「Step on the gas」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Based on the cylinder gas temperature Tc, a combustion gas receiving heat quantity Qb of the intake valve received from combustion gas is calculated (a step 110).例文帳に追加

その筒内ガス温度Tcに基づいて、吸気弁が燃焼ガスから受ける燃焼ガス受熱量Qbを算出する（ステップ１１０）。 - 特許庁

The outlet gas temperature Tp2 is determined based on the temperature of a delivery pipe of the compressors 11a, 11b and 11c (Step S2).例文帳に追加

圧縮機（11a,11b,11c）の吐出管の温度に基づいて出口ガス温度Tp2を求める（ステップＳ２）。 - 特許庁

The method of manufacturing the fine component includes a step of introducing the gas into the heating chamber 5, a step of heating the introduced gas in the heating chamber 5, a step of introducing the material in the heated gas, a step of generating plasma of the introduced material, a step of converging the plasma, and a step of spraying the converged plasma on the workpiece.例文帳に追加

また、加熱室５にガスを導入する工程と、導入されたガスを加熱室５で加熱する工程と、加熱したガスに材料を導入する工程と、導入された材料のプラズマを生成する工程と、このプラズマを集束させる工程と、集束させた後のプラズマを被処理体に吹き付ける工程とを含む微細部品の製造方法である。 - 特許庁

By the combination of cleaning nozzles set on both sides of the gas nozzle and the moving means, a forward action step and a backward action step are changed over.例文帳に追加

ガスノズルの両側に設けた複数の洗浄ノズルと移動手段の組み合わせにより往動作ステップと復動作ステップを切り替える。 - 特許庁

Then the amount of instantaneous gas consumption is displayed on the displaying part 27 of an operation panel 7 (step S8).例文帳に追加

次いで、操作パネル７の表示部２７に瞬間ガス消費量が表示される（ステップＳ８）。 - 特許庁

When indication is done, the amount of accumulated gas consumption is displayed on the displaying part 27 (step S10).例文帳に追加

指示している場合は表示部２７に累積ガス消費量が表示される（ステップＳ１０）。 - 特許庁

The method comprises a step (a) of providing a gate electrode structure formed on a semiconductor substrate, a step (b) of conducting a short- time annealing (RTA) using a mixed gas of a nitrogen gas and a hydrogen gas on the gate electrode structure, and a step (c) of conducting a short-time thermal oxidation on the gate electrode structure.例文帳に追加

本発明方法は、（ａ）半導体基板上に形成されるゲート電極構造を提供する段階と、（ｂ）該ゲート電極構造に対し窒素ガス及び水素ガスを含む混合ガスを用いる短時間アニ—ル（RTA）を施す段階と、（ｃ）該ゲート電極構造に対し短時間熱酸化を施す段階とからなる。 - 特許庁

Based on the injection sharing ratio α, a cylinder gas temperature Tc is calculated (a step 104).例文帳に追加

その噴き分け率αに基づいて、筒内ガス温度Tcを算出する（ステップ１０４）。 - 特許庁

Based on the fuel property, a cylinder gas temperature Tc is calculated (a step 104).例文帳に追加

その燃料性状に基づいて、筒内ガス温度Tcを算出する（ステップ１０４）。 - 特許庁

The method for producing a gas barrier film includes: a base material preparation step of preparing a base material; and a gas barrier layer formation step of forming a gas barrier layer containing silicon oxynitride formed on the base material, wherein the formation of the gas barrier layer in the gas barrier layer formation step is performed using an ion plating process with a sublimation gas including a xenon gas.例文帳に追加

本発明のガスバリア性フィルムの製造方法は、基材を準備する基材準備工程と、基材の上に酸窒化珪素を含有するガスバリア層を形成するガスバリア層形成工程とを有し、ガスバリア層形成工程におけるガスバリア層の形成を、キセノンガスを含む昇華ガスを用いたイオンプレーティング法を用いて行うようにすることにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The method 300 for modifying the operation and/or performance of the gas turbine including a plurality of combustors includes: step 305 of measuring a gas exhaust temperature of the gas turbine; and step 310 of estimating a heat transfer rate of the gas turbine, based at least in part on the gas exhaust temperature.例文帳に追加

一実施形態によれば、複数の燃焼器を備えるガスタービンの性能を補正する方法３００は、ガスタービンのガス排気温度を測定するステップ３０５と、少なくとも部分的にガス排気温度に基づいてガスタービンの熱伝達率を推定するステップ３１０とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing an epitaxial wafer includes a first step (step S3) for performing hydrogen baking of a silicon wafer in a reactor, and a second step (step S4) for forming an epitaxial layer on the surface of the silicon wafer subjected to hydrogen baking by introducing a silicon material gas and a dopant gas into the reactor.例文帳に追加

