「W. D」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

When the monitored signal strength difference D_n is not higher than a threshold W, a duration P_Mn in a state with the signal strength difference D_n equal to or lower than the threshold W is measured.例文帳に追加

監視している信号強度差Ｄ_ｎが閾値Ｗ以下になったとき、信号強度差Ｄ_ｎが閾値Ｗ以下である状態の持続時間Ｐ_Ｍｎを測定する。 - 特許庁

The projected area of the super-abrasive grains D occupies more than 5% and less than 55% of the surface area of a core wire W of the super-abrasive grain wire saw P where the super-abrasive grains D are fixed on the core wire W by the bonding material R.例文帳に追加

芯線Ｗの表面に超砥粒Ｄが結合材Ｒで固着された超砥粒ワイヤソーＰにおいて、超砥粒Ｄの投影面積が芯線Ｗの表面積に占める割合が５％以上５５％以下である。 - 特許庁

A die apparatus is constituted of a punch P and a die D, a deburring tip 33 is assembled into the die D, a work W pressed by the punch P is moved on the deburring tip 33, the burr formed to the work W is removed.例文帳に追加

パンチＰとダイＤにより構成されていると共にダイＤにバリ取りチップ３３が組み込まれ、パンチＰで押圧したワークＷをバリ取りチップ３３上で移動させ該ワークＷに形成されたバリを除去する。 - 特許庁

The rate W/d of a diameter (d) of the through-hole electrodes 16 and 17 to width W between the ground electrodes 5 and 5 on the both edge faces of the laminated body 1 is set 1.6 or more and 11.4 or less.例文帳に追加

積層体１の両端面のグランド電極５、５間の幅Ｗに対するスルーホール電極１６、１７の直径ｄの比Ｗ／ｄを１．６以上、１１．４以下に設定する。 - 特許庁

The copper wiring has a width of not more than 70 nm and a ratio D/W of an average crystal particle diameter D to a wiring width W is ≥1.3 in a surface parallel to the side surface of a trench.例文帳に追加

銅配線の配線幅が７０ｎｍ以下で、トレンチの側面と平行な面における平均結晶粒径Ｄと配線幅Ｗの比Ｄ／Ｗを１．３以上にする。 - 特許庁

The grinding is carried out so that D/W becomes ≥0.01 wherein D is the total sum of the length in which a web is practically in contact with the projecting part of the rod in the rod axial direction and W is the width of the web.例文帳に追加

また、研磨によって、凸部によりロッドがウェブにロッド軸方向で実際に接している長さの総和をＤとし、ウェブの塗布幅をＷとしたときに、Ｄ／Ｗが０．０１以上になるように研磨する。 - 特許庁

Concretely, an oscillation device 2 configured of an oscillator or an oscillation circuit is made to function as the clock resource of the first W/D timer 4, and a CR oscillation circuit 6 is made to function as the clock source of the second W/D timer 5.例文帳に追加

具体的には、発振子や発振回路で構成される発振装置２を第１Ｗ／Ｄタイマ４のクロック源とし、ＣＲ発振回路６を第２Ｗ／Ｄタイマ５のクロック源とする。 - 特許庁

At the conveying origin D of the sheet workpiece W, even when position gaps X are generated between sheet workpieces W, the position gaps X are eliminated when they are stacked on the conveying destination A to prevent tilting of a layered product of the sheet workpieces W.例文帳に追加

枚葉ワークＷの搬送元Ｄでは、各枚葉ワークＷに位置ずれＸが生じているような場合でも、搬送先Ａへ重ねられる際には、位置ずれは解消され、枚葉ワークＷの積層体の傾斜を防ぐ。 - 特許庁

A fluid driving device (D) is so constituted that it drives a rotational shaft (W), the rotational shaft (W) is located at a turning axis (A) of a turnable part (V), and the rotational shaft (W) is connected to the turnable part (V) in a state incapable of being pivoted.例文帳に追加

流体駆動装置（Ｄ）が回転軸（Ｗ）を駆動するようになっており、該回転軸が旋回可能な部分（Ｖ）の旋回軸線（Ａ）に位置していて、旋回可能な部分（Ｖ）に回動不能に結合されている。 - 特許庁

Here, provided that d is the thickness of the chemically strengthened glass, the distance L between the edge of the chemically strengthened glass fixed and the edge of the fixing member is d≤L≤20d, and the width W of the fixing member is d≤W≤10d.例文帳に追加

