「impurity absorption」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In the first impurity diffusion region 33, a band gap is expanded by impurity diffusion to suppress heat generation by light absorption and to prevent the deterioration caused from the side of the ridge 20.例文帳に追加

第１不純物拡散領域３３では、不純物拡散によりバンドギャップが拡大し、光吸収による発熱が抑えられ、リッジ部２０の側面からの劣化が抑制される。 - 特許庁

In this method for measuring a quantity of an impurity in a gas sample filled in an analytical cell 12 for laser absorption spectroscopic analysis, a characteristic representative value in absorption of the gas sample is calculated under prescribed pressure, and the quantity of the impurity is determined quantitatively based on a preliminarily defined formula with respect to change of a characteristic as a function of the impurity.例文帳に追加

レーザー吸収分光分析の分析セルを充満させたガス試料中の不純物量を測定するこの方法は、所与圧力で、ガス試料の吸収の特性代表値を計算し、不純物量の関数としての特性の変化に対してあらかじめ定められた法則に基づいて不純物を定量化することにある。 - 特許庁

A transmission spectrum of calcium fluoride singe crystal is measured, an absorption wavelength that is a reference transmittance for evaluating a zinc impurity concentration in the transmission spectrum is determined from within an absorption wavelength range of 120 to 200 nm in the transmission spectrum, and the zinc impurity concentration in the calcium fluoride singe crystal is determined using a change in the absorption wavelength.例文帳に追加

フッ化カルシウム単結晶の透過スペクトルを測定し、前記透過スペクトルにおける、亜鉛不純物濃度を評価するための基準透過率となる吸収波長を、該透過スペクトルにおける吸収波長が１２０〜２００ｎｍの範囲から決定し、該吸収波長の変化により、前記フッ化カルシウム単結晶中の亜鉛不純物濃度を決決定する。 - 特許庁

The other wafer is also doped with the same impurity with a concentration larger than that of the wafer 5a for the blocking layer, and thereby a wafer 4b for an absorption layer is formed.例文帳に追加

また、他方のウェハーにも、上記不純物と同じ不純物をブロッキング層用ウェハー5aよりも高濃度でドープし、吸収層用ウェハー4bを形成する。 - 特許庁

The impurity removal apparatus 1 is for removing a soluble gas in air to be treated by gas-liquid contact with a clean absorption solution in a chamber 2 and circulating the absorption solution for repeat use and comprises a pH sensor 20 for detecting the pH value of the absorption solution in a circulation water pipeline 15.例文帳に追加

処理空気中の可溶性ガスを、チャンバ２内において清浄な吸収液との気液接触によって除去し、前記吸収液を循環して利用する不純物除去装置１であって、循環水配管１５中に吸収液のｐＨ値を検出するｐＨセンサ２０を有している。 - 特許庁

In this filtration membrane 10 of the present invention for impurity analysis, a mesh filter 11 comprising a material having no infrared absorption or a material for total-reflecting an infrared ray, and comprising a ferromagnetic alloy having a Curie point of a volatilization temperature or a pyrolisis temperature, or more, of the impurity is formed to filtrate the impurity.例文帳に追加

本発明の不純物分析用濾過膜（１０）は赤外吸収がない材料或いは赤外線を全反射する材料であって、かつ、不純物の揮発温度又は熱分解温度以上のキュリー点をもつ強磁性合金から成り、不純物を濾過するためのメッシュ（１１）が形成されている。 - 特許庁

To provide a refining method of a phthalocyanine compound which comprises removing effectively an impurity produced as a by-product in a reaction step when the phthalocyanine compound is produced, thereby being possible to refine the compound to inclusion of an extremely small impurity, the impurity causing an unnecessay absorption other than a maximum absorption, a deterioration of a molar absorptivity coefficient, and further a trouble when a paint forming is conducted.例文帳に追加

フタロシアニン化合物を製造する際の反応工程中に副生する不純物を効果的に取り除き、これにより極大吸収以外の不要な吸収を起こし、モル吸光係数の低下を引き起こす原因となる不純物の混在が非常に少なく、また更に塗料化の際のトラブルを引き起こす原因となる不純物の混在が非常に少ないフタロシアニン化合物にまで精製できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a purification method of carbonic ester capable of removing easily a trace amount of impurity showing absorption in a visible range, contained in the carbonic ester.例文帳に追加

