「impurity atom」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An impurity having an effect on carrier concentration in the oxide semiconductor layer, such as a hydrogen atom or a compound containing a hydrogen atom such as H_2O, may be eliminated.例文帳に追加

酸化物半導体層に含まれるキャリア濃度に影響する不純物、例えば、水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物を排除すればよい。 - 特許庁

As a substance firmly bonding to the hydrogen-atom-containing impurity, for example, a substance containing a halogen element is favorable.例文帳に追加

水素原子を含む不純物と強く結合する物質としては、例えばハロゲン元素を含む物質が好ましい。 - 特許庁

A substance firmly bonding to an impurity containing a hydrogen atom in a film is introduced into a film-deposition chamber to bring it into reaction with the hydrogen-atom-containing impurity remained in the film deposition chamber to denature it to a hydrogen-atom-containing stable substance, thereby forming a highly purified oxide semiconductor layer.例文帳に追加

成膜中に水素原子を含む不純物と強く結合する物質を成膜室に導入して、成膜室に残留する水素原子を含む不純物と反応せしめ、水素原子を含む安定な物質に変性することで、高純度化された酸化物半導体層を形成する。 - 特許庁

It has been confirmed that carbon atom cluster ions (particularly C20) in uniform size are generated efficiently and the generation of impurity ions other than carbon atom is restrained.例文帳に追加

これまでに、サイズの揃った炭素原子クラスターイオン（特にＣ_20）を効率よく生成し、炭素原子以外の不純物イオンの生成が抑えられることが確認されている。 - 特許庁

Further, oxygen atom and elements lighter than oxygen are contained at least a location where the impurity concentration of the N^- drift layer 1 is maximum.例文帳に追加

さらに、少なくともＮ^-ドリフト層１の不純物濃度が極大となる箇所には、酸素原子と酸素よりも軽い元素が含まれている。 - 特許庁

An ion implantation layer 2 having impurity atoms which have peaks of impurity atom concentrations at a depth of 5-10 nm from the surface of a substrate 1 is formed, and the ion implantation layer 2 is recrystallized by recrystallization annealing.例文帳に追加

基板１表面から５〜１０ｎｍの深さに不純物原子濃度のピークを有する不純物原子のイオン注入層２を形成し、再結晶化熱処理によりイオン注入層２を再結晶化させる。 - 特許庁

The non-doped diamond layer 3 has such an extremely low impurity content that the atom concentration of elements except carbon is 5×10^17 cm^-3 or less.例文帳に追加

ノンドープダイヤモンド層３の不純物含有量は極めて小さく、炭素以外の元素の原子濃度は、５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

To obtain a polyarylene sulfide in which the content of an impurity comprising a nitrogen atom-containing compound is remarkably reduced, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

窒素原子を含有する化合物からなる不純物の含有量が著しく低減されたポリアリーレンスルフィドとその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Based on this fact, the characteristics of the Ba-containing oxide superconductor are improved by allowing the superconductor to have such a constitution that the content of the impurity carbon is controlled to be not more than 2.0 atom.%.例文帳に追加

これに基づき、Ba含有酸化物超電導体を不純物炭素の含有量が 2.0原子％以下に規制された構成として特性向上を図る。 - 特許庁

The impurity concentration in an oxide semiconductor layer is reduced in such a way that a silicon oxide layer including many defects typified by dangling bonds is formed in contact with the oxide semiconductor layer, and an impurity such as hydrogen or moisture (a hydrogen atom or a compound including a hydrogen atom such as H_2O) included in the oxide semiconductor layer is diffused into the silicon oxide layer.例文帳に追加

未結合手に代表される欠陥を多く含む酸化シリコン層を、酸化物半導体層に接して形成し、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、上記酸化シリコン層に拡散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。 - 特許庁

A material with a wider band gap than an (i) layer is used for an (n) layer, and phosphor is added to the (i) layer so that average impurity concentration is within a range of 3×1016 to 4×1017 atom/cm3.例文帳に追加

ｎ層にｉ層よりもバンドギャップの広い材料を用い、かつｉ層に、平均不純物濃度が３×１０^16〜４×１０^17原子/cm^3の範囲となるような燐添加をおこなう。 - 特許庁

A compound semiconductor substrate 10a comprises a substrate 12 consisting of a p type compound semiconductor, and a substance 14 bonded to a surface 12a of the substrate 12 and containing a p-type impurity atom.例文帳に追加

