「OF Si」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

In the expressions, C, N, Ni, Cu, Mn, Cr, Si, Al, Mo, and Ti each denote the content (mass%) of each element.例文帳に追加

γmax=420C+470N+23Ni+9Cu+7Mn-11.5Cr-11.5Si-52Al+189…式１γpot =700C+800N+10(Mn+Cu)+20Ni-9.3Si-6.2Cr-9.3Mo-74.4Ti-37.2Al+63.2…式２ここで、C、N、Ni、Cu、Mn、Cr、Si、Al、Mo、Tiは、それぞれの元素の含有量(質量%)を示す。 - 特許庁

Furthermore, the film 23A is arranged, such that the ratio of oxygen O to silicon Si (O/Si) range from 1.4 or more to less than 2.0.例文帳に追加

さらに、シリコン酸化膜２３Ａは、酸素ＯとシリコンＳｉのＯ／Ｓｉ比が、１．４以上２．０未満となるようにした。 - 特許庁

A porous Si layer 2 having a thickness between 300 nm and 50 μm is formed under the surface of a single-crystal Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板１の表面下に３００ｎｍ〜５０μｍの厚さのポーラスＳｉ層２が形成されている。 - 特許庁

The iron oxide is coated with a layer of Si and Fe compound oxide and further coated with a Si component.例文帳に追加

ＳｉとＦｅの複合酸化鉄層にて被覆した後、Ｓｉ成分にて被覆したことを特徴とする酸化鉄粒子。 - 特許庁

Further, the sintered compact may comprise one or more kinds of metals selected from Ni, Co, Cr, Mo, W, Si and V by ≤50% in total.例文帳に追加

なお、Ni、Co、Cr、Mo、Ｗ、Si、Ｖのうちから選ばれた１種または２種以上を合計で50％以下含有してもよい。 - 特許庁

The gel film is used for setting the temperature of the electric furnace, and the Si wafer is put directly in the furnace and baked in the furnace for 30 minutes.例文帳に追加

電気炉はゲル膜を設定温度としておき、Siウェハを直接投入して30分間保持して焼成する。 - 特許庁

Here, poly-Si is formed by laser-annealing part of a-Si formed on the entire surface.例文帳に追加

ｐｏｌｙ−Ｓｉは全面に形成されたａ−Ｓｉの一部をレーザアニールによってｐｏｌｙ−Ｓｉに変換している。 - 特許庁

To provide a sputtering target for coating an Si based ceramic film capable of stable continuous coating for a long time.例文帳に追加

長時間安定した連続コーティングが可能な、Si系のセラミック膜をコーティングするためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The steel sheet contains C: 0.2 to 0.7%, Si: 0.01 to 1.0%, Mn: 0.1 to 1.0%, P: 0.03% or below, S: 0.035% or below, Al: 0.08% or below and N: 0.01% or below with the balance consisting of Fe and unavoidable impurities.例文帳に追加

C：0.2〜0.7%、Si：0.01〜1.0%、Mn：0.1〜1.0%、P：0.03%以下、S：0.035%以下、Al：0.08%以下、N：0.01%以下を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなる。 - 特許庁

The method for manufacturing the silicon carbide semiconductor element comprise the steps of generating silicon(Si) holes near an impurity ion implanted region, and reducing Si interstitial atoms.例文帳に追加

不純物イオン注入領域近傍にシリコン（Ｓｉ）空孔を生成させ、Ｓｉ格子間原子を減少させる。 - 特許庁

The iron tip part 1 and the cylindrical part 2 are integrally formed of Fe-Si alloy containing 6% Si.例文帳に追加

こて先先端部１及び筒状部２は硅素の含有割合が６％の鉄−硅素合金で一体に形成する。 - 特許庁

A buffer layer 2 is formed on the upper part of an Si single crystal 1, and a PZT thin film 3 is formed on it.例文帳に追加

Si単結晶１の上部には、バッファー層２が形成されており、その上に、ＰＺＴ薄膜３が成膜されている。 - 特許庁

A cell plate, having a polycide structure composed of a polycrystalline Si film and a WSiX film, is formed on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に多結晶Ｓｉ膜とＷＳｉ_x 膜とのポリサイド構造を有するセルプレート１５を形成する。 - 特許庁

To provide an aluminum alloy powder with the use of an Al-Si alloy with a high Si content, suitable for an abrasion resistant member.例文帳に追加

高ＳｉのＡｌ−Ｓｉ系合金を用いた耐摩耗性部材に適したアルミニウム合金粉末を提供する。 - 特許庁

Epitaxial growth of Si which is deposited from the melt 14 is made on the Si substrate by gradually decreasing temperature.例文帳に追加

