「drain method」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a purification apparatus and a purifying method capable of reducing the content of nitrogen oxide ions in drain.例文帳に追加

排水中の窒素酸化物イオンの含有量を低減できる浄化装置および浄化方法を提供すること。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device for forming a source-drain expansion part in a uniform depth with excellent reproducibility.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡張部を均一な深さで再現性よく形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, the first/drain region is formed in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体デバイスの製造に関連する方法においては、第１のソース／ドレイン領域が半導体基板中に形成される。 - 特許庁

To provide a sludge dehydrator for drain liquid discharged from an intermittent sludge discharge type filtering apparatus, and a sludge dehydrating method.例文帳に追加

間欠スラッジ排出型濾過装置から排出されたドレン液のスラッジ脱水機およびその方法を提供する。 - 特許庁

The rainwater drain support system forecasts the quality of inflow water by a system identification method using a nonlinear Hemmerstein model.例文帳に追加

雨水排水支援システムは、非線形ハマーシュタインモデルを用いたシステム同定手法により流入水質を予測する。 - 特許庁

METHOD OF IN-PIPE CLEANING OF WATER SUPPLY AND DRAINAGE PIPE, COLD AND HOT WATER PIPE FOR AIR CONDITIONING, DRAIN PIPE OR THE LIKE, AND APPLIANCE USED FOR THE SAME例文帳に追加

給排水管、冷暖房用の冷温水管、ドレン管等の管内清掃方法及びそれに使用する器具 - 特許庁

To provide a draining method and a drain horizontal pipe in which the restriction of a kitchen layout is minimized, and the clogging of a pipe is hardly caused.例文帳に追加

キッチンの配置の制約が少なく、かつ配管が詰まりにくい排水方法及び排水横引管を提供する - 特許庁

The method for manufacturing vertical MOS transistor prevents the deterioration of characteristic from occurring for a long term, by generating destruction between a drain and a source in the latter.例文帳に追加

ドレイン−ソース間破壊を後者で発生させることにより長期的に特性劣化が生じないようにする。 - 特許庁

To provide an impurity activation method for obtaining low sheet resistance, and a manufacturing method for forming a source/drain extension part with uniform depth and good reproducibility.例文帳に追加

低いシート抵抗を得る不純物活性化方法、および、ソース・ドレイン拡張部を均一な深さで再現性よく形成する製造方法を提供。 - 特許庁

To provide a writing method for a nonvolatile semiconductor device the method of which reduces an electric potential difference between the source and the drain; to shorten the gate length of a memory cell.例文帳に追加

ソース−ドレイン間の電位差を小さくしてメモリセルのゲート長を短くすることができる不揮発性半導体記憶装置の書込方法を提供する。 - 特許庁

THIN-FILM TRANSISTOR WITH SOURCE/DRAIN ELECTRODE IN TWO- LAYERED STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND ACTIVE PLANE DISPLAY ELEMENT USING THE SAME AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

２層構造のソース／ドレーン電極を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法とこれを用いた能動型平板表示素子及びその製造方法 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, the surfaces of source and drain electrode layers are subjected to sputtering treatment with plasma and an oxide semiconductor layer containing In, Ga, and Zn is formed successively over the source and drain electrode layers without exposure of the source and drain electrode layers 117a, 117b to air.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層の表面をプラズマでスパッタリング処理し、当該ソース電極層及びドレイン電極層を大気にさらすことなく、当該ソース電極層及びドレイン電極層上に連続してＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層を形成する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device, metal silicide films 64 are so formed by a silicide process on a gate electrode 30 and an n^+-type source region 53 of an LDMOSFET as to form no metal silicide film on an n^--type offset drain region 33, an n-type offset drain region 51, and n^+-type drain region 52.例文帳に追加

ＬＤＭＯＳＦＥＴのゲート電極３０およびｎ^+型ソース領域５３上にサリサイド工程により金属シリサイド膜６４を形成し、ｎ^-型オフセットドレイン領域３３、ｎ型オフセットドレイン領域５１およびｎ^+型ドレイン領域５２上にはこの金属シリサイド膜を形成しない。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for the neutralizing treatment of a drain by alkaline ion water for the purpose of preventing the deterioration of a building or environmental pollution caused by an acidic drain generated from exhaust gas or the drain generated in a combustion device equipped with a heat exchanger for recovering latent heat.例文帳に追加

排ガスから発生する酸性ドレンや潜熱回収用熱交換器を備えた燃焼装置において発生するドレンによる建造物劣化や環境汚染を防止するため、ドレンをアルカリ性イオン水により中和処理する方法及び処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a water heating device surely preventing the occurrence of clogging of a drain pipe resulted from deposition of a calcium component originated from calcium carbonate of a neutralizing agent in the drain pipe when arranging the drain pipe in bathtub piping in a double pipe method.例文帳に追加

