「doping」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

An epitaxial wafer containing a carrier at a high concentration is obtained by forming an Se-doped layer 3a, which is doped with Se (or Te or S) as an n-type dopant by a uniform doping method or a planar doping method on a compound semiconductor epitaxial wafer.例文帳に追加

化合物半導体エピタキシャルウェハに、ｎ型ドーパントとしてＳｅ（若しくはＴｅ、Ｓ）を均一ドープ法若しくはプレーナドープ法でドーピングしたＳｅドープ層３ａを形成することにより、高キャリア濃度のエピタキシャルウェハが得られる。 - 特許庁

To provide a plasma doping volume reducing method which is capable of reducing a doped work, such as a semiconductor wafer or the like in a doping volume, when the semiconductor wafer has been excessively doped with a dopant, whose dose is more than the specified volume.例文帳に追加

半導体ウェーハ等の被ドーピング材に対してドーパントを規定のドーズ量より過剰にドーピングしてしまった場合に、そのドーズ量を低減することができるプラズマドーピングにおけるドーピング量削減方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, the low-concentration drain region is formed by simultaneously doping the separating area of each transistor and the low-concentration drain region with an impurity element for separation and, at the same time, doping the low-concentration drain region with an opposite impurity element.例文帳に追加

さらに、各々のトランジスタの分離領域と低濃度ドレイン領域とに同時に分離用不純物元素をドーピングするとともに、低濃度ドレイン領域に逆の不純物元素をドーピングして低濃度ドレイン領域を形成した。 - 特許庁

In a lithium pre-doping method, a lithium pre-doping step by kneading a material capable of being doped with lithium and a lithium metal in the presence of a solvent, includes a kneading step by collision and friction with a ball.例文帳に追加

リチウムドープ可能材料とリチウム金属を溶剤の存在下において混練混合することによりリチウムをプリドープする工程において、ボールとの衝突、摩擦による混練混合する工程を含むことを特徴とするリチウムのプリドープ方法。 - 特許庁

Since the fixing properties of dopant to the dielectric layer can be enhanced, doping rate can be enhanced stably and since the fixing properties of dopant to dielectric polymer are also enhanced, based on enhancement in fixing properties of dopant to the dielectric layer, doping ratio can be stably enhanced also in this viewpoint.例文帳に追加

しかも、誘電体層に対するドーパントの定着性の向上に基づき、導電性高分子に対するドーパントの定着性も向上するため、この観点においてもドーピング率が安定的に向上する。 - 特許庁

It is further preferable to set the heating temperature at 350 to 400°C and the Ti doping amount at 0.5 to 1.75 at%.例文帳に追加

加熱温度を３５０℃〜４００℃、Ｔｉ添加量を０．５ａｔ％〜１．７５ａｔ％トすることが、さらに好ましい。 - 特許庁

To manufacture an insulated gate bipolar transistor having a thin device thickness while a doping profile of a field stop layer or a collector layer is controlled.例文帳に追加

薄いデバイス厚のＩＧＢＴを、フィールドストップ層やコレクタ層のドーピング・プ口ファイルを制御しつつ作製すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor structure having high mobility of electrons and holes in a doping region, and to provide a method for manufacturing it.例文帳に追加

ドーピング領域における電子およびホールの移動度が高い半導体構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The polyaniline composition is obtained by doping a polyaniline with a naphthol sulfonic acid novolac resin.例文帳に追加

本発明によれば、ポリアニリンがナフトールスルホン酸ノボラック樹脂にてドーピングされてなる導電性ポリアニリン組成物が提供される。 - 特許庁

Instead of halocarbon usually used as a dopant gas for C doping, methane tetracyanide (C(CN)_4) is used as a dopant gas.例文帳に追加

Ｃドープ用ドーパントガスとして一般的なハロゲン化炭素ではなく、四シアン化メタン（Ｃ（ＣＮ）_４）をドーパントガスとして用いる。 - 特許庁

Conductive polymer particles which are reduced through the de-doping treatment are used as the reducing polymer particles.例文帳に追加

還元性高分子微粒子として、導電性高分子微粒子を脱ドープ処理して還元性とした微粒子を用いる。 - 特許庁

By this method, smaller amount of doping concentration can be controlled than in the case of abrading only ZnO sintered compact.例文帳に追加