シリコンウェーハを反応炉内で水素ベークする第１の工程（ステップＳ３）と、反応炉にシリコン原料ガス及びドーパントガスを導入することにより、水素ベークされたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する第２の工程（ステップＳ４）とを備える。 - 特許庁

The substrate processing method includes: a step of loading a substrate into a processing chamber; a step of supplying silicon compound gas including carbon and hydrogen into the processing chamber; a step of irradiating ultraviolet light on the silicon compound gas supplied into the processing chamber to process the substrate; a step of unloading the processed substrate from the processing chamber; and a step of processing the inside of the processing chamber with excited oxygen-containing gas.例文帳に追加

基板を処理室内へ搬入する工程と、炭素及び水素を含むシリコン化合物ガスを処理室内へ供給する工程と、処理室内へ供給されたシリコン化合物ガスに紫外光を照射して基板を処理する工程と、処理された基板を処理室から搬出する工程と、処理室内を励起された酸素含有ガスで処理する工程とを備える基板処理方法により、基板を処理する。 - 特許庁

Next, the dummy layer is removed by gas phase etching by a growing apparatus (step S7), the shape of the grating structure is transferred to the active layer to form a grating at the active layer (step S8), and a separation layer is formed on the grating without exposing the active layer to the atmosphere (step S9).例文帳に追加

これにより、回折格子構造形成時のエッチングがダミー層に対して行われ、さらに、活性層への回折格子の形成が気相エッチングによるため、いずれの工程においても活性層へのダメージが防止される。 - 特許庁

The using method of the vertical film deposition device includes a step for coating at least the inner wall of a treatment container with first treatment gas and second treatment gas, and a step for depositing a film on the treatment object by the first treatment gas and second treatment gas.例文帳に追加

縦型成膜装置の使用方法は、第１の処理ガスおよび第２の処理ガスにより少なくとも処理容器の内壁をコーティングする工程と、第１の処理ガスおよび第２の処理ガスにより被処理体に膜を形成する成膜工程とを有する。 - 特許庁

In the step of forming the insulating film 30, the layer 30 is caused to deposit on the area by projecting an ion beam of a gas containing a rare gas as the main component upon the substrate after the patterning step is performed.例文帳に追加

絶縁層３０を成膜する工程では、前記パターニング段階の後の前記基体に向けて希ガスを主成分とするガスのイオンビームを照射しつつ、絶縁層３０を堆積させる。 - 特許庁

A step section is formed on the outer peripheral edge part of the upper face of the gas valve insert metal fixture and a covering section for the step section is provided to the upper face edge part of the gas valve to thicken the rubber.例文帳に追加

ガスバルブインサート金具の上面の外周縁部に段落部を形成し，ガスバルブ上面周縁部に該段落部の被覆部を設けてゴムを肉厚とする。 - 特許庁

The thin film production system is provided with: a step where silicon-containing process gas is fed from a first gas feed part so that a silicon-containing film is deposited on a substrate using the silicon-containing process gas in a reaction chamber; and a step where an exhaust pump exhausts the silicon-containing process gas from the reaction chamber.例文帳に追加

反応室において、シリコン含有プロセスガスを用いて基板上にシリコン含有膜が形成されるように、第１ガス供給部からシリコン含有プロセスガスを供給するステップと、排気ポンプが、前記反応室から前記シリコン含有プロセスガスを排気するステップとを具備する。 - 特許庁

The oxide film formation method includes: a step of generating a plasma from a gas mixture containing an inert gas and an oxidizing gas whose mixing ratio to the inert gas is ≥0, and is ≤0.007; and a step of forming the oxide film on a surface of a silicon substrate by using the plasma.例文帳に追加

酸化膜の形成方法は、不活性ガスと、前記不活性ガスに対する混合割合が０よりも大きく且つ０．００７以下である酸化ガスと、を含む混合ガスからプラズマを生成する工程と、前記プラズマを用いてシリコン基板の表面に酸化膜を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

To eliminate a bad affect of a gas current on the next step in an apparatus such as a chlorofluorocarbon recovery device and secure the action of the next step by suppressing the gas current velocity to the minimum in a discharge cylinder of a vertical crusher.例文帳に追加

縦形破砕装置の排出筒内での気流速度を最小限に抑制しフロン回収装置のような次工程へ気流の悪影響をなくし次工程の作用を確保する。 - 特許庁

In addition, a gas discharging port 116 is provided on the side wall inside the film formation chamber 110 so that a remaining gas after the film formation step or that after the cleaning step is discharged outside the film formation chamber.例文帳に追加

