「d19」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A packet header recording section 20 records the information of a data length of the embedded binary data D19 and applies an updated packet header D21 to a packet generating section 21.例文帳に追加

パケットヘッダ記録部２０は、埋め込まれるバイナリデータＤ１９のデータ長の情報を記録して、更新されたパケットヘッダＤ２１をパケット生成部２１に供給する。 - 特許庁

The width d19 of these minor clearances 19, 19 with respect to the diametrical directions of these respective sealing plates 10a, 10a are regulated in a range less than 0.05 mm, preferably less than 0.03 mm.例文帳に追加

上記各密封板１０ａ、１０ａの直径方向に関するこの微小隙間１９、１９の幅ｄ___19を、０．０５mm以下、好ましくは０．０３mm以下に規制する。 - 特許庁

The packet generating section 21 arranges a packet body D20 of a layer to which the binary data D19 are embedded, the packet header D21, and the packet D18 of an ordinary layer, and outputs an encoded code stream D22 updated by embedding data thereto.例文帳に追加

パケット生成部２１は、バイナリデータＤ１９が埋め込まれたレイヤのパケットボディＤ２０、パケットヘッダＤ２１及び通常のレイヤのパケットＤ１８を並べ、データが埋め込まれて更新された符号化コードストリームＤ２２を出力する。 - 特許庁

The control portion 19 compares the accumulated value with a target encoding amount, and when the accumulated value does not reach the target encoding amount, a control signal D19 is transmitted to the EBCOT portion 17 for encoding a subsequent bit plane.例文帳に追加

制御部１９は、この累積値と目標符号量とを比較し、まだ目標符号量に達していない場合には、次のビットプレーンの符号化を行うように、ＥＢＣＯＴ部１７に制御信号Ｄ１９を送信する。 - 特許庁

When 'bidding priority' is set as a second newly buying term (D18), after successfully bidding the bidding commodity, selling processing of the selling commodity designated as a newly buying object of the bidding commodity is carried out (D19 and D20).例文帳に追加

また、「入札優先」が第２の買替条件として設定されている場合に（Ｄ１８）、入札商品が落札されてから当該入札商品の買い替え対象として指定されている売却商品の売却処理を行う（Ｄ１９、Ｄ２０）。 - 特許庁

When an initial image for searching the user's current location is retrieved, images corresponding to the roads D14 to D19 that intersect an error circle EC, equivalent to a detection error of GPS, are set as the initial images P_LG1 to P_LG6.例文帳に追加

自身の現在位置を探索するための初期画像を検索する場合、ＧＰＳの検出誤差に相当する誤差円ＥＣと交差する道路Ｄ１４乃至Ｄ１９に対応する画像を当該初期画像Ｐ_ＬＧ１乃至Ｐ_ＬＧ６とする。 - 特許庁

A first commutating circuit 10a comprising a series circuit composed of a first commutating inductor La, a first commutating switch Qa and a first auxiliary DC power supply Ea is connected between a connecting point J2 and a connecting point J1 via a diode D19.例文帳に追加

接続点Ｊ２ と接続点Ｊ１ との間にダイオードＤ１９を介して第１の転流用インダクタＬａ と第１の転流用スイッチＱａ と第１の補助直流電源Ｅａ との直列回路から成る第１の転流回路１０ａを接続する。 - 特許庁

A first commutating circuit 10a comprises a series circuit composed of a first commutating inductor La, a first commutating switch Qa, and a first auxiliary DC power supply Ea, and is connected between a connecting point J2 and a connecting point J1 via a diode D19.例文帳に追加

接続点Ｊ２ と接続点Ｊ１ との間にダイオードＤ１９を介して第１の転流用インダクタＬａ と第１の転流用スイッチＱａ と第１の補助直流電源Ｅａ との直列回路から成る第１の転流回路１０ａを接続する。 - 特許庁

Then, data D9 positioned at the center is detected from data D1-D24 which are newly arranged in descending order of the signal strength, and data D3-D19 is determined for finally determining a base line from data D9 positioned at the center.例文帳に追加

その後、信号強度の大きさの順に並べ替えられたデータＤ１〜Ｄ２４の中から、中央に位置するデータＤ９を検出し、中央に位置するデータＤ９に基づいて最終的にベースラインを決定するために使用されるデータＤ３〜Ｄ１９を決定する。 - 特許庁

