「conduction band」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The structure(250) has almost the same conduction band energy as the conduction band energy of the base(208) on the interface with the base(208) and has almost the same conduction band energy as the conduction band energy of the emitter(214) on the interface with the emitter(214).例文帳に追加

この構造（２５０）は、ベース（２０８）との界面では、ベース（２０８）の伝導帯エネルギーにほぼ等しい伝導帯エネルギーを有し、エミッタ（２１４）との界面においては、エミッタ（２１４）の伝導帯エネルギーにほぼ等しい伝導帯エネルギーを有する。 - 特許庁

Thus, a relaxation step 10 of electrons 5 from an exciting level 6 of the conduction band to the ground level 7 is expedited by lowering a threshold electron density of conduction electrons 5 of the ground level 7 of the conduction band of the dot 1.例文帳に追加

こうして量子ドット１の伝導帯の基底準位７の伝導電子５の閾電子密度を下げることにより、その伝導帯の励起準位６から基底準位７への電子５の緩和過程１０を促進する。 - 特許庁

The electron transfer layer 3 has a conduction band 3a which has an energy band width narrower than that of the conduction band 2c of the light-absorbing layer 2 and passes electrons at a given energy level E_e selectively.例文帳に追加

電子移動層３は、光吸収層２における伝導帯２ｃのエネルギー幅より狭いエネルギー幅を有しており所定のエネルギー準位Ｅ_ｅの電子を選択的に通過させる伝導帯３ａを有する。 - 特許庁

Conduction band of the channel region 13 is subjected to the tensile train and spilt, and the conduction band end is constituted by a band in which electrons of small effective mass enter, so that electrons of high electron mobility are driven.例文帳に追加

チャネル領域１３の伝導帯は引っ張り歪を受けてスプリットし、伝導帯端は実効質量の小さい電子がはいるバンドによって構成されるので、電子移動度の高い電子が走行する。 - 特許庁

Based on the characteristics of the band gap, electrons are made to exist in the conduction band of the thin film 12 on the lower energy level side whereas holes are made to exist in the conduction band of the substrate 11 on the higher energy level side.例文帳に追加

こうしたバンドギャップの特性に基づいて、電子をエネルギレベルの低い側の薄膜１２の伝導帯に存在させ、正孔についてはエネルギレベルの高い側の基板１１の伝導帯に存在させる。 - 特許庁

When the surface 4 of a photocatalyst is irradiated with light, if the energy of photons thereof is larger than the band gap of a photosemiconductor, electrons of the photosemiconductor are excited from a valance electron band to a conduction band and electrons 6 are generated in the conduction band and positive holes 7 are generated in the valance electron band.例文帳に追加

光触媒表面４に光を照射した場合、その光子のエネルギーが光半導体のバンドギャップより大きければ、光半導体原子の電子は価電子帯から伝導帯へ励起され、伝導帯に電子６が生じ、価電子帯に正孔７が生じる。 - 特許庁

A conduction band energy barrier difference, a difference between potential energy of a conduction band of the well layer and potential energy of a conduction band of the barrier layer, is smaller than an energy barrier difference of a valence band, a difference between potential energy of a valence band of the well layer and potential energy of a valence band of the barrier layer.例文帳に追加

井戸層の伝導帯のポテンシャルエネルギーとバリア層の伝導帯のポテンシャルエネルギーとの差である伝導帯のエネルギー障壁差が、井戸層の価電子帯のポテンシャルエネルギーとバリア層の価電子帯のポテンシャルエネルギーとの差である価電子帯のエネルギー障壁差より小さい。 - 特許庁

An energy level at a conduction-band end in at least one of an electric field adjusting layer in a laminating direction is higher than an energy level of the conduction-band end in the light absorbing layer, and is lower than an energy level of the conduction-band end of the multiplying layer.例文帳に追加

電気調整層のうち、積層方向の少なくとも一部における伝導帯端のエネルギー準位が、光吸収層における伝導帯端のエネルギー準位より高く、増倍層の伝導帯端のエネルギー準位より低いことを特徴とする。 - 特許庁

When an electron is excited from a core level into the conduction band, a core hole is created. 例文帳に追加

1個の電子がコア(内殻)レベルから伝導帯に励起されると、コアホールが生成される。 - 科学技術論文動詞集

Consequently, a conduction band of GaAs is raised to be above a Fermi level.例文帳に追加

その結果、ＧａＡｓの伝導帯が持ち上げられ、フェルミ準位より高くなる。 - 特許庁

To provide a field effect transistor with a conduction band electron channel and a uni-terminal response.例文帳に追加

伝導帯電子チャネルと単一端子応答を有する電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To improve current density in a semiconductor element where inter- band tunnel conduction is used.例文帳に追加