また、化学強化ガラスの厚さをｄとする場合、ガラス端部と固定用部材端部との距離Ｌがｄ≦Ｌ≦２０ｄで固定されたこと、および化学強化ガラスの固定用部材の幅Ｗがｄ≦Ｗ≦１０ｄであることを特徴としている。 - 特許庁

In the method for operating the dust collector 1 equipped with the filter 7 for filtering the gas containing the dust D, the gas containing the dust D is introduced into the dust collector 1 after fine liquid droplets W are sprayed on the gas containing the dust D.例文帳に追加

ダストＤを含む気体を濾過するフィルタ７を備えた集塵機１の運転方法において、ダストＤを含む気体に微細液滴Ｗを噴霧した後、該気体を集塵機１に導入する。 - 特許庁

The work W fed on a die D is supported at front/rear of the die D by a work support 41 piercing back/forth through an opening part 33 arranged to the die D.例文帳に追加

ダイＤの上に搬入されたワークＷは、ダイＤに設けられている開口部３３を前後に貫通するワークサポート４１により、ダイＤの前後において支持される。 - 特許庁

The wireless installation 1 constituting the wireless network system 10 calculates arithmetic distance d_ist(t)=|w_i(t)-w_jk(s)|, based on temporary own position w_i(t) and temporary positions w_jk(s) (k=1-6) of wireless installations 2-7 existing near it.例文帳に追加

無線ネットワークシステム１０を構成する無線装置１は、仮の自己位置ｗ_ｉ（ｔ）と近傍に存在する無線装置２〜７の仮の位置ｗ_ｊｋ（ｓ）（ｋ＝１〜６）とに基づいて演算距離ｄ_ｉｓｔ（ｔ）＝｜ｗ_ｉ（ｔ）−ｗ_ｊｋ（ｓ）｜を演算する。 - 特許庁

When the base plate 11 is lowered, the hook members 12, 12 are advanced into piled reinforced materials W, W, etc., the reinforced material W on the top part is held by increasing an interval by d=da and only the reinforced material W on the top part can be separated above.例文帳に追加

ベース板１１を下降させると、フック部材１２、１２は、積み重ねた鉄筋材Ｗ、Ｗ…に進入し、間隔ｄ＝ｄa に増大させて最上部の鉄筋材Ｗを保持し、最上部の鉄筋材Ｗだけを上方に分離させることができる。 - 特許庁

In the plasma processing method, a dummy substrate D having, on a surface thereof, organic matter similar to that on the surface of the substrate W is disposed in front of the substrate W with respect to the entering direction of the substrate W, and the dummy substrate D is entered into the plasma generation area P before entering the substrate W into the plasma generation area P.例文帳に追加

このプラズマ処理方法では、基板Ｗの表面における有機物と同様の有機物が表面にあるダミー基板Ｄを、基板Ｗの進入方向に対して、基板Ｗの前方に置き、基板Ｗにおけるプラズマ発生領域Ｐ内への進入に先立って、ダミー基板Ｄをプラズマ発生領域Ｐ内に進入させる。 - 特許庁

A d-axis controller 12b includes a disturbance observer unit 123 for presuming q-axis disturbance w (speed electromotive voltage) which is generated on a d-axis caused by a q-axis actual current value based on a d-axis actual current value Id and a d-axis control voltage value Vd*.例文帳に追加

ｄ軸制御部１２ｂは、ｑ軸実電流値に起因してｄ軸に生じるｑ軸外乱ｗ（速度起電圧）をｄ軸実電流値Ｉｄ及びｄ軸制御電圧値Ｖｄ＊に基づき推定する外乱オブザーバ部１２３を含んで構成されている。 - 特許庁

In a speed detection abnormality judgment circuit 100 effective power W which removes the influence of primary resistor and a leakage inductance of the induction motor 2 is calculated with a d-axis voltage instruction Vd* and a q-axis voltage instruction Vq* and a d-axis detection current Id and a q-axis detection current Iq.例文帳に追加

速度検出異常判定回路１００では、ｄ軸電圧指令Ｖ_d ^* 及びｑ軸電圧指令Ｖ_q ^* と、ｄ軸検出電流Ｉ_d 及びｑ軸検出電流Ｉ_q を基に、誘導電動機２の一次抵抗と漏れインダクタンスの影響を除去した有効電力Ｗを演算する。 - 特許庁

