例文 (2件) |
f-electron systemの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2件
Then, by a deflecting system 15, the Auger electron that passes through a focus point (f) of an input lens 12 is deflected to an input lens 12.例文帳に追加
そして、偏向器15により、インプットレンズ12のフォーカス点fを通過したオージェ電子はインプットレンズ12の方へ偏向される。 - 特許庁
According to the programming method of the NAND flash memory device of the invention, a selection transistor is programmed by a thermal electron injection system, and a selected memory cell is programmed by using F-N tunneling.例文帳に追加
本発明のNANDフラッシュメモリ装置のプログラム方法は、選択トランジスタを熱電子注入方式でプログラムし、選択されたメモリセルをF−Nトンネルリングを用いてプログラムする。 - 特許庁
例文 (2件) |
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