バンド間トンネル電導を用いた半導体素子における電流密度を向上することを目的とする。 - 特許庁

Therefore, a dip is formed in a valence band instead of a conduction band in the interface between the light-emitting layer SP- and the gallium nitride semiconductor layer P.例文帳に追加

このため、発光層ＳＰ−と窒化ガリウム系半導体層Ｐとの界面には、伝導帯ではなく価電子帯にディップが形成される。 - 特許庁

In operation, the conduction band of the island is lowered when a positive gate voltage is applied and a valence band is raised when a negative gate voltage is applied.例文帳に追加

動作時、正のゲート電圧を印加するとアイランドの伝導帯が降下し、負のゲート電圧印加で価電子帯が上昇する。 - 特許庁

Thus, a refractive index difference between the clad layer and the active layer is secured and, at the same time, band discontinuity in a conduction band is enlarged.例文帳に追加

クラッド層と活性層との間の屈折率差を確保することができると同時に、伝導帯におけるバンド不連続を大きくとることができる。 - 特許庁

A filter 6 for interrupting a signal with the same frequency band as the reception frequency band of the sub-antenna 4 is provided on a conduction path 10 of a reception signal of the main antenna 3.例文帳に追加

メインアンテナ３の受信周波数帯のうちの選択された一つの周波数帯の信号受信が可能なサブアンテナ４を設ける。 - 特許庁

The hole selectively passing film 54 has an energy level of a conduction band higher than an energy level of a conduction band of the semiconductor layer 30, and has an energy level of a valence band higher than an energy level of a valence band of the semiconductor layer 30.例文帳に追加

正孔選択通過膜５４は、伝導帯のエネルギレベルが半導体層３０の伝導帯のエネルギレベルよりも高く、価電子帯のエネルギレベルが半導体層３０の価電子帯のエネルギレベルよりも高いことを特徴としている。 - 特許庁

When the intensity of light from the outside is high, the photocatalyst layer 35 absorbs the light and supplies electrons moved into the conduction band of the photocatalyst layer 35 to the conduction band of the metal layers 32, 33.例文帳に追加

光触媒層３５は、外部からの光の強度が高いときに当該光を吸収して当該光触媒層３５の伝導帯に移動した電子を金属層３２，３３の伝導帯に供給する。 - 特許庁

The conduction band energy Ecp in the p-type clad layer is set to be higher than the conduction band energy Ecn in the n-type clad layer (Ecp>Ecn) so that the electrons in the active layer do not go out to the clad layer.例文帳に追加

活性層から電子がｐ型クラッド層へ出て行かないようにｐ型クラッド層での伝導帯エネルギーＥｃｐを、ｎ型クラッド層での伝導帯エネルギーＥｃｎより高くなるようにした（Ｅｃｐ＞Ｅｃｎ）。 - 特許庁

A conduction band lower end level Ec2 in the carrier supply layer 152 is set to become energetically higher than a conduction band lower end level Ec1 in the carrier transit layer 151 (Ec2>Ec1).例文帳に追加

また、キャリア供給層１５２における伝導帯下端準位Ｅｃ２が、キャリア走行層１５１における伝導帯下端準位Ｅｃ１よりもエネルギー的に高くなるように設定する（Ｅｃ２＞Ｅｃ１）。 - 特許庁

In this thin-film cold cathode, when a voltage is placed between a thin-film electrode 4 and a back electrode 5 so as to positively polarize the thin-film electrode 4, electrons in a conduction band of an n-type Si- semiconductor substrate 1 are injected into a conduction band of an intrinsic semiconductor 3.例文帳に追加

薄膜電極４と裏面電極５の間に薄膜電極４を正極性とするような電圧を印加すると、ｎ型Si半導体基板１の伝導帯の電子は、真性半導体３の伝導帯に注入される。 - 特許庁

The bone conduction head set comprises a band 1 surrounding the back of the head, hooking parts 2 formed at the opposite ends of the band 1, bone conduction speakers 3 each having a knob 4 being stopped at the hooking part 2, and ear hook parts 5 extending upward from the bone conduction speakers 3 and hooking over the ears.例文帳に追加

後頭部に回るバンド１と、前記バンド１の両端に形成される掛止部２と、前記掛止部２に係止されるノブ４を有する骨伝導スピーカ３と、装着時に前記骨伝導スピーカ３の上方に伸びて耳に掛かる耳掛部５とから成る。 - 特許庁

This light reflection transmission material, becoming a light transmission state by hydrogenation and a light reflection state by dehydrogenation, has a valence band and a conduction band in the hydrogenated light transmission state, where the band gap between the valence band and the conduction band is larger than the photon energy of visible light belonging to a predetermined visible light wavelength region.例文帳に追加

