「active substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

This pharmaceutical preparation includes (a) the cyclosporine as the active ingredient, (b) a fatty acid monosaccharide ester and (c) a diluent or a substrate.例文帳に追加

(a)有効成分としてのシクロスポリン、(b)脂肪酸サッカリドモノエステル、および(c)希釈剤または担体を含有する医薬組成物により解決される。 - 特許庁

The silicon mold is obtained by etching a silicon active layer and a silicon oxide layer of a Silicon On Insulator (SOI) substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板のシリコン活性層及び酸化シリコン層を所望の形状にエッチングして得られたことを特徴とするシリコン型とした。 - 特許庁

The method further comprises the step of forming a ridge waveguide structure, containing the active layer on the substrate by a selective growth using the mask.例文帳に追加

この選択成長マスクを用いた選択成長により、半導体基板上に、活性層を含むリッジ導波路構造を形成する。 - 特許庁

An electrostatic protection element of such an arrangement and a high electron mobility transistor are provided on the same substrate on which the active layer is formed.例文帳に追加

また、かかる構成の静電保護素子を、高電子移動度トランジスタとともに、能動層を形成した同一の基板上に設ける。 - 特許庁

In this semiconductor device, a lower DBR mirror 2 and a quantum well active layer 3 are formed on the upper surface of an n-GaAs substrate 1.例文帳に追加

この半導体装置は、ｎ−ＧａＡｓ基板１の上面に、下部ＤＢＲミラー２および量子井戸活性層３を形成する。 - 特許庁

The first transistor is formed in the first active region 11A of a semiconductor substrate 10 and is provided with a first gate electrode 14A.例文帳に追加

第１のトランジスタは、半導体基板１０の第１の活性領域１１Ａに形成され、第１のゲート電極１４Ａを有する。 - 特許庁

Each memory unit MU has a memory capacitor at a part of a semiconductor substrate where an active region 3 and an upper electrode 22 overlap.例文帳に追加

メモリユニットＭＵの各々は、半導体基板における活性領域３と上部電極２２とが重なる部分にメモリキャパシタを備える。 - 特許庁

The undercoat 12 contains a metal or metal alloy that is more active in the galvanic series than iron, and electrically contacts the surface of the substrate.例文帳に追加

アンダーコート１２はガルバニ列で鉄よりも活性な金属又は金属合金を含有し、基材表面に電気的に接触する。 - 特許庁

A silicide film 5_S on source and a silicide film 5_D on drain are provided on the active area formed of the p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１からなる活性領域の上には、ソース上シリサイド膜５_Ｓ、ドレイン上シリサイド膜５_Ｄが設けられている。 - 特許庁

In the memory cell area 70, element isolation trenches 21 each for isolating an active area 30 are formed on a surface layer part of the silicon substrate 2.例文帳に追加

メモリセル領域７０には、シリコン基板２の表層部に、アクティブ領域３０を分離する素子分離トレンチ２１が形成されている。 - 特許庁

The substrate on which the cubic elements are formed is supplied with active species included in the crystal material.例文帳に追加

また、立体形状要素が形成された基板に対して、上述の結晶材料に含まれる元素を含む活性種を供給する。 - 特許庁

A dielectric mask is formed on a cladding layer (S4), after growing an SCH layer, active layer, SCH layer, and cladding layer on a substrate (S3).例文帳に追加

基板上にＳＣＨ層、活性層、ＳＣＨ層、クラッド層を成長させ（Ｓ３）、クラッド層上に誘電体マスクを形成する（Ｓ４）。 - 特許庁

The semiconductor laser device 1A includes: an n-type semiconductor substrate 3; an active layer 12; a diffraction lattice layer 15; and an n-type clad layer 18.例文帳に追加

半導体レーザ素子１Ａは、ｎ型半導体基板３、活性層１２、回折格子層１５、及びｎ型クラッド層１８を備える。 - 特許庁

To protect an active matrix circuit against electrostatic discharge damage and to increase the number of display devices which can be manufactured from one array substrate.例文帳に追加