また、成膜室１１０の内部の側壁には、成膜工程が終わった後の残留ガスまたはクリーニング工程が終わった後の残留ガスを成膜室の外部に排出するためのガス排出口１１６が設けられている。 - 特許庁

This method for depositing the exhaust gas cleaning catalyst comprises a catalyst depositing step to introduce the catalyst-containing exhaust gas obtained by mixing the exhaust gas cleaning catalyst in exhaust gas into the three-dimensional structure arranged in an exhaust gas flow passage and deposit the exhaust gas cleaning catalyst on the three-dimensional structure.例文帳に追加

本発明の排ガス浄化用触媒の担持方法は、排ガス浄化触媒が排ガスに混合された含触媒排ガスを排ガス流路内に配設された三次元構造体に導入して排ガス浄化触媒を三次元構造体に担持させる触媒担持工程を備えた構成を有している。 - 特許庁

The method is provided which includes a step for refining a raw gas, the step that separates and removes, based on a difference with other ingredients in molecule size, at least one kind of ingredient of those contained in the raw gas not participating in growth reaction.例文帳に追加

原料ガス中に含まれる成長反応に関与しない成分のうちの少なくとも１種を、他の成分との分子寸法の違いにより分離除去する原料ガス精製工程を含む方法とする。 - 特許庁

The method for forming an oxide film in a processing chamber 205 includes an oxidation step of forming an oxide film on a treated substrate by supplying only an ozone containing gas to the treated substrate, and a CVD step of forming the oxide film composed of oxide components of a material gas on the treated substrate by supplying the CVD material gas and the ozone containing gas to the treated substrate which has undergone the oxidation step.例文帳に追加

処理チャンバ２０５内において、処理基板に対してオゾン含有ガスのみを供給して処理基板上に酸化膜を形成する酸化工程と、この酸化工程を経た処理基板に対してＣＶＤ原料ガスとオゾン含有ガスとを供給して当該処理基板上に前記原料ガスの成分の酸化物からなる酸化膜を形成させるＣＶＤ工程とが実行される。 - 特許庁

The method for producing the thermoplastic polyimide foam comprises steps, a step forming a continuous sheet by extruding the thermoplastic polyimide resin, a step impregnating an inert gas into the formed sheet under pressure, a step rapidly releasing the pressure applied on the formed sheet and then heating to foam and steps selectively repeating a plurality of times of the impregnation step under pressure of the inert gas and the foaming step.例文帳に追加

熱可塑性ポリイミド樹脂を押出成形して連続したシート状の成形体を成形し、成形体に不活性ガスを加圧下で含浸し、成形体に作用する圧力を急激に開放し、加熱して成形体を発泡させ、その後、不活性ガスの加圧下での含浸から発泡までの作業を選択的に複数回繰り返すことにより熱可塑性ポリイミド発泡体を製造する。 - 特許庁

At first, when an ignition switch is turned on (step S1), via a concentration meter installed at a hydrogen supply flow passage, the concentration of oxygen which is an opposite electrode gas to be penetrated and remain behind in a fuel gas flow passage is detected (step S2).例文帳に追加

先ず、イグニションスイッチがＯＮされると（ステップＳ１）、水素供給流路に設けられた濃度計を介して、燃料ガス流路に透過して残留する対極ガスである酸素の濃度が検出される（ステップＳ２）。 - 特許庁

On the other hand, before the temperature of the mold 11 is reached to the specific temperature at the heating step and after the gradual cooling step is finished and the temperature of the mold is lowered to the specific temperature, a new inert gas is fed into the molding chamber 17 through a gas feeding path 22 and exhausted from a gas exhausting valve 53.例文帳に追加

一方、加熱工程において型１１が所定の温度に到達する以前、及び、徐冷工程が終って型が所定の温度以下に低下した以降は、ガス供給路２２から新しい不活性ガスを成形室１７内に供給し、ガス排気バルブ５３から排出する。 - 特許庁

Concretely, the method includes a material supply step where the first material gas and the second material gas are supplied at a specified flow ratio r, and a material accumulation step where the supply of the first material gas is stopped while the only second material gas is supplied and the material supplied in the material supply step is deposited on a substrate, and the steps are alternately repeated to deposit a high-quality thin film.例文帳に追加

具体的には、特定の流量比ｒで第１原料気体および第２原料気体を供給する原料供給工程と、上記の第１原料気体の供給を停止して第２原料気体のみを供給し、原料供給工程において供給された原料を基板上に成膜させる原料堆積工程とを含み、これらの工程を交互に繰り返すことによって高品質のものに成膜する。 - 特許庁

