「flashlamp」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

4. Modular pulse generators or xenon flashlamp drivers with the largest dimensional value of 25.4 centimeters or less 例文帳に追加

（四）　寸法の最大値が二五・四センチメートル以下のもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

(l) Pulse generators or xenon flashlamp drivers that fall under any of the following 例文帳に追加

五十　パルス発生器又はキセノンせん光ランプの発光装置であって、次のいずれかに該当するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

1. Modular pulse generators or xenon flashlamp drivers capable of supplying a pulse for less than 15 microseconds 例文帳に追加

（一）　一五マイクロ秒未満の時間でパルスを供給することができるもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

That is, compared with conventional flashlamp annealing, the light-emission output of the flashlamp is increased more gradually, is kept to be constant for a certain period of time, and is then decreased more gradually.例文帳に追加

すなわち、従来のフラッシュランプアニールに比較して、フラッシュランプの発光出力を緩やかに上昇させてしばらく一定に維持した後に緩やかに下降させている。 - 特許庁

(a) Modular pulse generators or xenon flashlamp drivers that fall under all of the following 1. through 6. 例文帳に追加

イ　モジュール方式のパルス発生器又はキセノンせん光ランプの発光装置であって、次の（一）から（六）までのすべてに該当するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

3. Modular pulse generators or xenon flashlamp drivers that require pulse rise times less than 10 microseconds against a resistance load less than 40 ohms 例文帳に追加

（三）　四〇オーム未満の抵抗負荷に対して一〇マイクロ秒未満のパルス立上がり時間を要するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

6. Modular pulse generators or xenon flashlamp drivers designed to be usable from below -50 degrees centigrade to over 100 degrees centigrade, or designed to be usable for space use 例文帳に追加

（六）　零下五〇度より低い温度から一〇〇度を超える温度まで用いることができるように設計したもの又は宇宙で用いることができるように設計したもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

The peripheral edge of the optical film 20 formed on the principal surface of the substrate 10 is shielded by a light shielding part 60, from the application of flashlight from a flashlamp 40.例文帳に追加

この基板１０の主面に形成された光学膜２０の周縁部は、遮光部６０によって、閃光ランプ４０からの閃光照射から遮蔽されている。 - 特許庁

Then the surface temperature of the semiconductor wafer is kept within a range of a variation width of ±25°C from the target temperature for 3 to 50 milliseconds by performing a second irradiation in which light-emission output of the flashlamp gradually decreases from the maximal value I_max over a period of time from 3 to 50 milliseconds.例文帳に追加

続いて、フラッシュランプの発光出力を３ミリ秒以上５０ミリ秒以下の時間をかけて最大値Ｉ_maxから漸次低下させる第２照射を行うことにより、半導体ウェハーの表面温度を目標温度から±２５℃以内の範囲内に３ミリ秒以上５０ミリ秒以下維持している。 - 特許庁

Then the surface temperature of the semiconductor wafer W is kept within a range of a variation width of ±25°C from the target temperature T2 for 3 to 50 milliseconds by performing a second irradiation in which light-emission output of the flashlamp gradually decreases from the maximal value over a period of time from 3 to 50 milliseconds.例文帳に追加

続いて、フラッシュランプの発光出力を３ミリ秒以上５０ミリ秒以下の時間をかけて最大値から徐々に低下させる第２照射を行うことにより、半導体ウェハーＷの表面温度を目標温度Ｔ２から±２５℃以内の範囲内に３ミリ秒以上５０ミリ秒以下維持している。 - 特許庁

A surface temperature of a semiconductor wafer into which impurities are implanted, is raised from a pre-heating temperature to a target temperature over a period of time from 1 to 20 milliseconds by performing a first irradiation in which light-emission output of a flashlamp is increased up from zero to a maximal value I_max over a period of time from 1 to 20 milliseconds.例文帳に追加

フラッシュランプの発光出力を１ミリ秒以上２０ミリ秒以下の時間をかけてゼロから最大値Ｉ_maxにまで増加させる第１照射を行うことにより、不純物が注入された半導体ウェハーの表面温度が予備加熱温度から目標温度にまで１ミリ秒以上２０ミリ秒以下にて昇温する。 - 特許庁

A surface temperature of a semiconductor wafer into which impurities are implanted, is raised from a pre-heating temperature T1 to a target temperature T2 over a period of time from 1 to 20 milliseconds by performing a first irradiation in which light-emission output of a flashlamp is increased up to a maximal value over a period of time from 1 to 20 milliseconds.例文帳に追加

フラッシュランプの発光出力を１ミリ秒以上２０ミリ秒以下の時間をかけて最大値にまで到達させる第１照射を行うことにより、不純物が注入された半導体ウェハーの表面温度を予備加熱温度Ｔ１から目標温度Ｔ２にまで１ミリ秒以上２０ミリ秒以下にて昇温している。 - 特許庁