そして、徐々に温度を下げることによって、メルトから析出したＳｉがＳｉ基板上にエピタキシャル成長する。 - 特許庁

This steel wire contains, by mass, 0.60 to 0.95% C, 0.1 to 1.2% Si and 0.30 to 0.90% Mu and has a bainitic structure of 90% or more in volume %.例文帳に追加

質量％でC：0.60〜0.95％、Si：0.1〜1.2％、Mn：0.30〜0.90を含有し、体積％で90％以上のベイナイト組織を有する。 - 特許庁

The low refractive index region 12a is constituted of an Si low doped low concentration layer 21 and an Si high doped high concentration layer 22.例文帳に追加

低屈折率領域１２ａをＳｉ低ドープの低濃度層２１とＳｉ高ドープの高濃度層２２とで構成する。 - 特許庁

SiOx, are arranged at one or both ends of a grain boundary 30 formed between columnar crystals in the μc-Si layer 14, short circuit of an electric current via the grain boundary 30 can be prevented between the n-type a-Si regions 131 and p-type a-Si regions 151.例文帳に追加

これにより、μc-Si層１４内で柱状晶間に形成される結晶粒界３０の一方もしくは両方の端部に絶縁部材であるSiOxから成る層（第１絶縁層１３２及び第２絶縁層１５２）が配置されるため、n型a-Si層１３１とp型a-Si層１５１との間で結晶粒界３０を介して電流が短絡することを防ぐことができる。 - 特許庁

The cap layer includes a first Si-doped GaAs cap layer containing Si impurities, a second Si-doped GaAs cap layer containing Si impurities of a lower concentration than the first Si-doped GaAs cap layer, and a barrier increase-suppressing region arranged on a layer between the second Si-doped GaAs cap layer and stopper layer and suppressing an increase of a potential barrier.例文帳に追加

ここで、キャップ層は、Ｓｉ不純物を含む第１ＳｉドープＧａＡｓキャップ層と、第１ＳｉドープＧａＡｓキャップ層よりも低濃度のＳｉ不純物を含む第２ＳｉドープＧａＡｓキャップ層と、第２ＳｉドープＧａＡｓキャップ層とストッパ層との間の層に設けられ、ポテンシャルバリアの上昇を抑制するバリア上昇抑制領域を備えるものとする。 - 特許庁

The manufacturing method of the light emitting element includes a step (S1) of washing an Si substrate, a step (S2) of sticking an erbium solution on the Si substrate, and steps (S3, S4) of heat-treating the Si substrate the erbium solution stucked thereto under a vacuum, and is characterized by forming a light emission layer of an erbium compound on the Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板を洗浄する工程（Ｓ１）と、Ｓｉ基板にエルビウム溶液を付着させる工程（Ｓ２）と、エルビウム溶液が付着したＳｉ基板を真空下で熱処理する工程（Ｓ３，Ｓ４）とを有し、Ｓｉ基板上にエルビウム化合物による発光層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

Since illuminance of the pulse light with which a second Si substrate 7b is irradiated is smaller than that of the pulse light with which the first Si substrate 7a is irradiated, the electromagnetic waves reflected on the Si substrate 7a transmits the second Si substrate 7b and are output as output electromagnetic waves until a reflection factor of the second Si substrate becomes high.例文帳に追加

第２のＳｉ基板７ｂに照射されるパルス光は、第１のＳｉ基板７ａに照射されるパルス光より照度が小さいので、第２のＳｉ基板の反射率が高くなるまでの間、Ｓｉ基板７ａで反射した電磁波は、第２のＳｉ基板７ｂを透過し出力電磁波として出力される。 - 特許庁

High purity titanium is produced by using Ti in place of Si.例文帳に追加

ＳｉをＴｉの置き換えれば、高純度チタンの製造法となる。 - 特許庁

L: one or more kinds of Si, Y. (x), (a), (b), X, Y, Z, A, B: all are atomic ratios.例文帳に追加

ｘ、ａ、ｂ、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ａ、Ｂ：いずれも原子比である。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR CLEANING INSIDE OF Si PRODUCT MANUFACTURING DEVICE例文帳に追加

Ｓｉ系生成物製造装置内部の洗浄方法及び装置 - 特許庁

CASTING METHOD OF HYPER-EUTECTIC Al-Si BASED ALLOY, AND INGOT THEREOF例文帳に追加

過共晶Ａｌ−Ｓｉ系合金の鋳造方法及び鋳塊 - 特許庁

Consequently, the exposed surfaces of the respective SiC films are made Si-rich.例文帳に追加

