "designated hospital" in this item) based on the classification of the license which corresponds to the license listed in the following (a) to (n) inclusive, in such foreign country respectively, under the on-site instruction and supervision of a medical or dental clinical instructor, or a clinical instructor (limited to a person who has any of the licenses listed in the following (c) to (n) inclusive, which corresponds to the license held by the applicable foreign nurse, etc. in a foreign country), and the practices listed in the following (o) conducted by foreign emergency life-saving technicians, who have entered Japan for the purpose of learning medical knowledge and skills, which are conducted in an ambulance, etc. prescribed by Article 44, paragraph (2) of the Emergency Life-saving Technicians Act (Act No. 36 of 1991), (hereinafter referred to as an "ambulance, etc." in this item) transporting a patient in a serious condition prescribed by Article 2, paragraph (1) of such Act (hereinafter referred to as a "serious patient" in this item) to a designated hospital or before and until the serious patient is put into the ambulance, etc. for transportation to such designated hospital, to the extent an emergency medical treatment or care prescribed by Article 2, paragraph (1) of such Act is found necessary and under the on-site instruction and supervision of a clinical instructor (limited to a medical practitioner or an emergency life-saving technician). 例文帳に追加

四　臨床修練　医療に関する知識及び技能の修得を目的として本邦に入国した外国医師若しくは外国歯科医師又は外国看護師等（外国において救急救命士に相当する資格を有する者（以下「外国救急救命士」という。）を除く。以下この号において同じ。）が厚生労働大臣の指定する病院（以下この号において「指定病院」という。）において臨床修練指導医若しくは臨床修練指導歯科医又は臨床修練指導者（当該外国看護師等が外国において有する資格に相当する次のハからカまでに掲げる資格を有する者に限る。）の実地の指導監督の下にその外国において有する次のイからカまでに掲げる資格に相当する資格の区分に応じ、それぞれイからカまでに定める業を行うこと並びに医療に関する知識及び技能の修得を目的として本邦に入国した外国救急救命士が指定病院に救急救命士法（平成三年法律第三十六号）第二条第一項に規定する重度傷病者（以下この号において「重度傷病者」という。）を搬送する同法第四十四条第二項に規定する救急用自動車等（以下この号において「救急用自動車等」という。）において、又は当該指定病院への搬送のため重度傷病者を救急用自動車等に乗せるまでの間において同法第二条第一項に規定する救急救命処置を行うことが必要と認められる場合に臨床修練指導者（医師又は救急救命士に限る。）の実地の指導監督の下に次のヨに定める業を行うことをいう。 - 日本法令外国語訳データベースシステム