ドレン水排水管を二重管方式により浴槽配管内に配設する場合に、中和剤の炭酸カルシウム由来のカルシウム成分がドレン水排水管内で析出することに起因するドレン水排水管の詰まり発生を確実に防止し得る温水装置を提供する。 - 特許庁

In a waterproofing method around the drain, the waterproof sheet made of vinyl chloride resin is joined by welding to the upper face of each metal drain, and the periphery of the end of the waterproof sheet made of vinyl chloride resin and the metal drain are welded and sealed with a sealant made of vinyl chloride resin.例文帳に追加

上記金属製ドレインの上面に、塩化ビニル系樹脂製防水シートを溶着接合し、該塩化ビニル系樹脂製防水シート端末周囲と金属製ドレインとを塩化ビニル系樹脂製シーリング剤で溶着密封処理をしたドレイン廻りの防水工法とした。 - 特許庁

To provide a method for treating drain water having a high treatment capacity for an oxidizing agent such as hydrogen peroxide or the like, reducing the drain water by almost completely removing the oxidizing agent in collected water and reducing backwashing frequency of a device for treating activated carbon and reducing a running cost, and a device for treating the drain water.例文帳に追加

過酸化水素等の酸化剤の処理性能が高く、回収水中の酸化剤をほぼ完全になくするとともに活性炭処理装置の逆洗頻度を少なくして排水を減少させ、かつランニングコストも低減させた排水処理方法及び排水処理装置を提供すること。 - 特許庁

To reduce connection resistance between a source/drain region and an electrode by forming a high concentration contact region in the source/drain region by the minimum number of masks for realizing a manufacturing method capable of restoring the deterioration of the crystalline of the source/drain region, after impurity introduction also by low-temperature heat treatment.例文帳に追加

最小限のマスク数でソース・ドレイン領域に高濃度コンタクト領域を形成し、不純物導入後のソース・ドレイン領域の結晶性の劣化を低温熱処理でも回復可能なの製造方法を実現し、ソース・ドレイン領域と電極との接続抵抗を小さくする。 - 特許庁

To provide a drain placing boat and a drain placing method in a vacuum consolidation method which does not need to retain a draining water collecting pipe on water and more effectively work by the movement of less number of pontoons to realize reduction of the construction period and cost.例文帳に追加

排水用集水管を水上保持する必要がなく、少ない台船移動により効率よく作業を行え、工期短縮及びコスト低減を図ることができるドレーン打設船及び真空圧密工法におけるドレーン打設方法の提供。 - 特許庁

An island of a TFT section is formed on a gate insulation film in the second PR process shown in a step S202 and thereafter a source electrode, drain electrode and drain bus line are formed by utilizing a halftone exposure method or two times exposing method to be described later.例文帳に追加

ステップＳ２０２に示す第２ＰＲ工程で、ゲート絶縁膜上にＴＦＴ部のアイランドを形成した上で、後述するハーフトーン露光法又は二回露光法を利用して、ソース電極、ドレイン電極及びドレインバスラインを形成する。 - 特許庁

To provide a drain pipe regeneration method which can complete a whole process within a tolerable time without interfering with the life of a resident while the resident lives as usual, and which can line a drain pipe irrespective of a vertical main pipe, a horizontal main pipe, and a branch pipe continuously by a single apparatus and a single method.例文帳に追加

人が住んでいる状態のまま、生活に支障を生じない許容時間帯の中で全工程を完了できること、排水管を縦主管、横主管、枝管の区別なく単一の装置と工法で連続してライニングできること。 - 特許庁

This treatment method of ammonia-containing drain comprises a desalinating process by adding alkali to ammonia-containing drain containing the hardness components to adjust pH to 8-14 and adding a flocculant to flocculate the hardness components to thereby separate solid from liquid; and a removing process of ammonia from the drain by adding acid to the drain separated into liquid and solid in the desalinating process to lower pH of the drain, but not lower than 8.例文帳に追加

（ａ）硬度成分を含むアンモニア含有排水に、アルカリを加えてｐＨを８〜１４に調整すると共に、凝集剤を加えて前記硬度成分を凝集させ、固液分離する脱塩処理工程、及び（ｂ）前記（ａ）工程で固液分離された排水に酸を加えて、該排水のｐＨを低下させ、かつ８未満にならないようにｐＨを調整したのち、この排水からアンモニアを除去する工程、を有するアンモニア含有排水の処理方法である。 - 特許庁

To provide a vacuum consolidation drain method capable of fully performing sealing work for a sealing layer even though a bore hole is formed in the sealing layer after pulling out a mandrel.例文帳に追加

シール層にマンドレル引き抜き孔が形成されても、シール層のシールを十分に行える真空圧密ドレーン工法を得る。 - 特許庁

To provide a structure and a method for reducing overlapping capaci tance between a gate and source/drain in a MOSFET element.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ素子において、ゲートとソース／ドレインとの間のオーバラップ・キャパシタンスを低減する構造及び方法を提供すること。 - 特許庁