As the pigment carrying polymer, a polymer having ≥50,000 weight average molecular weight (Mw) and ≥1.48 refractive index (Abbe's refractometer) (nD) is used.例文帳に追加

顔料担持ポリマーとして、重量平均分子量（Ｍ_w ）：５万以上、屈折率（アッベ屈折計）（ｎ_D ）：１．４８以上を有するものを使用する。 - 特許庁

This O/W-type cake cosmetic is produced by compounding (a) agar, (b) sodium polyaspartate, (c) water and (d) an oil.例文帳に追加

次の成分（ａ）〜（ｄ）；（ａ）寒天（ｂ）ポリアスパラギン酸ナトリウム（ｃ）水（ｄ）油剤を配合することを特徴とする水中油型固形化粧料。 - 特許庁

Thus, dust D, mist M and the like around the substrate are blown off in outward directions and do not adhere to the substrate W.例文帳に追加

そのため、基板周囲のゴミＤやミストＭ等は外方向へ押し流されて基板Ｗに付着することがない。 - 特許庁

A groove width w of the wiring grooves 53 is wider than a diameter d of the cord-like heater 54.例文帳に追加

そして、前記配線溝５３の溝幅ｗはコード状ヒータ５４の直径ｄよりも広く形成されている。 - 特許庁

In the loop portion 8, a mooring member 9 having larger width w than an interval d between the bead cores is arranged.例文帳に追加

ループ部８内に、一対のビードコア間隙ｄよりも大きな幅ｗを有する係留部材９を配設する。 - 特許庁

The intermediate strainer device 2 is disposed in the exhaust duct D in a position to permit maintenance and inspection work from the inspection opening W in the indoor wall C.例文帳に追加

中間ストレーナー装置２を排気ダクトＤにおける室内壁Ｃの点検口Ｗから保守点検作業が可能な位置に配設する。 - 特許庁

The mark 6 is provided with a width W equivalent to the diameter D of a golf ball 10 and has a color different from the one of the top surface 4.例文帳に追加

このマーク６は、ゴルフボール10の直径Ｄに相当する幅Ｗを有し且つトップ面４の色とは異色である。 - 特許庁

The section D on the side of the wavelength longer than a wavelength λ_1 at which the peak P_1 is maximum, in the half-value width W of the peak P_1, is 60 nm or less.例文帳に追加

ピークＰ_１の半値幅ＷのうちピークＰ_１が極大となる波長λ_１よりも長波長側の部分Ｄは、６０ｎｍ以下である。 - 特許庁

A contact angle θ, formed between the resist solution and the wafer W, when resist solution is supplied, is reduced by the dam D.例文帳に追加

前記堰Ｄによって，レジスト液が供給された際の当該レジスト液とウェハＷとの接触角θが低減される。 - 特許庁

A plurality of grooves 4 in stripes, having a width W and a depth d, are formed in a main surface 1A of a single-crystal plate 1 at intervals of P.例文帳に追加

単結晶基板１に主面１Ａに、幅Ｗ、深さｄのストライプ状の溝４を周期Ｐで複数形成する。 - 特許庁

A polishing object H provided in a state in which a dummy wafer D is laminated on a wafer mirror surface processing surface W2 of a sample wafer W is manufactured.例文帳に追加

試料ウェハＷのウェハ鏡面加工面Ｗ２に、ダミーウェハＤを積層する状態で設けた被研磨体Ｈを作製している。 - 特許庁

After that, the spaces 41, 42 are made in the liquid-tight state, and the upper and the lower surface of a wafer W are cleaned by the chemical solution (as shown in Fig.5(d)).例文帳に追加

その後、空間４１，４２が薬液により液密状態にされて、ウエハＷの上面および下面が薬液により洗浄される（（ｄ）参照）。 - 特許庁

The shielding ring 13 is opposed to the lower part of the inner surface of the outer ring W to shield magnetic flux so that it may not spread to a lower notch d.例文帳に追加

シールドリング１３は、外輪Ｗ内面の下側に対向し、磁束を下側の切欠き部ｄに広がらないように遮蔽する。 - 特許庁

According to the electrical discharge machining method, machining chips C generated by fusion of a workpiece W are attracted and removed from the discharging portion D by magnetic force.例文帳に追加

放電加工方法は、加工対象物Ｗの溶融除去により生じた加工屑Ｃを、放電部分Ｄから磁力により吸引除去する。 - 特許庁

In this state, the wafer W is transported to a cooling stage 20, and the DAF (D) is expanded in a cooled state (Fig.3(f)).例文帳に追加