本発明は、炭酸エステル中に含まれる可視領域に吸収を示す微量の不純物を容易に除去することができる炭酸エステルの精製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for highly purifying an argon gas by effectively reducing an impurity content in the argon gas, lowering load of subsequent absorption treatment thereby.例文帳に追加

アルゴンガスの不純物含有率を効果的に低減することで、その後の吸着処理の負荷を低減し、アルゴンガスを高純度に精製できる方法と装置を提供する。 - 特許庁

The hydrogen storage alloy 63 in the filter device 5 has an impurity gas absorption performance higher than that of the hydrogen storage alloy 31 in the hydrogen storage tank 3 and has high hydrogen emission equilibrium pressure.例文帳に追加

フィルター装置５内の水素吸蔵合金63は水素貯蔵タンク３内の水素吸蔵合金31より不純物ガスの吸着性が高く、また水素放出平衡圧が高い。 - 特許庁

Polycrystalline substance, in which cubic crystal boron nitride is the principal component and impurity which affects X-ray absorption fine structure measuring is not contained substantially, is used to the X-rays transmitting windows 2 and 4 of the X-ray absorption fine structure measuring cell.例文帳に追加

Ｘ線吸収微細構造測定用セルのＸ線透過窓２、４に、立方晶窒化ホウ素を主成分とし、Ｘ線吸収微細構造測定に支障を生じる不純物を実質的に含まない多結晶体からなるものを用いる。 - 特許庁

To provide a fuel cell power generation system of a high reliability and its operation method by further improving an impurity absorption performance of a pretreatment device, improving maintenance of the pretreatment device, and coping well with degradation of an impurity removal performance.例文帳に追加

前処理装置の不純物吸着性能をより一層向上させるとともに、前処理装置の保守の改善を図り、不純物除去性能の劣化に充分に対処して信頼性の高い燃料電池発電システムおよびその運転方法を提供する。 - 特許庁

To realize a long-life discharge surge absorption element capable of suppressing deterioration in discharge characteristics caused by the adhesion of impurity gas onto the surface of a discharge electrode and a coated film.例文帳に追加

放電電極や被膜の表面に不純ガスを付着することに起因する放電特性の劣化を抑制することのできる長寿命な放電サージ吸収素子を実現する。 - 特許庁

To reduce ionized impurity density of a p-type CdTe thick film layer made into a radiation absorption layer in a radiation detector formed by metal organic vapor phase epitaxy.例文帳に追加

有機金属気相成長法により作成する放射線検出器において、放射線吸収層とするｐ型CdTe厚膜層のイオン化不純物密度を低減することを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor material having strong light emission and strong absorption at the equivalent level of that of a direct transistion semiconductor based on a bonding elongation effect by impurity doping.例文帳に追加

不純物ドーピングによる結合伸長効果に立脚した、直接遷移型半導体と同等レベルの強発光や強吸収を有する半導体材料を提供する。 - 特許庁

For example, in Fourier transformation infrared spectroscopy (FT-IR), a reference spectrum and a measurement spectrum including an impurity spectrum are measured, and correction including a frequency shift of the reference spectrum is performed on the reference spectrum to flatten the baseline of the impurity infrared absorption spectrum in the measurement spectrum, and thereby a differential spectrum is calculated.例文帳に追加

例えばフーリエ変換赤外分光（ＦＴ−ＩＲ）法において、参照スペクトル及び不純物を含む測定スペクトルを取り込み、測定スペクトルに含まれる不純物による赤外吸収スペクトルのベースラインを平坦化するために、参照スペクトルに対して周波数シフトを含む補正を実施し、差スペクトルを算出する。 - 特許庁

For the fuel cell system having a fuel cell (17) and filters (6, 7) removing impurity ion contained in the water supplied to the fuel cell, an electrochemical filter composed of a cooling water phase side electrode (2) and an absorption phase side electrode (4) having and an ion absorption phase (3), is used as the ion removing filter.例文帳に追加