The method of growing an oxynitride film on a substrate includes a step 100 of providing a substrate in a process chamber, a step 102 of heating the process chamber, and a step 104 of flowing a wet process gas containing water vapor and a nitriding gas containing nitrous oxide (NO) into the process chamber.例文帳に追加

基板上に酸窒化膜を成長する方法は、処理チャンバ内に基板を設ける工程１００、処理チャンバを加熱する工程１０２、並びに、水蒸気を含む湿式処理ガス及び亜酸化窒素(NO)を含む窒化ガスを処理チャンバへ流し込む工程１０４を有する。 - 特許庁

This method for producing a refractory article comprises a step of heating the sample of a refractory article at ≥1,000°C, a step of monitoring at least one of a released hydrogen-containing gas and a released carbon-containing gas, and a step of calculating the concentration of at least one of hydrogen gas and carbon in the sample on the basis of the amount of the released gas.例文帳に追加

本発明の耐火物品の製造方法は、耐火物品のサンプルを１０００℃以上に加熱するステップと、放出された水素含有ガスと炭素含有ガスの少なくとも一方のガスを監視するステップと、放出されたガスの量に基づいてサンプル内の水素と炭素の少なくとも一方の濃度を計算するステップとからなることを特徴とする。 - 特許庁

This method according to the invention, which comprises a step of heat-treating the epitaxial wafer W, having an epitaxial layer EP formed by epitaxially growing silicon single crystals on the surface of a silicon substrate SUB, in a gas atmosphere, is characterized in that the gas atmosphere of the step includes nitride gas.例文帳に追加

シリコン基板ＳＵＢの表面にシリコン単結晶をエピタキシャル成長したエピタキシャル層ＥＰを有するエピタキシャルウェーハＷを雰囲気ガス中で熱処理する工程を有し、該工程の前記雰囲気ガスは、窒化ガスを含む。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device forms an oxide film on a substrate by oxidizing the substrate by alternately repeating a step of supplying an oxygen-containing gas to the substrate and a step of supplying a reaction promotion gas having catalytic action with respect to the oxygen-containing gas to the substrate several times.例文帳に追加

基板に酸素含有ガスを供給する工程と、前記酸素含有ガスに対して触媒作用を有する反応促進ガスを供給する工程と、を交互に複数回繰り返して、基板を酸化することにより基板に酸化膜を形成する。 - 特許庁

The method further includes the step of, after that, in the same processing chamber, or after disposing the base material on which the Co film is deposited in another processing chamber, annealing this base material in a mixture gas atmosphere containing ammonia gas and hydrogen gas at another predetermined temperature.例文帳に追加

その後、同一の処理室内で、またはＣｏ膜が成膜された基材を他の処理室内に配置し、この基材をアンモニアガスと水素ガスとを含む混合ガス雰囲気中にて他の所定温度でアニールする。 - 特許庁

This dry etching method repeatedly executes a step of generating plasma in a vacuum tank to etch a substrate and a step of sputtering a sold material disposed oppositely to the substrate to form a protective film on the side wall of an etching pattern, wherein a mixed gas obtained by adding a reaction gas for forming a protective film to a noble gas is used as a sputter gas in the protective film forming step.例文帳に追加

本発明のドライエッチング方法は、真空槽内でプラズマを発生させて、基板をエッチングする工程と、基板に対向して配置された固体材料をスパッタして、エッチングパターンの側壁部に保護膜を形成する工程を、交互に繰り返して行うドライエッチング方法であって、保護膜の形成工程では、スパッタガスとして、希ガスに保護膜形成用の反応ガスを添加した混合ガスを用いる。 - 特許庁

When depositing a Ti film by CVD on a work substrate in a treatment chamber, a first step of generating first plasma while introducing TiCl_4 gas, H_2 gas and Ar gas, and a second step of generating second plasma while stopping the feed of TiCl_4 gas and introducing H_2 gas and Ar gas are alternately repeated for a plurality of times.例文帳に追加

処理チャンバー内で被処理基板にＣＶＤによりＴｉ膜を成膜するにあたり、ＴｉＣｌ_４ガス、Ｈ_２ガス、Ａｒガスを導入しつつ第１のプラズマを生成する第１ステップと、ＴｉＣｌ_４ガスを停止し、Ｈ_２ガス、Ａｒガスを導入しつつ第２のプラズマを生成する第２ステップとを交互に複数回繰り返す。 - 特許庁

The inter-layer insulation film is formed on the aluminum wires, an embedding film is coated on a step difference to fill in the step difference, and etch-back is applied to them by using the reactant gas to expose the upper part of the first layer aluminum wires.例文帳に追加