アクティブマトリクス回路を静電破壊から保護すると共に、１つのアレイ基板から製造可能な表示装置の数を増加させる。 - 特許庁

A semiconductor device is provided with an active layer (activate layer) 105 comprising a first semiconductor layer that is formed on a sapphire substrate 101.例文帳に追加

半導体装置は、サファイア基板１０１上に形成された第１の半導体層よりなる能動層（活性層）１０５を備えている。 - 特許庁

To obtain a steep dopant profile by decreasing a parasitic resistor in active regions, such as an extension part, etc. in an SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板において、エクステンション部等の活性領域における寄生抵抗を減少させて急峻な不純物プロファイルを得る。 - 特許庁

The optical medium sequentially comprises: a substrate; a first dielectric layer on the substrate; an active layer on the first dielectric layer and absorbing a laser beam; a second dielectric layer on the active layer; a recording layer needing no initialization on the second dielectric layer; and a third dielectric layer on the recording layer needing no initialization.例文帳に追加

光学媒体は、順に、基板と、基板上の第一誘電層と、レーザー光を吸収する第一誘電層上の活性層と、前記活性層上の第二誘電層と、第二誘電層上の初期化不要記録層と、初期化不要記録層上の第三誘電層と、からなる。 - 特許庁

A semiconductor memory device according to an embodiment comprises: a semiconductor substrate; a plurality of element isolation insulators which are formed on an upper part of the semiconductor substrate and divide the upper part to a plurality of active areas extending in a first direction; and an electric contact connected to the active areas.例文帳に追加

実施形態に係る半導体記憶装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上層部分に形成され、前記上層部分を第１方向に延びる複数本のアクティブエリアに区画する複数本の素子分離絶縁体と、前記アクティブエリアに接続されたコンタクトと、を備える。 - 特許庁

The electrical device has a substrate 12 including a transmissive low reflectivity layer 14; a first conductor 16 on the substrate 12; an active material 20 on the first conductor 16; and a second conductor 18 on the active material 20.例文帳に追加

本発明の電子装置は、光透過性の低反射率層１４を有する基板１２と、この基板１２上の第１の導電体１６と、この第１の導電体１６上の活性材料２０と、この活性材料２０上の第２の導電体１８とを備えている。 - 特許庁

This device has a silicon substrate 12, an isolation structure 10 present in the substrate 12 (for example, a shallow trench isolation), an active element structure (for example, a transistor structure), a dielectric layer covering the active element structure, and a metal interconnect layer (a first metal layer) 28 covering the dielectric layer 26.例文帳に追加

本発明のデバイスは、シリコン基板と、その基板内に有るアイソレーション構造（例えば、浅いトレンチ・アイソレーション）と、能動素子構造（例えば、トランジスタ構造）と、その能動素子構造を覆う誘電体層及びその誘電体層を覆うメタル・インターコネクト層（第１メタル層）を具備する。 - 特許庁

In the first clad layer 104 and the second clad layer 106, a lattice mismatch rate of a part of the multiple quantum well active layer 105 to the substrate 101 is larger than that of a part opposite to the multiple quantum well active layer 105 to the substrate 101.例文帳に追加

この第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０６のそれぞれにおいて、多重量子井戸活性層１０５側の部分の基板１０１に対する格子不整合率は、多重量子井戸活性層１０５側とは反対側の部分の基板１０１に対する格子不整合率よりも大きい。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an active region (2) surrounded by an element isolating region (3) on a substrate (1), and a fuse element (5) which is formed on the substrate (1) crossing the active region (2) by forming an insulating film (5a), a semiconductor layer (5b), and a silicide layer (5c) on this sequence.例文帳に追加

半導体装置は、基板（１）における素子分離領域（３）によって囲まれた活性領域（２）と、活性領域（２）上を交差するように基板（１）上に形成され、絶縁膜（５ａ）、半導体層（５ｂ）及びシリサイド層（５ｃ）がこの順に形成されてなるヒューズ素子（５）とを備える。 - 特許庁

In a semiconductor substrate in which an Si substrate l with elements isolated by the STI method is used, in the case where it is provided with a part in which active areas cross each other at 90° or less, the active area 4 adjacent to the crossing part is bent at 90° or more.例文帳に追加

