「P-cap」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The p-GaAs cap layer 6 and the p-AlGaAs clad layer 5, and the p-GaAs cap layer 26 and the p-AlGaInP clad layer 25 have a chevrony shape when viewed from the cleavage plane.例文帳に追加

へき開面から見たｐ−ＧａＡｓキャップ層６及びｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５の形状、並びにｐ−ＧａＡｓキャップ層２６及びｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２５の形状は、山状にしてある。 - 特許庁

A ridge stripe 150 is constituted by: a p-type GaAs top cap layer 111 of a ridge stripe shape; a p-type Al_yGa_1-yAs cap etching stop layer 110; a p-type GaAs bottom cap layer 109; and a p-type Al_xGa_1-xAs second cladding layer 108.例文帳に追加

リッジストライプ形状のｐ型ＧａＡｓ上キャップ層１１１、ｐ型Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓキャップエッチングストップ層１１０、ｐ型ＧａＡｓ下キャップ層１０９及びｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第２クラッド層１０８でリッジストライプ１５０を構成する。 - 特許庁

On an n-GaAs substrate 21, an n-AlGaAs clad layer 22, an undoped AlGaAs optical guide layer 23, an undoped active layer 24, an undoped AlGaAs optical guide layer 25, a p-AlGaAs clad layer 25, and a p-GaAs cap layer 27 are in sequence laminated.例文帳に追加

n-GaAs基板21の上に、n-AlGaAsクラッド層22、アンドープAlGaAs光ガイド層23、アンドープ活性層24、アンドープAlGaAs光ガイド層25、p-AlGaAsクラッド層26、p-GaAsキャップ層27を順次積層する。 - 特許庁

A p-InP clad layer 36 and p-cap layer 38 are laminated on the mesa and the n-current block layer 34.例文帳に追加

メサ及びｎ−電流ブロック層上に、ｐ−ＩｎＰクラッド層３６、ｐ−キャップ層３８が積層されている。 - 特許庁

An n-type clad layer 2, an n-type light containment layer 3, an undoped MQW layer 4, a cap layer 5, a p-type light containment layer 6, a p-type clad layer 7 and a p-type contact layer 8 are sequentially grown on an n-type GaN substrate 1, and LD structure is obtained.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１上にｎ型クラッド層２、ｎ型光閉じ込め層３、アンドープMQW層４、キャップ層５、p型光閉じ込め層６、p型クラッド層７、p型コンタクト層８を順次成長させてLD構造を得た。 - 特許庁

A P-type transistor cap film 108 is formed by introducing an ion 107 to the N-type transistor cap film 104 located in the P-type transistor area Rp.例文帳に追加

Ｐ型トランジスタ領域Ｒｐに位置するＮ型トランジスタ用キャップ膜１０４にイオン１０７を導入することにより、Ｐ型トランジスタ用キャップ膜１０８を形成する。 - 特許庁

All of a p-type cap layer 6, a p-type clad layer 7, a p^--type contact layer 8, and a p^+-type contact layer 9 which consist of a crystalline nitride semiconductor, already contain a p-type dopant, and are formed in this order.例文帳に追加

予めｐ型不純物を含有する状態で、結晶性の窒化物半導体からなるｐ型キャップ層６，ｐ型クラッド層７，ｐ^-型コンタクト層８、およびｐ^+型コンタクト層９を、この順に成膜する。 - 特許庁

The wheel speed sensor P is laterally provided inside the hub cap 3 left as a dead space in a conventional one.例文帳に追加

車輪速センサＰは、従来デットスペースであったハブキャップ３内に横向きに設ける。 - 特許庁

A ridge section is formed on the p-type AlGaN clad layer 8 and a p-type GaN cap layer 9 is formed on the upper surface of the ridge section.例文帳に追加

ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層８にリッジ部が形成され、リッジ部上面にｐ−ＧａＮキャップ層９が形成されている。 - 特許庁

This device 2 is provided with a contact layer 5 composed of p-BeTe, a cap layer 4 on the contact layer 5 which layer 4 is composed of p-ZnSe, and an electrode 3 on the cap layer 4.例文帳に追加