これにより、そのＺｎＯ焼結体のみをアブレーションした場合よりも少ないドーピング濃度を制御することが出来きる。 - 特許庁

This technique diminishes the coercive force electric field of the periodic region inversion structure SHG crystal by applying a doping effect.例文帳に追加

本技術はドープ効果を応用して周期性領域反転構造ＳＨＧ結晶の保磁力電場を小さくする。 - 特許庁

To provide a semiconductor probe with a high resolution tip with a doping control layer, and its manufacturing method.例文帳に追加

ドーピング制御層が形成された高分解能チップを備えた半導体探針及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the image sensor having the transfer gate electrode with essentially uniform impurity doping distribution is provided.例文帳に追加

さらに、実質的に均一な不純物ドーピング分布を有する転送ゲート電極を具備するイメージセンサが提供される。 - 特許庁

The effective width of the second fin varies with the difference in doping between the first fin and the second fin as compared to the first fin.例文帳に追加

第１のフィンと第２のフィンのドーピングの差によって、第１のフィンと比べて第２のフィンの実効幅が変わる。 - 特許庁

The high resistance layer 10 is formed as, for example, a thin CrNi layer, a doping Si layer, an a-C : H layer, or a Ti implantation part.例文帳に追加

高抵抗層は、例えば、薄ＣｒＮｉ層、ドーピングＳｉ層、ａ−Ｃ：Ｈ層又はＴｉインプランテーション部である。 - 特許庁

To manufacture a liquid crystal element that has a good electron current property by making doping on a liquid crystal efficiently and stably.例文帳に追加

効率的で安定な液晶へのドーピングを行い、良好な電子電流特性を有する液晶素子を作製する。 - 特許庁

To provide a method for producing an active material which is superior in the doping efficiency and of which the irreversible capacity is sufficiently reduced.例文帳に追加

ドーピング効率に優れ、不可逆容量が十分に低減された活物質の製造方法を提供すること。 - 特許庁

N-type doping regions as sources are formed to the lower sections of the slit structures, and the upper sections of the p-type wells are used as drains.例文帳に追加

また、該スリット構造の下方にはソースとなるｎ型ドーピング領域を形成し、ｐ型ウェル上はドレインとする。 - 特許庁

The silicon substrate is provided in a surface area on a first surface side with a doping profile of a certain conduction type.例文帳に追加

シリコン基板は、特定の導電タイプのドーピングプロファイルを有する第１表面側の表面領域内に設けられる。 - 特許庁

To provide an aqueous and organic solution of a conductive polymer that has self-doping function and can stabilized conductivity and provide a conductive polymer obtained from the solution.例文帳に追加

自己ドーピング機能を持った電導度の安定な導電性重合体の水溶液又は有機液を提供する。 - 特許庁

In an integrated circuit, multiple of parallel doping regions 4, 5, 6, and 7 are provided on the lower side of a connection terminal pad 3.例文帳に追加

集積半導体回路において、接続端子パッドの下側に、多数の平行なドーピング領域が設けられている。 - 特許庁

The layer 5 is formed by doping an element such as cobalt and chromium and the thickness of the layer 5 is set to equal to or less than 0.5μm.例文帳に追加

損失層５の形成は、コバルト、クロムなどの元素をドープすることでなされ、その厚さは０．５μｍ以下とされる。 - 特許庁

The Si substrate can be used as a bottom electrode, when the electric conductivity is improved by doping the metal sulfide with tin.例文帳に追加

金属硫化物に錫をドープして導電性を向上させれば、Ｓｉ基板を下部電極とすることができる。 - 特許庁

The ZnO transparent conductive film is constituted, by doping together aluminum and fluorine with the ZnO as main material.例文帳に追加

ＺｎＯを主材料として、アルミニウム及びフッ素を共ドープすることによりＺｎＯ透明導電膜を構成する。 - 特許庁

To provide a susceptor that can fully avoid "auto doping", "halo" and disadvantageous nano topography on the front and the back.例文帳に追加

前面及び背面の「オートドーピング」、「ハロー」及び不利なナノトポグラフィーを十分に回避することができるサセプタの提供。 - 特許庁

Soot in the core region is consolidated by a dopant in the core region before the soot in an outer non-doping region.例文帳に追加

コア領域中のドーパントにより、コア領域内の煤は外側非ドーピング領域内の煤よりも先に団結される。 - 特許庁

To provide a doping method and ion implantation apparatus which can form a shallow p-type layer or n-type layer.例文帳に追加