ＳＴＩ法により素子分離のなされたＳｉ基板１を用いた半導体装置において、活性領域４が互いに９０度以下の角度で交差する部分を有する場合に、交差部分の近傍における活性領域４を９０度より大きい角度で屈曲させる。 - 特許庁

In the manufacturing method of a semiconductor device for forming the USG film 5 on a semiconductor substrate 1 on which an n+-type active region 2 and a p+-type active region 3 are formed, an oxide film 4 is formed on the surface of the substrate 1 and the USG film 5 is formed on the oxide film 4.例文帳に追加

Ｎ＋型活性領域２およびＰ＋型活性領域３が形成された半導体基板１上にＵＳＧ膜５を形成する半導体装置の製造方法において、半導体基板１の表面に酸化膜４を形成し、酸化膜４の上にＵＳＧ膜５を形成する。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate, a display device, a method for inspecting an active matrix substrate, and a method for inspecting a display device that are each capable of ensuring, with a simple configuration, detection of short circuit generated between connecting wirings which are adjacent to each other formed in each of a plurality of layers.例文帳に追加

複数の層のそれぞれについて、同じ層に形成された隣接する接続配線間の短絡を簡易な構成で確実に検出することができるアクティブマトリクス基板、表示装置、アクティブマトリクス基板の検査方法、および表示装置の検査方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor substrate 101, a p-type active region 110 formed at the top of the semiconductor substrate 101, a gate insulating film 150 formed on the p-type active region 101, and a gate electrode 106 formed on the gate insulating film 150.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１の上部に形成されたｐ型活性領域１１０と、ｐ型活性領域１１０の上に形成されたゲート絶縁膜１５０と、ゲート絶縁膜１５０の上に形成されたゲート電極１０６とを有している。 - 特許庁

The scratch resistant display (10) includes a substrate (14), an active portion (15) on one surface of the substrate including at least a conductive layer (16), and a homeotropic organosilane (22) deposited on the active portion for reducing energy dissipation of an object in contact with the display.例文帳に追加

基材（１４）；少なくとも導電層（１６）を含む基材の一表面上にある活性部位（１５）；及びディスプレーに接触する物体のエネルギー散逸性を低下させるための、活性部位上に配置されたホメオトロピックオルガノシラン層（２２）を含む耐引っかき性ディスプレー（１０）。 - 特許庁

The light emitting element includes a substrate 10 made of a p-type semiconductor, an active layer 20 formed on the substrate and formed by laminating a plurality of layers of quantum dot layers 18 each made of a three-dimensional growth island in which self-formation is performed with an S-K mode, and an n-type semiconductor layer 22 formed on the active layer.例文帳に追加

ｐ形半導体より成る基板１０と、基板上に形成され、Ｓ−Ｋモードにより自己形成された三次元成長島より成る量子ドット層１８を複数層積層して成る活性層２０と、活性層上に形成されたｎ形半導体層２２とを有している。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curing ink composition for inkjet recording, the composition curable in a short time with high sensitivity to active energy rays, in particular, excellent in adhesiveness of the cured product with a substrate upon printing on a resin substrate that does not absorb ink such as an acrylic plate and a polyvinylchloride plate.例文帳に追加

活性エネルギー線に対して高感度でかつ短時間で硬化すると共に特にアクリル板やポリ塩化ビニル板等のインク非吸収性樹脂基材への印字に際しての硬化物と基材との密着性に優れる活性エネルギー線硬化型インクジェット記録用インク組成物の提供。 - 特許庁

To provide a curable composition having excellent curability, a high refractive index and excellent adhesiveness to a transparent sheet substrate, especially a methacrylic transparent sheet substrate, preferably an active energy ray curable composition, more preferably an active energy ray curable composition suitable for producing an optical article.例文帳に追加

硬化性に優れ、高屈折率で、透明シート基材、特にメタクリル系の透明シート基材との密着性に優れる硬化型組成物、好ましくは活性エネルギー線硬化型組成物、より好ましくは光学物品製造に適して活性エネルギー線硬化型組成物の提供。 - 特許庁