燃料電池（１７）と、燃料電池に供給される冷却水中の不純物イオンを除去するフィルタ（６、７）とを備える燃料電池システムにおいて、イオン除去フィルタとして冷却水相側の電極（２）とイオン吸着相（３）を備えた吸着相側電極（４）からなる電気化学式フィルタを用いる。 - 特許庁

The first-third conversion factors α1-α3 for converting the first-third infrared absorption line peak intensities corresponding to the first-third impurity nitrogen components contained in a sample into the respective concentration of the first-third impurity nitrogen components are estimated in the one sample cut out from a silicon ingot manufactured by the CZ method.例文帳に追加

ＣＺ法で作製されたシリコンインゴットから切り出された１の試料で、当該試料に含まれる第１〜第３の不純物窒素成分に対応する第１〜第３の赤外吸収線ピーク強度を、前記第１〜第３の不純物窒素成分のそれぞれの濃度に換算する第１〜第３の換算係数α１〜α３を求める。 - 特許庁

An impurity is doped into the semiconductor layer 3 formed on the organic polymer substrate 1, and the impurity of the semiconductor layer 3 is activated by irradiating the semiconductor layer 2 with an energy beam, such as from Ar ion laser or copper vapor laser, of which energy absorption at the organic polymer substrate 1 is low such as not to give damages to such an organic polymer substrate 1.例文帳に追加

有機高分子基板１上に形成した半導体層３に不純物を導入し、有機高分子基板１におけるエネルギー吸収がその有機高分子基板１に損傷を与えない程度に低い、たとえばＡｒイオンレーザーや銅蒸気レーザーなどのエネルギービームを半導体層３に照射して半導体層３の不純物を活性化する。 - 特許庁

The nitride semiconductor single crystal substrate has a composition of AlN, a total impurity density of not more than 1×10^17 cm^-3, and an absorption coefficient of not more than 50 cm^-1 in the full wavelength range from 350 to 780 nm.例文帳に追加

窒化物半導体単結晶基板は、ＡｌＮの組成と、１×１０^17ｃｍ^-3以下の全不純物密度と、３５０〜７８０ｎｍの全波長範囲における５０ｃｍ^-1以下の吸収係数とを有することを特徴としている。 - 特許庁

In addition, for example, the atomic-absorption spectroscopy, ICP emission spectrometry, ICP mass spectrometry, etc., can be applied as the means of analyzing and measuring the rhodium and/or indium- containing material for impurity elements.例文帳に追加

さらにロジウムおよび／またはイリジウム含有物中の不純物元素を分析測定する手段としては、例えば原子吸光分光分析法、ＩＣＰ発光分光分析法、ＩＣＰ質量分析法などを適用することができる。 - 特許庁

The waveguide type semiconductor optical device 20 is a waveguide type semiconductor optical device with the pin type junction structure comprising n-type cladding layers 2, 3, an i-type absorption layer 4 and p-type cladding layer 6 formed on a semi-insulating substrate 1 wherein an impurity concentration in the i-type absorption layer is 10^16 cm^-3 or less.例文帳に追加

導波路型半導体光デバイス２０は、半絶縁性基板１上に、ｎ型クラッド層２、３、ｉ型吸収層４及びｐ型クラッド層６とからなるｐｉｎ型接合構造を形成した導波路型半導体光デバイスであって、前記ｉ型吸収層における不純物濃度が１０^１６ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of sodium bisulfite solution, in which the concentration rate of sulfurous acid, an impurity, can be reduced by controlling the flow of an absorption liquid circulating in an absorption column during the process of manufacturing sodium bisulfite solution using as an original material a gas like copper smelter gas, whose concentration rates of sulfurous acid and oxygen vary.例文帳に追加

銅製錬排ガスのように、亜硫酸及び酸素濃度が変動するガスを原料として、重亜硫酸ソーダ液を製造する工程において、吸収塔内で循環する吸収液の循環流量を制御し、不純物である硫酸ソーダの濃度を低減させる重亜硫酸ソーダ液の製造方法を提供する。 - 特許庁

A generation compound plant 50 absorbs and eliminates impurities in gas by absorption liquid, allows a refined gas with low impurity concentration to flow out, and is provided with the same configuration as a conventional plate excluding a partial configuration.例文帳に追加