この装置２は、ｐ−ＢｅＴｅからなるコンタクト層５と、コンタクト層５上のｐ−ＺｎＳｅからなるキャップ層４と、キャップ層４上の電極３とを備えている。 - 特許庁

A stripe-like ridge 19 is constituted of a p-type AlGaAs 2nd clad layer 9 and a p-type cap layer 10 formed on the p-type AlGaAs 2nd clad layer 9.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層９と、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層９上に形成されたｐ型キャップ層１０とでストライプ状のリッジ１９を構成する。 - 特許庁

A p-side electrode 36 is provided on the p-InP cap layer and an n side electrode 38 is provided on the back surface of the n-InP substrate.例文帳に追加

ｐ−ＩｎＰキャップ層上にはｐ側電極３６が、ｎ−ＩｎＰ基板の裏面にはｎ側電極３８が設けてある。 - 特許庁

A p-GaAs cap layer 19 and an upper DBR 18 are formed as a mesa post 20.例文帳に追加

ｐ−ＧａＡｓキャップ層１９及び上部ＤＢＲ１８は、メサポスト２０として形成される。 - 特許庁

A p-type InP upper clad layer 21 and a p-type InP cap layer 22 are laminated on the mesa and the n-type InP contact layer 20.例文帳に追加

メサ及びｎ−ＩｎＰコンタクト層２０上にｐ−ＩｎＰ上部クラッド層２１、及びｐ−ＩｎＰキャップ層２２が積層されている。 - 特許庁

Moreover, a silicon cap layer is formed on the silicon-germanium layer, and an emitter region is formed by introducing phosphorus (P) or arsenic (As) into this silicon cap layer.例文帳に追加

また、シリコン−ゲルマニウム層上にシリコンキャップ層を形成し、このシリコンキャップ層にリン（Ｐ）あるいは砒素（Ａｓ）を導入してエミッタ領域を形成する。 - 特許庁

In the temperature-reducing process after growing a p-type GaAs cap layer 508, the substrate is exposed to AsH3 atmosphere to prevent introduction of group-V defect into the active layer.例文帳に追加

p型GaAsキャップ層５０８成膜後の降温過程において、基板をAsH_3雰囲気に曝し、活性層にＶ族欠陥が導入されることを防止する。 - 特許庁

As a figure shows, most part of the wheel speed sensor P is housed inside the hub cap 3 by laterally providing the wheel speed sensor P, and the only pull-out part of an output line 6 is projected from the hub cap 3.例文帳に追加

車輪速センサＰを横向きに設ければ、同図から理解できるように、車輪速センサＰの大部分は、ハブキャップ３内に収まり、出力線６の引出部のみがハブキャップ３の外に突出するだけの態様となる。 - 特許庁

Since the packing container P is continuously fed by the base conveyor 15, it is unnecessary to arrange a package holder for holding the packing container P to the cap supply means and a picking apparatus for holding the cap.例文帳に追加

包装容器Ｐはベースコンベヤ１５によって連続的に搬送されるので、キャップ供給手段に包装容器Ｐを保持するためのパッケージホルダ及びキャップを保持するためのピッキング装置を配設する必要がない。 - 特許庁

In the step for manufacturing a nitride compound semiconductor laser, a p-type AlGaN etching marker layer 200 is placed under a p-type GaN cap layer 108 and a p-type AlGaN clad layer 107.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体レーザの製造工程において、ｐ型ＧａＮキャップ層１０８およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０７下にｐ型ＡｌＧａＮエッチングマーカー層２００を敷く。 - 特許庁

The second p-type cladding layer 19, the p-type interlayer 20, and the p-type cap layer 21 have laser structure wherein a belt-shaped ridge 23 and a belt-shaped dummy ridge 25 are arranged alternately in the upper part.例文帳に追加

第２ｐ型クラッド層１９，ｐ型中間層２０およびｐ型キャップ層２１は、その上部に、帯状のリッジ部２３と、帯状のダミーリッジ部２５とを交互に配列してなるレーザ構造を有する。 - 特許庁