この状態で、ウェーハＷは、冷却ステージ２０に搬送され、ＤＡＦ（Ｄ）が冷却された状態でエキスパンドされる（同図（ｆ））。 - 特許庁

When a ring width W of the ring oscillator is reduced as a result of a machining error in manufacturing processes, a diameter d of each through-hole is increased.例文帳に追加

製造工程で加工誤差が生じた結果、リング型振動子のリング幅Ｗが減少する場合、貫通孔の直径ｄは増加する。 - 特許庁

When an actual vehicle distance (d) becomes smaller than the specified vehicle distance dw, the warning unit W is operated.例文帳に追加

実際の車間距離ｄが特定車間距離ｄw よりも小さくなったときに、警報器Ｗが作動される。 - 特許庁

The fixing member 11 is engaged and disengaged with/from the bolt C and the nut D positioned in the clearance W.例文帳に追加

固定部材１１は、隙間Ｗ内に位置するボルトＣ及びナットＤに係脱するようになっている。 - 特許庁

When an optical sensor 731 of a notch position detection sensor 73 detects a notch d of a workpiece W, the rotation of chuck means 21 is decelerated.例文帳に追加

ノッチ位置検出センサ７３の光学式センサ７３１がワークＷのノッチｄを検出すると、チャック手段２１の回転が減速される。 - 特許庁

Especially, the semiconductor device with high performance is obtained by satisfying ϕ≥arcsin(W/2d), where W is the beam width and (d) is the thickness of the substrate.例文帳に追加

特に、ビーム幅をＷとし、基板の厚みをｄとすると、φ≧ａｒｃｓｉｎ（Ｗ／２ｄ）という関係式を満たすことにより高性能の半導体装置を提供する。 - 特許庁

A projected wall W for stopping dripping of discharged liquid is installed on the back side of the rear wall R in a way that it surrounds the upper part and both sides of the drainage holes D in a portal form.例文帳に追加

後壁部Ｒの裏面側に、排液孔Ｄの上方及び両側を門形状に囲む、排液の液切り用の突壁部Ｗを設ける。 - 特許庁

This is because if the outer diameter D is less than twice the width W, the vibration component in the rotating axis direction is increased.例文帳に追加

なぜなら、幅Ｗに対して外径Ｄが２倍未満であると、回転軸方向の振動成分が大きくなってしまうからである。 - 特許庁

(1): 0≤ΔH≤500 μm, (2): 0≤σH≤200 μm, (3): 400 mm≤W≤1,200 mm, and (4): 50 mm≤D≤400 mm.例文帳に追加

（１）０≦ΔＨ≦５００μｍ （２）０≦σＨ≦２００μｍ （３）４００ｍｍ≦Ｗ≦１，２００ｍｍ （４）５０ｍｍ≦Ｄ≦４００ｍｍ - 特許庁

By each cut portion 20, a lateral width W of the main frame 7 is made smaller than an external diameter D of an external wheel 25.例文帳に追加

各カット部２０によってメインフレーム７の横幅寸法Ｗを外輪２５の外径Ｄよりも小さくする。 - 特許庁

The shifting amount S is obtained by subtracting the target value (design value) D of the core width of the main magnetic pole from the measured value of the width W of the hard mask.例文帳に追加

なお、シフト量Ｓはハードマスクの幅Ｗの実測値から主磁極のコア幅の目標値（設計値）Ｄを減算して得られる。 - 特許庁

The width W_in of the opening portion 3 of the outer box body 2 is set to be the same or slightly larger than the depth dimension d_out of the inner box body 4.例文帳に追加

外箱体２の開口部３の間口寸法Ｗ_ｉｎは、内箱体４の奥行き寸法ｄ_ｏｕｔと同じか又はやや大きく設定する。 - 特許庁

In a second rugged structure formed by the layer of the dielectric material 30, second recesses 32 have the width W and the depth H, while second projections 33 have the width d.例文帳に追加

誘電体３０の層が形成している第２の凹凸構造のうち第２の凹部３２の幅はＷであり、深さはＨである。 - 特許庁

Thereafter a hydrofluoric-nitric acid supply process (refer to fig. (d)) is executed, and the back face of the wafer W is etched using hydrofluoric-nitric acid.例文帳に追加

その後、ふっ硝酸供給工程（図（ｄ）参照）が実行され、ウエハＷの裏面がふっ硝酸を用いてエッチングされる。 - 特許庁