浅いｐ形層またはｎ形層を形成することができるドーピング方法、およびイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of pre-doping an electrode with lithium ions, and a manufacturing method of an electrochemical capacitor using the same.例文帳に追加

本発明は、電極のリチウムイオンプレドーピング方法及びこれを用いる電気化学キャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby, the unintended doping(memory effects), caused by the magnesium, can be prevented in the second semiconductor layer 12.例文帳に追加

これにより、第２の半導体層１２はマグネシウムにより生じる意図しないドーピング（メモリ効果）を防止することができる。 - 特許庁

To provide an ion implantation method which obtains a plurality of doping density levels in a single ion implantation process.例文帳に追加

複数のドーピング濃度レベルを単一のイオン打ち込み工程において可能にするイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

By decomposing the vapor of the oxide in a plasma atmosphere, metal doping inside ZnO can be performed.例文帳に追加

この酸化物の蒸気をプラズマ雰囲気中で分解することによって，ＺｎＯ内に金属をドープすることができる。 - 特許庁

Also, another display material is subjected to carbon doping on the surface layer of the titanium oxide or titanium alloy oxide formed on the surface.例文帳に追加

また、他の表示材は表面に設けた酸化チタン又はチタン合金酸化物の表面層が炭素ドープされている。 - 特許庁

Then, an oxide layer is deposited, at least on the portion of the rear surface of the substrate which is not covered with the doping paste.例文帳に追加

次に、酸化物層が、少なくとも、ドーピングペーストで覆われていない基板の後部表面の部分上に堆積される。 - 特許庁

To provide a plasma doping apparatus which can cope with a large- diameter wafer and introduce impurities at low energy and a shallow depth.例文帳に追加

大口径ウエハに対応でき、低エネルギで浅い深さの不純物導入が可能なプラズマドーピング装置に関する。 - 特許庁

To provide a plasma doping method and apparatus which have excellent reproducibility of the concentration of impurities introduced into the surfaces of samples.例文帳に追加

試料表面に導入される不純物濃度の再現性に優れたプラズマドーピング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The polybutadiene having the increased amount of the double bond is obtained, for example, by doping a part of the double bond of a polybutadiene with iodine.例文帳に追加

前記ポリブタジエンは、その二重結合の一部にたとえばヨウ素ドーピング処理を施すことによって得られる。 - 特許庁

Lithium ions are pre-doped on a negative electrode at the time of assembling, and the pre-doping time is determined on the degree of air permeability of the electrode.例文帳に追加

組立に際して、負極にリチウムイオンをプレドープするが、そのプレドープの時間を電極の透気度で判断する。 - 特許庁

Improvement is added to a semiconductor manufacturing device for doping carbon (C) to the groups III-V compound semiconductor.例文帳に追加

本発明は、III−Ｖ族の化合物半導体に炭素（Ｃ）をドープする半導体製造装置に改良を加えたものである。 - 特許庁

To reduce the amount of doping element paste without increasing the risk for discontinuities in a doped region.例文帳に追加

ドープ領域における不連続部に対するリスクを増加させないで、ドーピング元素ペーストの量を減少させることである。 - 特許庁

To provide a mass separation type doping apparatus capable of uniformly pouring the target nuclide into an object to be irradiated.例文帳に追加

被照射物に対して目的核種の均一な注入を行なえる質量分離型ドーピング装置を提供する。 - 特許庁

The layers 5 and 6 are formed by doping an element such as cobalt or the like and the thickness of the layers is set equal to or less than 0.5 μm.例文帳に追加

これら損失層５、６の形成は、コバルトなどの元素をドープしてなされ、その厚さは０．５μｍ以下とされる。 - 特許庁

The doping device 2 is equipped with an outer tube 21 and an inner tube 22 which is arranged inside the outer tube 21 and houses the dopant.例文帳に追加

ドーピング装置２は、外管２１と、外管２１内部に配置され、ドーパントを収容した内管２２とを備える。 - 特許庁

This specific characteristic allows the whole core red to be heated before the fluorine doping to cause the selective consolidation.例文帳に追加

この固有の特性により、コアロッド全体を、フッ素ドーピング前に加熱し、選択的部分団結を生じさせることができる。 - 特許庁