In a p-GaAs cap layer 38, a width W3 of its upper surface is made smaller than a width W2 of its lower surface in sectional shape.例文帳に追加

ｐ‐ＧaＡsキャップ層３８を、上面の幅Ｗ3が下面の幅Ｗ2よりも狭い断面形状にする。 - 特許庁

The sensor rotor 2 is concentrically fitted to a hub 1 for a wheel, and the wheel speed sensor P is fitted to a hub cap 3.例文帳に追加

車輪用ハブ１にセンサロータ２を同一心に取付け、ハブキャップ３には車輪速センサＰを取付ける。 - 特許庁

After a cap 62 moves along the conveyed direction of paper P until it faces the ink discharge surface 2a, the ink-jet head 2 moves into the cap position to seal the ink discharge surface 2a with the cap 62.例文帳に追加

キャップ６２がインク吐出面２ａと対向するまで用紙Ｐの搬送方向に沿って移動した後に、インクジェットヘッド２がキャップ位置に移動することによって、キャップ６２がインク吐出面２ａを封止する。 - 特許庁

When the star wheel 40 makes the cap 8 of a charging chute 35 fed into a space which is surrounded by the cap guide 52 and the pocket groove P of the star wheel 51, the cap 8 is fed into a discharge chute 36 along the cap guide 52 by rotation of the star wheel 51.例文帳に追加

投入シュート３５のキャップ８をキャップ取出しスターホイル４０で、キャップガイド５２とドラム型スターホイル５１のポケット溝Ｐとで囲まれるスペースに送込むと、ドラム型スターホイル５１の回転によりキャップガイド５２に沿って排出シュート３６へと送られる。 - 特許庁

In the elastic freely engaging dustproof cap C that is freely attachable to and detachable from the tip of an optical connector plug P, a slot 9 which fits to the outside of an engaging projection 5 of the optical connector plug P is provided near the opening of the dustproof cap C.例文帳に追加

光コネクタプラグＰの先端部へ脱着自在に弾性嵌合自在の防塵キャップＣにおいて、前記光コネクタプラグＰの係合突起５に外嵌する長孔９を防塵キャップＣの開口部近傍に開設する。 - 特許庁

Thereby, the cap member 31 of the connection part 30 is fixed to the opening part 2 so as not to be off and can correspond to any PET bottles P and P'.例文帳に追加

これにより、接続部３０のキャップ部材３１は開口部２に対して外れないように固定され、いずれのペットボトルＰ，Ｐ’に対しても対応できるようになる。 - 特許庁

This portable private part washing device is formed by mounting a cap 2 having a nozzle device 1 for injecting storage water Q stored in the Pet bottle P, on the mouth part P1 of the PET bottle P.例文帳に追加

ペットボトルＰの口部Ｐ１に、当該ペットボトルＰ内に貯留された貯留水Ｑを噴水するノズル装置１を備えたキャップ２を装着してなる。 - 特許庁

A first p-side electrode 40 and a second p-side electrode 42 are provided on the cap layer and the back side of the substrate, and an n-side electrode 44 is provided on the contact layer.例文帳に追加

キャップ層上及び基板裏面には第１ｐ側電極４０及び第２ｐ側電極４２が、コンタクト層上にはｎ側電極４４が設けてある。 - 特許庁

Lateral opposite sides parallel with the cleavage plane and holding the central portion of a p-GaAs cap layer 6 and a p-AlGaAs clad layer 5 are cut by etching, and lateral opposite sides parallel with the cleavage plane and holding the central portion of a p-GaAs cap layer 26 and a p-AlGaInP clad layer 25 are cut by etching.例文帳に追加

ｐ−ＧａＡｓキャップ層６及びｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５の中央部を挟んでへき開面に平行な横方向両側部分は、エッチングにより切り出され、ｐ−ＧａＡｓキャップ層２６及びｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２５の中央部を挟んでへき開面に平行な横方向両側部分は、エッチングにより切り出されてある。 - 特許庁