In the plasma processing equipment having the porous plate 4 installed between a plasma generator 8 and 7 and the substrate 2 to be treated, the shape and arrangement of pores of the porous plate is determined from the calculation of active species distribution and diffusion in the plasma generator, so that the plasma active species may have a desired density and distribution near the substrate.例文帳に追加

プラズマ発生部８、７と被処理基板２との間に多孔板４を設けたプラズマ処理装置において、前記多孔板の孔の形と配置を、基板近傍のプラズマ活性種を所望の密度と分布とするように、プラズマ発生部の活性種分布と拡散計算から決定する。 - 特許庁

The lithium secondary battery includes a positive electrode 3 containing a positive electrode active material, a negative electrode 2 containing a silicon-based negative electrode active material, an electrolyte containing lithium salt and nonaqueous organic solvent, and a separator 4 containing a polymer substrate and a ceramic containing coating layer formed on the polymer substrate.例文帳に追加

リチウム二次電池は、正極活物質を含む正極３と、シリコン系負極活物質を含む負極２と、リチウム塩および非水性有機溶媒を含む電解質と、ポリマー基材およびこのポリマー基材に形成されたセラミック含有コーティング層とを含むセパレータ４を含む。 - 特許庁

To provide a group III nitride light emitting device including a substrate, a 1st conductivity type layer formed on the substrate, a spacer layer formed on the 1st conductivity type layer, an active region formed on the spacer layer, a cap layer formed on the active region, and a 2nd conductivity type layer formed on the cap layer.例文帳に追加

基板と、基板の上にある第１導電型層と、第１導電型層の上にあるスペーサ層と、スペーサ層の上にある活性領域と、活性領域の上にあるキャップ層と、キャップ層の上にある第２導電型層とを含むIII族窒化物発光デバイスが開示される。 - 特許庁

The source electrode 31 extends on an internal wall surface of a groove 27, formed by digging a portion of the active layer 25 which forms the source electrode 31 from the top surface side of the active layer 25 to a depth reaching a P-type silicon substrate 21, from the top surface side to a position where it comes into contact with the silicon substrate 21.例文帳に追加

ソース電極３１は、能動層２５におけるソース電極３１を形成する部分を、能動層２５の表面側からＰ型のシリコン基板２１に達する深さまで掘った溝２７の内壁面に、その表面側からシリコン基板２１と接触する位置まで延びている。 - 特許庁

To provide an active element substrate whose crosstalk due to electrostatic capacity Csd is improved more and to provide a display device which is improved in picture quality by being equipped with the active element substrate and shows high display quality even when DV display is carried out.例文帳に追加

静電容量Ｃｓｄによるクロストークをより一層改善した能動素子基板を提供するとともに、当該能動素子基板を備えることによって、表示品位を向上させ、ＤＶ表示を行う場合であっても高い表示品位を示すことが可能な表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vacuum treatment apparatus that can treat the surface of a substrate 10 accommodated therein even when the substrate 10 has poor heat resistance in the surface or as the whole, by forming an active seed by heating a gas introduced into a vacuum chamber 1 with an exothermic body 7 and using the active seed.例文帳に追加

１内に導入されたガスを発熱体７で加熱して活性種を形成し、該活性種を用いて、収容された基体１０の表面を処理する真空処理装置において、表面又は全体が耐熱性の乏しい基体１０についても処理が行えるようにする。 - 特許庁

In the method of peeling a positive electrode active material constituting a lithium ion battery from a positive electrode substrate, matters obtained by dismantling a lithium ion battery are immersed in a surfactant solution and stirred thus peeling the positive electrode active material from the positive electrode substrate.例文帳に追加

リチウムイオン電池を構成する正極活物質を正極基板から剥離する正極活物質の剥離方法であって、リチウムイオン電池を解体して得られた電池解体物を、界面活性剤溶液に浸漬して攪拌することにより、正極基板から正極活物質を剥離する。 - 特許庁

The thickness of an insulating resin 6 is uniform in a region, in which a semiconductor film 3 is formed on an active matrix substrate 2, shown by a region Y1, and a region, in which a semiconductor film 3 is not formed on an active matrix substrate 2, shown by a region X1.例文帳に追加