化合物半導体基板１０ａは、ｐ型の化合物半導体からなる基板１２と、基板１２の表面１２ａに結合しておりｐ型の不純物原子を含む物質１４とを備える。 - 特許庁

In the Cu-Ge target, there is a need of suppressing the mixing amounts of impurity elements other than Cu, Ge to ≤2 atom% for controlling the above intensity ratio to ≤1, therefore, it is produced by a powder sintering process.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｇｅターゲットは上記強度比を１以下にするためにＣｕ、Ｇｅ以外の不純物元素混入量を２ａｔ％以下に抑える必要があり、そのため粉末焼結法で作成される。 - 特許庁

A low-resistance n-type AlN crystal is obtained by substituting a part of Al atoms in an AlN crystal with group IIIa elements (such as Sc, Y and La) or/and group IIIb elements (such as B, Ga and In), and substituting one adjoining nitrogen (N) atom with an oxygen (O) atom to form a shallow impurity level.例文帳に追加

本発明によれば、ＡｌＮ結晶のＡｌ原子の一部を、IIIａ族元素（Ｓｃ,Ｙ,Ｌａ等）又は／及びIIIｂ族元素（Ｂ,Ｇａ,Ｉｎ等）で置換し、隣接する窒素（Ｎ）１原子を酸素（Ｏ）原子で置換することにより、浅い不純物準位が形成され、低抵抗ｎ型ＡｌＮ結晶を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method for measuring the concentration of impurities for detecting each impurity atom in a semiconductor to specify its position to discriminate the kinds of impurities and respectively discriminating the numbers of the acceptors and donor impurity atoms contained in a certain specific region for counting, and a device for measuring by this measuring method.例文帳に追加

半導体中の個々の不純物原子を検出して、その位置を特定し、その不純物の種類を判別し、さらにある特定の領域内に含まれるアクセプターおよびドナー不純物原子の数をそれぞれ区別して数え上げることによって不純物濃度の測定を行う方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

An atom for accelerating an oxidation is injected into an uppper oxide film 4 of the source region 2 and the drain region 3, and a low concentration diffusion region segregated by an impurity is formed as offset regions 2a, 3a.例文帳に追加

ソース領域２、ドレイン領域３の上部酸化膜４に酸化を促進する原子が注入され、不純物の偏析による低濃度拡散領域がオフセット領域２ａ、３ａとして形成されている。 - 特許庁

To increase the quality of an interface between a dielectric region and a semiconductor substrate, obtain a dielectric region impermeable to an impurity atom from a gate region, and obtain a thickness substantially equal to that of a stacked dielectric film.例文帳に追加

誘電体領域と半導体基盤との界面を高品質化し、ゲート領域からの不純物原子に対して不浸透性のある誘電体領域を獲得し、堆積される誘電体膜に実質等しい厚さを得る。 - 特許庁

The impurity atom pairs are disposed on a region (channel region) between the p-type region 102 and the n-type region 103 in a direction (first direction) in which the p-type region 102 and the n-type region 103 are disposed facing each other.例文帳に追加

ここで、不純物原子対は、ｐ型領域１０２とｎ型領域１０３とが対向して配置されている方向（第１方向）で、ｐ型領域１０２とｎ型領域１０３とに挾まれた領域（チャネル領域）に配置される。 - 特許庁

The silicification at the interface of the first titan silicide film 18a1 is suppressed by making the first titan silicide film 18a1 in contact with a plug 19 or impurity semiconductor regions 14 and 15 contain nitrogen of 20 atom% or over.例文帳に追加

プラグ１９または不純物半導体領域１４，１５と接する第１チタンシリサイド膜１８ａ_1 に２０原子％以上の窒素を含有させることにより、第１チタンシリサイド膜１８ａ_1 界面でのシリサイド化反応を抑える。 - 特許庁

The silicon cluster has a structure in which silicon atoms are arranged in a polyhedral structure and an impurity atom is included in the polyhedral structure and has electron giving and receiving ability, whereby a charged state can be controlled.例文帳に追加

この発明のシリコンクラスターは、シリコン原子が多面体構造に配列し、その多面体構造の中に不純物原子を内包した構造を有し、電子授受能力を備えて荷電状態が制御可能であることを特徴としている - 特許庁

This method for producing a light olefin comprises: bringing a raw material olefin flow containing at least one sulfur derivative impurity, nitrogen derivative impurity and/or oxygen derivative impurity into contact with MFI-type crystalline silicate catalyst having at least about 180 silica/aluminum atom ratio; and producing effluent flow substantially having same olefin weight content as the raw material flow, but having olefin distribution different from the raw material flow.例文帳に追加