水素化されることで光透過状態となり、脱水素化されることで光反射状態となる光反射透過材料であって、水素化された光透過状態で価電子帯および伝導帯を有し、前記価電子帯と前記伝導帯とのバンドギャップが、所定の可視光線波長領域に属する可視光線の光子エネルギよりも大きい物質からなる。 - 特許庁

To provide a bone conduction oscillator with which the size of the oscillator composing a bone conduction speaker can be minimized and optimized, an output level can be enhanced, and a frequency band can be broadened, and to provide a bone conduction speaker head set using the same.例文帳に追加

骨導スピーカを構成する振動子の大きさを最小化及び最適化させると共に、出力を高め、周波数帯域を広帯域化することができる骨導振動子、及びこれを利用した骨導スピーカヘッドセットを提供する。 - 特許庁

Thereby, electrons can easily be supplied from the supply part 7 to the conduction band of the diamond layer 6.例文帳に追加

従って、電子供給部７からダイヤモンド層６の伝導帯に容易に電子を供給することが可能になる。 - 特許庁

At this time, the porous film includes a first substance and a second substance having different conduction band energy levels.例文帳に追加

この時、多孔質膜は伝導帯エネルギー準位が互いに異なる第１物質と第２物質を含む。 - 特許庁

A buffer layer 13 and an electron gas layer 14 are formed as an AlGaN/GaN hetero structure having a large energy gap at the end of the conduction band.例文帳に追加

伝導帯端に大きなエネルギーギャップを有するＡｌＧａＮ／ＧａＮへテロ構造としてバッファ層１３と電子ガス層１４を形成する。 - 特許庁

The barrier layer 8 is formed between the functional layer 7 and the back electrode 9, and has a conduction band energy level of 2.0-5.5 eV.例文帳に追加

バリア層８は、機能層７と背面電極９との間に形成され、伝導帯エネルギー準位が２．０〜５．５ｅＶであることを特徴とする。 - 特許庁

To decrease a dark current by suppressing a descent of the end of a conduction band caused by an impurity doping regarding an infrared detector, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

赤外線検知器及びその製造方法に関し、不純物ドープに伴う伝導帯端の引き下がりを抑制して、暗電流を低減する。 - 特許庁

Therefore, discontinuity of the conduction band becomes large, and high-temperature performance is improved, without increasing the threshold current of the laser structure (100).例文帳に追加

そのため、伝導帯の不連続性が大きくなり、レーザ構造(100)の閾値電流を増大させることなく、高温性能を向上させることができる。 - 特許庁

As a result, making interface state not to concentrate at a high density around a conduction band is made possible.例文帳に追加

このため、界面準位がコンダクションバンド近辺に高密度に集中しないようにすることが可能となる。 - 特許庁

Preferably, difference in the characteristics is the difference in level at the lower end of conduction band between the regions 41 and 42.例文帳に追加

また、前記特性の相違は、各領域４１、４２の伝導帯下端準位の相違であることが好ましい。 - 特許庁

The heat transfer member 9 forms the recess 7 in a band body comprising an elastic material having improved heat conduction and has a smooth back 13.例文帳に追加

伝熱部材９は、熱の伝導に優れた弾性材料から成る帯体に凹条７を形成し、裏面１３を平滑面としたものである。 - 特許庁

The semiconductor device 10 comprises a first III-V semiconductor layer 110 having an energy level of a first conduction band and a first valence band, a second III-V semiconductor layer 120 having an energy level of a second conduction band and a second valence band, and a metal layer 130 having a Fermi evergy level.例文帳に追加

半導体デバイス１００は、第１の伝導帯および第１の価電子帯のエネルギレベルを有する第１のIII−Ｖ族半導体層１１０、第２の伝導帯および第２の価電子帯のエネルギレベルを有する第２のIII−Ｖ族半導体層１２０、およびフェルミエネルギレベルを有する金属層１３０を含む。 - 特許庁

Energy level on the bottom of conduction band of the floating gate is set lower than the energy level on the bottom of conduction band in the channel forming region of the semiconductor substrate, in order to enhance carrier injection properties thus enhancing the charge retention characteristics.例文帳に追加

半導体基板のチャネル形成領域の伝導帯の底のエネルギーレベルより、浮遊ゲートの伝導帯底のエネルギーレベルを低くすることにより、キャリアの注入性を向上させ、電荷保持特性を向上させるためである。 - 特許庁

Energy level on the bottom of conduction band of the floating gate is set lower than the energy level on the bottom of conduction band in the channel forming region of the semiconductor layer in order to enhance carrier injection properties, thus enhancing the charge retention characteristics.例文帳に追加