その上に層間絶縁膜を成膜し、段差部分を埋め込み膜で塗布して段差を埋め、更にそれらを反応ガスを用いてエッチバックし１層目アルミ配線上部を露出させる。 - 特許庁

A silicon source gas, a tungsten source gas and a hydride compound gas for reducing a chlorine(Cl) group are made to flow into the reaction chamber (step S12), and a tungsten silicide film is vapor-deposited on the polysilicon film (step S14).例文帳に追加

反応チャンバ内にシリコンソースガス、タングステンソースガス、ならびに塩素（Ｃｌ）基を還元するための水素化合物ガスを流入させ（段階Ｓ１２）、ポリシリコン膜上にタングステンシリサイド膜を蒸着する（段階Ｓ１４）。 - 特許庁

The method of manufacturing the silicon nitride film includes a step of depositing the silicon nitride film at a film depositing temperature lower than 200°C by a plasma chemical vapor deposition method using a silicon source gas, a nitrogen source gas and a raw material gas containing a hydrogen on a substrate.例文帳に追加

基体上に、珪素源ガス、窒素源ガス及び水素を含む原料ガスを用いたプラズマ化学気相成長法により、２００℃未満の成膜温度で、窒化シリコン膜を成膜する工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The raw material gas and the oxidizing agent gas is alternately fed into a reaction chamber with a substrate placed therein across a purging step with purge gas to deposit a metal oxide thin film on the substrate.例文帳に追加

そして、基板を置いた反応室内に前記原料ガスと酸化剤ガスをパージガスによる排気工程をはさんで交互に供給し、前記基板上に金属酸化物薄膜を成膜するようにした。 - 特許庁

In next step, the pulse of molecular oxygen-containing gas is supplied to the reaction chamber to react with the precursor on the substrate.例文帳に追加

次のステップで分子酸素含有ガスのパルスを反応室内に供給し、酸素が基板上の前駆体と反応する。 - 特許庁

In a sixth step, the pit is formed on the sapphire substrate through the vapor etching by the mixed gas of Cl_2/CH_4/Ar.例文帳に追加

第６ステップにて、Ｃｌ_2／ＣＨ_4／Ａｒの混合ガスによるガスエッチングによりサファイア基板にピットを形成する。 - 特許庁

Based on a total receiving heat quantity acquired from the combustion gas receiving heat quantity Qb and the fuel vaporization heat quantity Qf or the like, the intake valve temperature Tv is updated (a step 111).例文帳に追加

燃焼ガス受熱量Qb、燃料気化熱量Qf等から求まる総受熱量に基づいて、吸気弁温度Tvを更新する（ステップ１１１）。 - 特許庁

In an etching process for etching an etching ground on a Si film by bringing SF_6 gas into the plasma state, this process comprises two steps: a large-quantity supplying step for supplying a large quantity of SF_6 gas; and a small-quantity supplying step for supplying a small quantity of SF_6 gas.例文帳に追加

ＳＦ_６ガスをプラズマ化してＳｉ膜上のエッチンググランドをエッチングするエッチング工程において、これを、多量のＳＦ_６ガスを供給する多量供給工程と、少量のＳＦ_６ガスを供給する少量供給工程との二工程から構成する。 - 特許庁

An etching process, in which an etching grand on a Si film is etched by bringing a SF_6 gas into the plasma state, is composed of two steps, that is, a large quantity supplying step of supplying a large quantity of SF_6 gas and a small quantity supplying step of supplying a small quantity of SF_6 gas.例文帳に追加

ＳＦ_６ガスをプラズマ化してＳｉ膜上のエッチンググランドをエッチングするエッチング工程において、これを、多量のＳＦ_６ガスを供給する多量供給工程と、少量のＳＦ_６ガスを供給する少量供給工程との二工程から構成する。 - 特許庁

The method comprises a first step of depositing tantalum halide, nitrogen source gas and silicon source gas with plasma to form an amorphous tantalum/silicon nitride film on a substrate, and a second step of stopping introducing the silicon source gas and executing the same operation as in the first step to form an amorphous tantalum nitride film on the tantalum/silicon nitride film.例文帳に追加

タンタルハロゲン化物、窒素源ガス、およびシリコン源ガスをプラズマ分解し、基板上にアモルファス状のタンタル・シリコン窒化物膜を形成する第１工程と、該シリコン源ガスの導入を中止し、第１工程と同様の操作を続けて、該タンタル・シリコン窒化物膜上にアモルファス状のタンタル窒化物膜を形成する第２工程とを含む。 - 特許庁