少なくとも１種の硫黄誘導体不純物、窒素誘導体不純物及び／又は酸素誘導体不純物を含有する原料オレフィン流れを少なくとも約１８０のケイ素／アルミニウム原子比を有するＭＦＩ型の結晶性シリケート触媒と接触させて、実質的に原料流れと同じオレフィン重量含有率を有するが、原料流れとは異なるオレフィン分布を有する流出液流れを生成させることを含んで成る方法。 - 特許庁

The core-shell-type semiconductor nanoparticle is a core-shell-type semiconductor nanoparticle having a core portion and a shell layer, where the impurity concentration in the shell layer is at most 5.0 atom percent and the core/shell lattice mismatching ratio is at most 15%.例文帳に追加

コア部とシェル層を有するコア／シェル型半導体ナノ粒子であって、当該シェル層内の不純物濃度が５．０原子％以下であり、かつコア／シェル間の格子不整合率が１５％以下であることを特徴とするコア／シェル型半導体ナノ粒子。 - 特許庁

The silicon member used for manufacturing a semiconductor is characterized by that the silicon member consists of a silicon-formed body of resistivity 0.1 Ω.cm or less and a concentration of metal impurity within a region of a surface layer of 50 nm is 1×10^11 atom/cm^2 or less.例文帳に追加

半導体製造用シリコン部材の発明は、抵抗率０．１Ω・ｃｍ以下のシリコン成形体から成り、かつ表層５０ｎｍ領域内の金属不純物濃度が１×１０^１１原子／ｃｍ^２以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The ion implantation for forming the first impurity area 22 softens a stress caused from a mismatch between a lattice constant of the compound layer 24 and that of the semiconductor substrate 3, and is carried out in a condition that an atom does not form a cluster between lattices developed in the semiconductor substrate 3.例文帳に追加

第１の不純物領域２２を形成するイオン注入は、化合物層２４の格子定数と半導体基板３の格子定数との不整合による応力を緩和するとともに、半導体基板内３に発生する格子間原子がクラスタを形成することのない条件で行われる。 - 特許庁

In this way, particularly in a MOS transistor, it is possible to increase the quality of the interface between the dielectric region and the semiconductor substrate, obtain the dielectric region impermeable to the impurity atom from the gate region, and obtain the thickness substantially equal to that of the stacked dielectric film.例文帳に追加

このように特にMOSトランジスタにおいては、誘電体領域と半導体基盤との界面が高品質化され、ゲート領域からの不純物原子に対して不浸透性のある誘電体領域が得られ、堆積される誘電体膜に実質等しい厚さが得られる。 - 特許庁

As a photovoltaic element used is a photovoltaic element including as a component a laminate wherein an n-type impurity semiconductor silicon thin film and a p-type impurity semiconductor silicon thin film are bonded via an intrinsic semiconductor silicon thin film, and at least one of those silicon thin films is a silicon thin film containing chlorine atoms at a concentration of, for example, 0.005 to 5 atom.%.例文帳に追加

光起電力素子として、ｎ型不純物半導体であるシリコン系薄膜とｐ型不純物半導体であるシリコン系薄膜とが真性半導体であるシリコン系薄膜を介して接合され、且つこれらシリコン系薄膜の少なくとも１つが例えば０．００５原子％〜５原子％の濃度の塩素原子を含有するシリコン系薄膜である積層体を構成要素とする光起電力素子を使用する。 - 特許庁

The gas sensor is provided with a first semiconductor layer and a second semiconductor layer of different conductivity types, ohmic electrodes in contact with the respective semiconductor layers, and a catalyst layer provided on one surface of the ohmic electrode for dissociating a hydrogen atom from a molecule having the hydrogen atom, and the semiconductor layers in contact with the ohmic electrode provided with the catalyst layer has a specified thickness corresponding to a concentration of an impurity.例文帳に追加

本発明のガスセンサは、導電型の異なる第１半導体層及び第２半導体層と、各々の半導体層とそれぞれコンタクトしているオーミック電極と、これらのオーミック電極のうちのいずれか一方の表面に設けられ、水素原子を有する分子から水素原子を解離する触媒層と、を備え、触媒層が設けられたオーミック電極とコンタクトしている半導体層は、不純物濃度に応じた所定の膜厚を有する。 - 特許庁

The manufacturing method of the group III nitride semiconductor is provided with a sputtering step of forming a single crystalline group III nitride semiconductor layer doped with a donor impurity by a sputtering method in an atmosphere containing 20-80% a nitride atom-containing gas and an inert gas.例文帳に追加