半導体層のチャネル形成領域の伝導帯の底のエネルギーレベルより、浮遊ゲートの伝導帯の底のエネルギーレベルを低くすることにより、キャリアの注入性を向上させ、電荷保持特性を向上させるためである。 - 特許庁

Energy level on the bottom of conduction band of the floating gate is set lower than the energy level on the bottom of conduction band in the channel forming region of the semiconductor layer in order to enhance carrier injection properties, thus enhancing the charge retention characteristics.例文帳に追加

また、半導体層のチャネル形成領域の伝導帯の底のエネルギーレベルより、浮遊ゲートの伝導帯底のエネルギーレベルを低くすることにより、キャリアの注入性を向上させ、電荷保持特性を向上させるためである。 - 特許庁

For example, when boron is added to a diamond semiconductor thin film 1b of the emitter electrode 1, an acceptor level is present at approximately 5.1 eV from a conduction band and when nitrogen is added to a diamond semiconductor thin film 2b of the collector electrode 2, a donor level is present at approximately 1.7 eV from the conduction band.例文帳に追加

例えば、エミッタ電極１のダイヤモンド半導体薄膜１ｂに対してボロンを添加すると、アクセプタ準位は伝導帯から約５．１ｅＶに存在し、コレクタ電極２のダイヤモンド半導体薄膜２ｂに対して窒素を添加すると、ドナー準位は伝導帯から約１．７ｅＶに存在する。 - 特許庁

The clad layer 6 contains more constituent elements than an n-type clad layer 2 does, and the potential difference of the conduction band end between the clad layer 6 and active layer 4 is larger than that at the conduction band end between the clad layer 2 and active layer 4.例文帳に追加

障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６はｎ型クラッド層２よりも多くの構成元素を含み、障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６と活性層４との伝導帯端のポテンシャル差は、ｎ型クラッド層２と活性層４との伝導帯端のポテンシャル差よりも大きい。 - 特許庁

When the conduction band or the valence band aligns with the Fermi energy of the source and drain, the tunneling current can pass between the source, island, and drain.例文帳に追加

伝導帯又は価電子帯がソース及びドレインのフェルミ準位と整合している時、トンネル効果電流がソース、アイランド及びドレインの間を通ることができる。 - 特許庁

C20 fullerene, whose interaction of electron lattice is stronger than C60, is used and taken in the gaps of the materials whose bandgap between a valence electron band and a conduction band is big so as to be polymerized to one dimension chain.例文帳に追加

フラーレンとしてＣ_60よりも電子格子相互作用の強いＣ_20フラーレンを採用し、このＣ_20フラーレン分子を一次元鎖状に重合するために、価電子帯と伝導帯とのバンドギャップの大きな物質の隙間にＣ_20を取り込む。 - 特許庁

The second dielectric film 22a is composed of a dielectric material (aluminum oxide, for example), having energy difference from the conduction band or from the valence band of the charge capture level of bulk thereof being greater than the relevant energy difference of silicon nitride.例文帳に追加

第２の誘電体膜２２ａは、そのバルクの電荷捕獲準位の、伝導帯もしくは価電子帯からのエネルギー差が、窒化珪素の当該エネルギー差より大きい誘電体材料（たとえば、酸化アルミニウム）からなる。 - 特許庁

To suppress the radiation and conduction of unneeded waves at this band to the outside of the chip, by reducing a high-frequency gain outside the band causing unnecessary oscillation, when using the chip of a monolithic low-noise amplifier by mounting to an airtight package.例文帳に追加

モノリシック低雑音増幅器のチップを、気密パッケージに実装して用いる場合に、不要発振の原因となる帯域外の高域の利得を低減して、この帯域での不要波のチップ外への放射・伝導を抑制する。 - 特許庁

The application of the stress breaks up the band structure of the SiC semiconductor crystals, particularly eliminates the degeneracy of the bottom of a conduction band, suppresses scattering between bands, and reduces the effective mass of electrons.例文帳に追加

応力を与えることでＳｉＣ半導体結晶のバンド構造、特に伝導帯底の縮退が解かれ、バンド間散乱が抑制され、また、電子の有効質量が減少する。 - 特許庁

By the application of the prescribed OFF voltage V_L2, a hole is captured on a boundary level of the surface of a semiconductor substrate, thermal excitation electrons are hardly excited from a valence band to a conduction band and therefore a dark current is suppressed.例文帳に追加

Ｖ_Ｌ２の印加により、半導体基板表面の界面準位にホールが捕獲され、熱励起電子が価電子帯から伝導帯へ励起されにくくなり、暗電流が抑制される。 - 特許庁