To realize preventing disturbance of a nonvolatile cell to which drain voltage of a selection cell is applied, with a method being suitable for low voltage operation.例文帳に追加

選択セルのドレイン電圧が印加される非選択セルのディスターブ帽子を、低電圧動作に適した方法で実現する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, improving a withstand voltage between a drain and a source and reducing an on-resistance.例文帳に追加

ドレイン−ソース間耐圧の向上と、オン抵抗の低減が可能な半導体装置の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element for preventing drain disturbance and the over-erase of an NOR type flash memory, and to provide its operation method.例文帳に追加

ＮＯＲ型フラッシュメモリのドレイン外乱と過消去を防止する不揮発性メモリ素子及びその動作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which can suppress the occurrence of hot carriers by lightening the strong electric field in the vicinity of a drain.例文帳に追加

ドレイン近傍に生じる強電界を緩和してホットキャリアの発生を抑制し得る半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a group III-V channel and a group IV source and drain, and to provide also a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族チャネルとＩＶ族ソース−ドレインとを有する半導体デバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can improve resistance characteristics in a p-type source/drain on a boron substrate.例文帳に追加

ホウ素基盤のｐ型ソース／ドレインの抵抗特性を向上させることのできる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the carbon stock method, the wooden piles for carbon stock A, B, C, D or E provided with drain means 1, 1', 1", 6 are driven into the ground.例文帳に追加

排水手段１……，１’……，１”……，６……を備えたカーボンストック用木杭Ａ，Ｂ，Ｃ，ＤまたはＥを地盤に打設するカーボンストック方法。 - 特許庁

To improve a hanging-in method of a box culvert with drain holes used for a road side-ditch or the like.例文帳に追加

この発明は、道路側溝等に用いられている水抜き穴付ボックスカルバートの吊り込み方法の改良に関するものである。 - 特許庁

To provide a method and a device for further reduce power drain caused by a light source in an optical pointing device.例文帳に追加

光学式ポインティングデバイス内の光源による電力消費をさらに低減することができる方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an optical matrix device that can decrease the inter-source-drain ON resistance of a thin film transistor.例文帳に追加

薄膜トランジスタのソース・ドレイン間のＯＮ抵抗を低下することができる光マトリックスデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a drain pipe and a draining method, which enable the effective suppression of sump water without reference to geological conditions.例文帳に追加

地質を問わずに効果的な湧水抑制を可能とした水抜き管及び水抜き方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This manufacturing method makes it possible to form, in the offset region, the p-type diffusion layer used as a drain region with high accuracy of position.例文帳に追加

この製造方法により、オフセット領域にドレイン領域として用いるＰ型の拡散層を位置精度良く形成できる。 - 特許庁

NANOSCALE FIELD-EFFECT DEVICE WITH SPACE BETWEEN SOURCE AND DRAIN ELECTRODES PROCESSED WITH SELF-ORGANIZED MULTILAYER FILM, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ソース電極とドレイン電極間の空隙を自己組織化多層膜で処理したナノスケール電界効果素子及びその製造方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING NMOS/PMOS TRANSISTOR HAVING SOURCE/DRAIN INCLUDING STRESS SUBSTANCE, AND DEVICE FORMED BY THE SAME例文帳に追加

ストレス物質を含むソース／ドレーンを有するＮＭＯＳ／ＰＭＯＳトランジスターの形成方法及びそれによって形成された装置 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof in which a Schottky source/drain MOSFET is effectively microfabricated.例文帳に追加

ショットキー・ソース／ドレインＭＯＳＦＥＴを効果的に微細化することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A drain region 275 is formed outside a control gate 270 which is formed on the sidewall of the insulating film plug 250 by a self alignment method.例文帳に追加

絶縁膜プラグ250の側壁に自己整列方式で形成された制御ゲート270の外側にドレイン領域275を形成する。 - 特許庁

To provide a multi-mesa FET structure having a doped sidewall for a source/drain region and its forming method.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域のためのドープされた側壁を有するマルチ・メサ型ＦＥＴ構造およびその形成方法を提供する。 - 特許庁

By the lift-off method using the resist pattern RP4a, the source and drain electrodes aligned with the gate electrode GE2 are formed.例文帳に追加

このレジストパターンＲＰ４ａを用いたリフトオフ法により、ゲート電極ＧＥ２に整合したソース・ドレイン電極を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor(TFT) including the manufacturing of a gate, a gate insulating layer, a channel layer, and a source/drain.例文帳に追加

ゲート、ゲート絶縁層、チャンネル層及びソース／ドレーンの製作を含む薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which suppresses the decrease of the impurity concentration in a source drain extension region.例文帳に追加

ソースドレインエクステンション領域における不純物濃度の低減を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a waste liquid treating method and a waste liquid treatment system with simplified drain treatment after treating water-soluble cutting oil.例文帳に追加

水溶性切削油の処理後の排水処理を簡略化した廃液処理方法及び廃液処理システムを提供する。 - 特許庁