A threshold determination part 155 determines whether or not subcarrier modulation is performed in each 1/2 etu section by comparing the level of the signal d15 with a threshold based on the timing of a signal d19, and specifies a series of the symbols expressed by an etu based on the timing of a signal d20.例文帳に追加

閾値判定部１５５は、信号ｄ１９のタイミングをもとに、信号ｄ１５のレベルを閾値と比較することにより、１／２ｅｔｕ区間毎にサブキャリア変調されているか否かを判定し、信号ｄ２０のタイミングをもとに、当該ｅｔｕにより表わされるシンボルの系列を特定する。 - 特許庁

The data embedding section 19 of an image encoding apparatus 10 replaces original data of the packet body of a packet D17 of a layer being a data embedding object in an encoded code stream divided into a plurality of layers with binary data D19 being various pieces of information with respect to the image.例文帳に追加

画像符号化装置１０において、データ埋め込み部１９は、複数レイヤに分割された符号化コードストリームのうち、データ埋め込み対象となるレイヤのパケットＤ１７のパケットボディの元々のデータを、画像に関する各種情報であるバイナリデータＤ１９で置き換える。 - 特許庁

An irradiated domain A16 and an irradiated domain D19 are formed on the power-generating plane of the solar cell 15 through a circular window with a comparatively small open area of the dial and have a mutually equal area W1 symmetrically striding across the parting line 15DA.例文帳に追加

文字板の比較的小さな開口面積を有する円形窓を通してソーラーセル１５の発電面上に形成されるのは照射領域Ａ１６及び照射領域Ｄ１９であり、分割線１５ＤＡを跨いで対称に互いに等しい面積Ｗ１を有している。 - 特許庁

To provide a stud welding equipment for using deformed reinforcing bars for studs, minimizing the working of the deformed reinforcing bars to reduce a cost, performing excellent stud welding, and performing excellent stud welding of deformed reinforcing bars of D22 grade or over in addition to D13-D19 grade with sufficiently high strength of welded parts.例文帳に追加

スタッドとして異形鉄筋を用い、しかも異形鉄筋の加工を最小限に止めてコスト低減化を図り、スタッド溶接を良好に行い、溶接部の強度も十分に高く、更にＤ１３〜Ｄ１９は勿論、Ｄ２２以上の異形鉄筋同士のスタッド溶接も良好に行うことができるスタッド溶接装置を提供する。 - 特許庁

In the image coder 1, a coding object limiter 18 calculates the number of coding paths to be generated in each coding block of the next input image by a bit modeling unit 14, based on the number of coding paths supplied to each coding block from a coding quantity controller 17 about the image immediately prior, and takes this number as a coding object limit number D19.例文帳に追加

画像符号化装置１において、符号化対象制限部１８は、直前の画像について符号量制御部１７から供給された符号ブロック毎の符号化パス数に基づいて、ビットモデリング部１４において次の入力画像の各符号ブロックで生成すべき符号化パス数を計算し、符号化対象制限数Ｄ１９とする。 - 特許庁

Although a material of a cladding layer 21 made of at least one of AlGaN and InAlGaN differs from a group III nitride semiconductor and a thickness D15 of a first epitaxial semiconductor region 15 is larger than a thickness D19 of the core semiconductor region 19, misfit dislocation density on first to third interfaces J1, J2, J3 is not more than 1×10^6 cm^-1.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの少なくともいずれか一方からなるクラッド層２１の材料はIII族窒化物半導体と異なると共に第１のエピタキシャル半導体領域１５の厚さＤ１５がコア半導体領域１９の厚さＤ１９よりも厚いけれども、第１〜第３の界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３におけるミスフィット転位密度は１×１０^６ｃｍ^−１以下である。 - 特許庁

A material of a cladding layer 21 composed of at least either of AlGaN and InAlGaN is different from a group III nitride semiconductor, and the thickness D15 of a first epitaxial semiconductor region 15 is thicker than the thickness D19 of the core semiconductor region 19, however, the misfit dislocation densities at first to third interfaces J1, J2, and J3 are 1×10^6 cm^-1 or less.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの少なくともいずれか一方からなるクラッド層２１の材料はIII族窒化物半導体と異なると共に第１のエピタキシャル半導体領域１５の厚さＤ１５がコア半導体領域１９の厚さＤ１９よりも厚いけれども、第１〜第３の界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３におけるミスフィット転位密度は１×１０^６ｃｍ^−１以下である。 - 特許庁