本発電複合プラント５０は、ガス中の不純物を吸収液によって吸収、除去し、不純物濃度の低い精製ガスを流出させる吸収プラントであって、一部の構成を除いて従来の吸収プラントと同じ構成を備えている。 - 特許庁

There is provided biologically-produced 1, 3-propanediol having ultraviolet absorption, such as an absorbance of less than 0.200 at a wavelength of 220 nm, an absorbance of less than 0.075 at a wavelength of 250 nm, and an absorbance of less than 0.075 at a wavelength of 275 nm, wherein concentration of all the organic impurity is less than 400 ppm.例文帳に追加

２２０ｎｍで０．２００未満のおよび２５０ｎｍで０．０７５未満のおよび２７５ｎｍで０．０７５未満の紫外吸収を有する、４００ｐｐｍ未満の全有機不純物の濃度を有する生物学的に生産された１，３−プロパンジオール。 - 特許庁

Thus, in the defusion step of impurities in polysilicon or thermal loading step, excessive defusion of the impurities in the second doped polysilicon film and the depletion of impurities in the polysilicon film due to impurity absorption by the metal silicide film can be prevented.例文帳に追加

これにより、ポリシリコン中の不純物の拡散工程やその後の熱負荷工程において、第２のドープドポリシリコン膜中の不純物の過度な拡散が抑制され、金属シリサイド膜が不純物を吸収することによるポリシリコン膜中の不純物の空乏化が防止される。 - 特許庁

After weighing the sample, comprising a metallic single substance or a metallic alloy of niobium, tantalum, zirconium or titanium or a metallic compound therefrom into a decomposition vessel, hydrochloric acid or hydrofluoric acid is added thereto to decompose the sample, and then the impurity element in the acquired solution is measured directly by furnace atomic absorption method.例文帳に追加

ニオブ、タンタル、ジルコニウム、チタンの金属単体、金属合金あるいはこれら金属の化合物からなる試料を分解容器に秤量した後、塩酸およびフッ化水素酸を加えて試料を分解後、得られた溶液中の不純物元素をファーネス原子吸光法によって直接測定する。 - 特許庁

Those optical circuits are composed of a semiconductor waveguide (for example, silicon Si, indium phosphate InP, gallium arsenide GaAs, etc.), and defect increasing processing by impurity doping, low-temperature growth, ion implantation, etc., is performed on the first arm waveguide 103 to increase the absorption coefficient of the first arm waveguide 103.例文帳に追加

これらの光回路を半導体導波路（例えばシリコンＳｉ、リン化インジウムＩｎＰ、ヒ素化ガリウムＧａＡｓ等）で構成し、第１アーム導波路１０３に不純物ドーピング、低温成長やイオン注入等による欠陥増大を行うことによって第１アーム導波路１０３における吸収係数を高める。 - 特許庁

The nitride semiconductor is manufactured with the hyperpure ammonia as a raw material obtained through distillation by decreasing the impurity having a peak absorption wavelength of 1310 cm^-1, 1320 cm^-1, and 1330 cm^-1 determined by the gas analysis which uses Fourier transformation infrared spectroscopy (FT-IR).例文帳に追加

フーリエ変換赤外分光法（ＦＴ−ＩＲ）を用いたガス分析により確定される１３１０ｃｍ^−１、１３２０ｃｍ^−１ならびに１３３０ｃｍ^−１の吸収波長にピークを持つ不純物を、蒸留操作等で低減した高純度アンモニアを得て、これを原材料として窒化物半導体を製造する。 - 特許庁

To control and improve the impurity of materials and fuels and safety and accuracy of products on the basis of absorption of CO_2 and tangible TQC by predicting a global-scale large disaster, while paying attention to the substances (new energy, new raw materials and new catalysts) by efficiently using the illegally wasted soil and water quality causing pollution and substances badly influencing the environment if emitted.例文帳に追加

以前不法に捨てられて公害を引き起こしている土壌や水質，これから環境中に放出すると悪影響を及ぼす物質を有効に利用して、省エネルギーに貢献する物質（新エネルギー・新素材・新触媒）に着目し、地球規模での大規模災害の起きる前に予測して、ＣＯ２の吸収とその生産とそのタンジブル・ＴＱＣにより原料や燃料の純度と生産物の安全性や精度を制御・改善する。 - 特許庁