The direction of major axis of outgoing light of the LD4 is formed in major axis direction P of effective diameter 3x of the cap 3.例文帳に追加

ＬＤ４の出射光の長軸方向は、キャップ３の有効径３ｘの長軸方向Ｐに形成されている。 - 特許庁

An SiO2 insulation film 7 and a p-side electrode 8 are laminated on the cap layer 6.例文帳に追加

ｐ−ＧａＡｓキャップ層６の上には、ＳｉＯ2 からなる絶縁膜７とｐ側電極８とが順に積層されている。 - 特許庁

A Ti/Pt/Au multilayered material film is formed as a P-side electrode 59 extending over the P-type clad layer 55 and bestriding the P-type cap layer 57.例文帳に追加

ｐ側電極５９として、ｐ型クラッド層５５上からｐ型キャップ層５７上を延在し、次いでｐ型クラッド層５５上に達するｐ型キャップ層５７を跨がった形状のＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの多層金属膜が形成されている。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type clad layer, an active layer 38, a p-type clad layer and a p-type cap layer are sequentially laminated on an n-type substrate, and an (n) electrodes 44 is provided on a lower surface of the substrate.例文帳に追加

ｎ型基板上に、ｎ型バッファ層、ｎ型クラッド層、活性層３８、ｐ型クラッド層、及びｐ型キャップ層を順次積層し、基板の下面にｎ電極４４を設ける。 - 特許庁

In addition, a protective cap 8 is disposed in contact with the tip of the plug P when an opening/closing cover 11 is closed is installed on the rear surface of the opening/closing cover 11 disposed forward of the plug P.例文帳に追加

さらに、プラグＰ前方に配置する開閉フタ１１において、その裏面に開閉フタ１１を閉じるとプラグＰ先端に当接して配置される保護キャップ８を設ける。 - 特許庁

On an n-type GaAs substrate 12, an n-type AlGaAs lower clad layer 14, an active layer 16, a p-type AlGaAs upper clad layer 18, and a p-type GaAs cap layer 20 are successively grown.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１２上に、ｎ−ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層１４、活性層１６、ｐ−ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層１８、及びｐ−ＧａＡｓキャップ層２０を成長させる。 - 特許庁

In a semiconductor light emitting element having electrodes including a Pt layer adjacent an Au layer 14, a Ti layer 12 of 50 nm, a Pt-Mo layer 13 of 50 nm, an Au layer 14 of 300 nm are laminated on a P-GaAs cap layer 9.例文帳に追加

Au層に隣接したPt層を含む電極を備えた半導体発光素子において、P-GaAsキャップ層９上にTi層12を50nm、Pt-Mo層13を50nm、Au層14を300nmの厚さで順次積層して形成した。 - 特許庁

A cap electrode CAP is provided on an insulation layer 6 covering the capacitance electrode FGC2 of the capacitor C, so that the capacitor part C has total capacitance of a capacitance between the capacitance electrode FGC2 and a p-type well HPW1 and a capacitance between the cap electrode CAP and the capacitance electrode FGC2.例文帳に追加

容量部Ｃの容量電極ＦＧＣ２を覆う絶縁層６上にキャップ電極ＣＡＰを設けることにより、容量部Ｃは、容量電極ＦＧＣ２とｐ型のウエルＨＰＷ１との間の容量およびキャップ電極ＣＡＰと容量電極ＦＧＣ２との間の容量を加算した容量を有する。 - 特許庁

A part of the rubber cap 12, opposing to the insertion direction Y1 of the plug terminal P is formed into a thick wall part 12a protruding outward.例文帳に追加

また、ゴムキャップ１２には、プラグ端子Ｐの嵌入方向Ｙ１と対向する部分を外側に突起させた肉厚部１２ａを設ける。 - 特許庁

An n-type current inhibition layer 1201 is formed so that a p-type ridge stripe 1700 formed of parts obtained by working p-type AlGaAs clad layer 1106 and a p-type GaAs cap layer 1107 in stripe shapes is sandwiched with both sides.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１１０６、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１１０７をストライプ形状に加工した部位からなるｐ型のリッジストライプ部１７００を両側面側から挟むように、ｎ型電流阻止層１２０１が形成されている。 - 特許庁