２０〜８０％の窒素原子含有ガスと不活性ガスとを含む雰囲気中で、スパッタ法によって、ドナー不純物の添加された単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体層を形成するスパッタ工程を備えることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法の製造方法とする。 - 特許庁

For the electrolyte solution for a secondary cell containing nonaqueous solvent and LiPFe6, the content of phosphor containing impurity in terms of phosphor atom, which has a chemical shift value between 40 ppm and 80 ppm at 31-NMR spectrum, is less than 0.005 weight %.例文帳に追加

本発明の課題は、非水溶媒及びＬｉＰＦ_６を含有するリチウム二次電池用有機電解液であって、^31Ｐ−ＮＭＲスペクトルにおいて４０ｐｐｍから−８０ｐｐｍの領域に化学シフト値を有するリン含有不純物の含有量がリン原子として０．００５重量％以下であることを特徴とするリチウム二次電池用有機電解液によって達成される。 - 特許庁

The electrostatic chuck comprises a dielectric layer formed by aluminum nitride sintered compacts of which the volume resistivity at an application temperature is ≥1×10^8 Ωcm and ≤1×10^13 Ωcm, the grain boundary volume resistivity is ≤1/10^2 of transgranular volume resistivity, and the impurity is ≤3 atom% and a face-like electrode formed on one surface of the dielectric layer.例文帳に追加

使用温度における体積抵抗率が１×１０^8Ωcm以上１×１０^13Ωcm以下であり、結晶粒界体積抵抗率が、粒内体積抵抗率の１/１０^2以下であり、不純物が３atom％以下の窒化アルミニウム焼結体で形成された誘電体層と、誘電体層の一方の面に形成された面状の電極とを有する静電チャックである。 - 特許庁

This stress-luminescent material comprises an oxide of a tetragonal phase structure represented by general formula CaM^1Al_3O_7 (M^1 is Y, La and Gd), a luminescence center of Eu^2+, and furthermore, an impurity phase formed from a raw material of the oxide and a crystal of the oxide with a lattice defect structure wherein an atom represented by M^1 is deleted.例文帳に追加

一般式ＣａＭ^１Ａｌ_３Ｏ_７で表される正方相構造の酸化物（Ｍ^１は、Ｙ、ＬａまたはＧｄ）と、発光中心であるＥｕ^２＋とを含み、さらに上記酸化物の原料から形成される不純物相及びＭ^１で表される原子が欠損している格子欠陥構造である上記酸化物の結晶を含む応力発光材料。 - 特許庁

An active conductive material that generates hydrogen ions or hydrogen molecules by reducing impurity including a hydrogen atom (for example, moisture) may be excluded from the second electrode.例文帳に追加

酸化物半導体を用いたトランジスタのソース電極層又はドレイン電極層に接続された第１の電極と、第１の電極に重畳する第２の電極の間に発光物質を含む有機層を備えた半導体装置において、第２の電極から、水素原子を含む不純物（例えば水分）を還元して水素イオン、又は水素分子を発する活性な導電材料を排除すればよい。 - 特許庁

When the surface of the semiconductor which is a measuring target is observed by a scanning tunnel microscope (STM), the STM image of the surface of the semiconductor by applying positive voltage to the semiconductor on the basis of a probe is compared with the STM image of the surface of the semiconductor obtained by applying negative voltage to the semiconductor on the basis of the probe to detect the impurity atom in the semiconductor.例文帳に追加

被測定対象物である半導体表面を走査型トンネル顕微鏡(STM)で観察する際に、探針を基準として半導体に正の電圧を印加して得られた半導体表面のSTM像と、探針を基準として半導体に負の電圧を印加して得られた半導体表面のSTM像とを比較することにより、半導体中の不純物原子を検出することを特徴とする半導体不純物原子検出方法である。 - 特許庁

The antioxidant for the cosmetic contains titanium oxide having a divalent or trivalent metal dopant in a crystal lattice as a plane defect, having a metal ion and/or a metal atom in an unoxidized state or an unsaturated low-level oxidation state, having a crystal structure giving no strain to a standard lattice constant while having a large impurity level, synthesized at high temperature and effective as the antioxidant for the cosmetic.例文帳に追加

結晶格子中に、２価あるいは３価の金属ドーパントを面的欠陥として持ち、金属イオン及び／又は金属原子が未酸化状態あるいは不飽和の低次酸化状態にあって、大きな不純物準位を有しながら標準的な格子定数に歪みを与えない結晶構造を有してなる高温合成された二酸化チタンを含有することを特徴とする化粧料の用酸化防止剤に効果のある二酸化チタン。 - 特許庁