領域Ｙ１で示すアクティブマトリクス基板２上において半導体膜３が形成されている領域と、領域Ｘ１で示すアクティブマトリクス基板２上において半導体膜３が形成されていない領域とにおいて、絶縁性樹脂６の厚さが等しくなっている。 - 特許庁

A semiconductor laser device includes a substrate 101 and two or more active layers 103, 106, wherein respective two cavities 201, 204 having the active layers 103, 106 are arranged in parallel with each other, and the lengths of the cavities 201, 204 in the region in which the currents of the active layers 103, 106 are injected, differ from each other.例文帳に追加

基板(101)と、二つ以上の活性層(103,106)を含む半導体レーザ装置であって、前記活性層(103,106)を有するそれぞれの二つの共振器(201,204)が互いに平行に配置されており、かつ前記活性層(103,106)の電流が注入される領域における共振器(201,204)の長さが互いに異なる。 - 特許庁

To provide: an organic semiconductor device having suitable layer constitution that gives no damage to an active layer, especially, during the formation of an interlayer dielectric and through-hole processing in an active substrate composed of an organic transistor; a method of manufacturing the same; and an active matrix display device using the organic semiconductor device.例文帳に追加

有機トランジスタからなるアクティブ基板作製において、特に層間絶縁膜の形成やスルーホール加工によって活性層にダメージを与えない最適な層構成の有機半導体装置及びその製造方法、並びに該有機半導体装置を用いたアクティブマトリクス表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technology of forming a polycrystalline semiconductor region of a semiconductor apparatus formed by using a laminated substrate with a base layer, a buried insulating layer, and an active layer laminated in this order in a boundary between the buried insulating layer and the active layer without thickening the film of the active layer.例文帳に追加

ベース層と埋込絶縁層と活性層が順に積層されている積層基板を利用して形成されている半導体装置において、活性層を厚膜化することなく埋込絶縁層と活性層の境界に多結晶半導体領域を形成することができる技術を提供する。 - 特許庁

The photodiode includes a semiconductor substrate 11, a plurality of active regions 12 formed by selective epitaxial growth, and comb-shaped electrodes 13 which are not only disposed opposite to the active regions 12 but also in an intercommunicating manner and electrically connected to the active regions 12.例文帳に追加

半導体基板１１と、その上に選択エピタキシャル成長により形成された複数の活性領域１２と、それらの活性領域１２に対してそれぞれ設けられ、互いに連絡してそれらの活性領域１２を電気的に接続する櫛型電極１３とからフォトダイオードを構成する。 - 特許庁

The optically active substance is characterized by obtaining an optically active compound as the result of the stereoselective ring-opening of a cyclic substrate having a symmetric structure by reacting an amine nucleophilic reagent in the coexistence of a bidentate coordinated active species having as a ligand a tartaric acid derivative.例文帳に追加

酒石酸誘導体を配位子として有する２座配位活性種の共存下で、アミン性求核試薬を反応させて対称構造を有する環状基質を立体選択的に開環させ、光学活性化合物を得ることを特徴とする光学活性体の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a fin-type active region defined on a semiconductor substrate having a device isolation structure, a recess formed over the fin-type active region, and a gate electrode formed over the fin-type active region, including a silicon germanium layer for burying the recess.例文帳に追加

半導体素子は、素子分離構造を備えた半導体基板に画成されたフィン型活性領域と、フィン型活性領域の上部に形成されたリセスと、フィン型活性領域の上部に形成され、前記リセスを埋め込むシリコンゲルマニウム層を含むゲート電極とを含む。 - 特許庁

To provide a method for analyzing an interaction to a physiologically active substance keeping activity, by performing measurement of an immobilization amount of the physiologically active substance onto a biosensor substrate and measurement of a biological activity of the physiologically active substance by the same biosensor.例文帳に追加

生理活性物質のバイオセンサー基板への固定化量の測定と、該生理活性物質の生物学的活性の測定とを同一のバイオセンサーにおいて行うことにより、活性を維持した生理活性物質に対する相互作用を分析する方法を提供すること。 - 特許庁