An n-type InP clad layer 2, a GaInAsP active layer 3, a p-type InP clad layer 4, and a p-type GaInAsP cap layer 11 are grown on an n-type InP substrate 1 doped with sulfur in turn.例文帳に追加

イオウがドープされたｎ型ＩｎＰ基板１の上に、順次、ｎ型ＩｎＰクラッド層２、ＧａＩｎＡｓＰ活性層３、ｐ型ＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＡｓＰキャップ層１１を成長させる。 - 特許庁

As the semiconductor etchant, an organic acid/hydrogen peroxide mixed solution is used which has a 10 to 20 dissolving speed ratio of a cap layer 9 of p-GaAs to a clad layer 7 of p-AlGaAs.例文帳に追加

半導体エッチング液は、ｐ−ＡｌＧａＡｓの上クラッド層７に対するｐ−ＧａＡｓのキャップ層９の溶解速度比が１０〜２０である有機酸／過酸化水素系混合溶液を用いる。 - 特許庁

Thereafter, after a carbon cap 17 is removed by conducting the ion activation annealing under the condition that the carbon cap 17 is formed on the p-well region 12, source region 13 and p^+ contact region 15; the outermost surface of the substrate is polished with CMP until the average surface roughness of about 0.1 to 0.5 nm can be attained.例文帳に追加

その後、ｐウェル領域１２，ソース領域１３，ｐ^＋コンタクト領域１５の上にカーボンキャップ１７を形成した状態でイオン活性化アニールを行い、カーボンキャップ１７を除去してから、ＣＭＰにより基板の最表面を、平均表面粗さ０．１ｎｍ〜０．５ｎｍ程度まで研磨する。 - 特許庁

Of a laminated film having the upper clad layer 7 of p-AlxGa1-xAs, a resistance adjusting layer 8 (x>y>0.2) of p-A1yGa1-yAs, and the cap layer 9 of p-GaAs in this order, the resistance adjusting layer 8 and cap layer 9 are selectively etched to obtain the effect that the edge deterioration is suppressed.例文帳に追加

ｐ−Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓの上クラッド層７、ｐ-Ａｌ_yＧａ_1-yＡｓの抵抗調整層８（ｘ＞ｙ＞０．２）、およびｐ−ＧａＡｓのキャップ層９をその順序に有する積層膜の内、ｐ−Ａｌ_yＧａ_1-yＡｓの抵抗調整層８とｐ−ＧａＡｓのキャップ層９が選択的にエッチングされ、端面劣化が抑制されるという優れた効果がある。 - 特許庁

In an element manufactured in a third crystal growing stage, a dopant is diffused from the p-type cap layer 109 to the p-side clad layer 105, resulting in a clad layer 114 forming a part of the p-side clad layer 105 directly under a mesa clad layer 107 is a p-type one and the clad layer 105 locating around it forms an undoped structure.例文帳に追加

３回の結晶成長により作製された素子は、ｐ型キャップ層１０９からのドーパントの拡散により、ｐ側のクラッド層１０５において、メサ部クラッド層１０７の直下に位置するクラッド層１０５の一部であるクラッド層１１４がｐ型で、その周辺に位置するクラッド層１０５がアンドープの構造となる。 - 特許庁

In a semiconductor laser element 501, an N-clad layer 11, an N-optical guide layer 12, an MQW layer 13, a P-cap layer 14, a P-optical guide layer 15, a P-clad layer 16, an N-current block layer 17 and a P-contact layer 18 are laminated in order on one surface of a transparent substrate 100.例文帳に追加

半導体レーザ素子５０１は、透明基板１００の一方の面上にｎ−クラッド層１１、ｎ−光ガイド層１２、ＭＱＷ活性層１３、ｐ−キャップ層１４、ｐ−光ガイド層１５、ｐ−クラッド層１６、ｎ−電流ブロック層１７およびｐ−コンタクト層１８が順に積層されてなる。 - 特許庁