これにより、各ＳｉＣ膜の露出表面をＳｉリッチにする。 - 特許庁

Warpage of the Si chip can be measured based on the rocking curve.例文帳に追加

このロッキング曲線に基づいて、Ｓｉチップの反り測定ができる。 - 特許庁

A heat radiating plate 8 is arranged on the rear-surface side of the Si chip 1.例文帳に追加

さらに、Ｓｉチップ１の裏面側に放熱板８を配置する。 - 特許庁

METHOD FOR PREVENTING UPWARD WARPAGE IN HOT ROLLING LINE OF HIGH Si STEEL例文帳に追加

高Ｓｉ鋼の熱間圧延ラインにおける上反り防止方法 - 特許庁

To provide a hot forged member of Al-Si alloy powders.例文帳に追加

Ａｌ−Ｓｉ系合金粉末熱間鍛造部材を提供する。 - 特許庁

The polycrystallization of Si is promoted caused by the hydrolysis.例文帳に追加

この加水分解に起因してＳｉの多結晶化が促進される。 - 特許庁

METHOD FOR STABILIZING DIELECTRIC CONSTANT OF Si-O CONTAINING CERAMIC COATING例文帳に追加

Ｓｉ−Ｏ含有セラミック皮膜の誘電率を安定化させる方法 - 特許庁

DEPOSITION METHOD OF ELECTRICALLY ACTIVE DOPED SI-CONTAINING CRYSTALLINE FILM例文帳に追加

電気的に活性なドープト結晶性Ｓｉ含有膜の堆積方法 - 特許庁

Thereafter, dehydrogenation annealing of the a-Si film 13a is performed by RTA.例文帳に追加

その後、ＲＴＡによりａ−Ｓｉ膜13aの脱水素アニールを行う。 - 特許庁

METHOD OF BENDING Al-Mg-Si-BASED ALUMINUM ALLOY PLATE例文帳に追加

Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系アルミニウム合金板材の曲げ加工方法 - 特許庁

SHEET MATERIAL OF Cu-Ni-Si-BASED COPPER ALLOY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金板材およびその製造法 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR FORMING THIN Ge-Si FILM OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁

The surface of Si (111) is cleaned and flattened at the atomic level.例文帳に追加

シリコン（１１１）の表面はクリーンにされ、原子的に平坦にされる。 - 特許庁

A rust preventive film using Zn as a base, and in which the outermost surface layer is an amorphous oxide layer of Zn, P and Si is formed on the surface of a cold rolled steel sheet.例文帳に追加

冷延鋼板の表面に、最表層がZnとＰとSiの非晶質酸化物層であるZnを基地とする防錆膜を形成する。 - 特許庁

To make the hole mobility in a pMOSFET larger than that in a strained Si-MOSFET, to simplify the design of a CMOS logic circuit, and to improve the operating speed of the CMOS logic circuit.例文帳に追加

ｐMOSFETにおける正孔移動度を歪Si-MOSFETよりも大きくし、CMOS論理回路の設計を容易にし、かつ動作速度を向上させる。 - 特許庁

Projection area of the Si substrate 12 to the movable member 8 is larger than the area of the liquid supply opening 5 in the Si substrate 12.例文帳に追加

可動部材８のＳｉ基板１２への投影領域は、Ｓｉ基板１２での液体供給口５の開口領域よりも大きい。 - 特許庁

English radiobiologist in whose honor the gray (the SI unit of energy for the absorbed dose of radiation) was named (1905-1965) 例文帳に追加

英国の放射線科医で、その栄誉をたたえて、グレイ（放射線の吸収線量に対するエネルギーのSI単位）が名付けられた（1905年−1965年） - 日本語WordNet

When ammonia (NH_3) and a gallium chloride (GaCl) are supplied, the epitaxial growth of a gallium nitride(GaN) 30 starts on the surface 10a of an Si substrate 10 (Fig. b).例文帳に追加

アンモニア(NH_3)と塩化ガリウム(GaCl)を供給すると、Si基板１０の面１０ａに窒化ガリウム(GaN)３０がエピタキシャル成長を開始する(b)。 - 特許庁

DEVICE INCLUDING EPITAXIAL NICKEL SILICIDE FILM ON Si OF (100) FACE OR STABLE NICKEL SILICIDE FILM ON AMORPHOUS Si AND METHOD OF MANUFACTURING IT例文帳に追加

（１００）面のＳｉ上のエピタキシャルニッケルシリサイドまたはアモルファスＳｉ上の安定したニッケルシリサイドを含むデバイスおよびその製造方法 - 特許庁

A weight ratio of Co in the cathode to Si in the anode (Co/Si) is to be within the range of 0.3 to 5.5.例文帳に追加

負極におけるＳｉに対する、正極におけるＣｏの重量比（Ｃｏ／Ｓｉ）を０．３〜５．５の範囲内としたことを特徴とする。 - 特許庁